热退火对银/铬薄膜界面结构的影响

利用卢瑟福背散射分析和X射线衍射技术，研究了热退火对采用气相沉积方法在AlN基体上制备的Cr／Ag薄膜的界面结构的影响，样品的退火温度范围为200～650℃。实验结果表明：当退火温度达到350℃时，Cr／Ag界面开始互扩散；当退火温度超过550℃，大量铬原子通过银层向试样表面扩散。     

热退火对银／铬薄膜界面结构的影响

利用卢瑟福背散射分析和Ｘ射线衍射技术，研究了热退火对采用气相沉积方法在ＡｌＮ基体上制备的Ｃｒ／Ａｇ薄膜的界面结构的影响，样品的退火温度范围为２００－６５０℃，实验结果表明：当退火温度达到３５０℃时，Ｃｒ／Ａｇ界面开始互扩散，当退火温度超过５５０℃，大量铬原子通过银层向试样表面扩散。     

热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响

利用光致瞬态电流谱（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ ＣｕｒｒｅｎｔＳｐｅｃｔｒｕｍＯＴＣＳ）研究了热退火对低温分子束外延ＧａＡｓ材料深中心的影响,实验结果表明原生和退火的ＬＴ－ＧａＡｓ中都存在三个主要的深中心ＬＴ１、ＬＴ２、ＬＴ２,退火后各峰的相对强度变化很大,特另ＩＬＴ１／ＩＬＴ３＝Ｃ由退火前的Ｃ〉〉１到退火后Ｃ〈〈１,退火温度越高,Ｃ值越小,这主要归因于热退火过程中砷的集聚与沉淀致使与砷反     

自组织InAs/GaAs与InGaAs/GaAs量子点生长及退火情况的比较

本文采用MBE进行InAs/GaAs与InGaAs/GaAs量子点的生长,利用RHEED进行实时监测,并利用RHEED强度振荡测量生长速率。对生长的InAs/GaAs和InGaAs/GaAs两种量子点生长过程与退火情况进行对比,观察到当RHEED衍射图像由条纹状变为网格斑点时,InAs所需要的时间远小于InGaAs;高温退火下RHEED衍射图像恢复到条纹状所需要的时间InAs比InGaAs要长。     

ZnSe光学薄膜对GaAs表面特性的影响

GaAs基半导体激光器芯片在空气中解理后,解理腔面会被空气氧化形成腔面缺陷,在腔面形成的缺陷严重影响了器件的寿命.用GaAs衬底表面模拟半导体激光器的解理腔面,研究了不同的光学薄膜对GaAs表面特性的影响.研究结果表明暴露在大气中的GaAs表面会形成Ga2O3、As2O3和As2O5缺陷.在表面镀含氧光学膜的GaAs表面上会形成少量Ga2O3缺陷,不形成As2O3和As2O5缺陷,在表面镀ZnSe光学薄膜的GaAs表面没有形成Ga2O3缺陷,也没有形成As2O3和As2O5缺陷.在GaAs表面上蒸镀ZnSe光学薄膜能有效地抑制GaAs表面缺陷的形成,提高半导体激光器的寿命.     

GaAs/InGaP异质界面的湿法腐蚀

对柠檬酸系、盐酸系溶液腐蚀GaAs/InGaP异质结构材料体系时出现的腐蚀不均匀现象进行了实验研究,采用原子力显微镜(AFM)、电子显微镜、台阶仪等分析了不同腐蚀条件下GaAs/InGaP异质界面的腐蚀形貌,找到了简单有效的办法,可获得很好的表面平整度,同时侧向腐蚀也较小.     

退火工艺对Zn/AZ31/Zn复合板材界面微观结构及力学性能的影响

采用热轧工艺制备Zn/AZ31/Zn复合板材,研究退火温度与时间对板材界面微观组织及力学性能的影响。结果表明:退火温度对界面扩散层的形成影响较大,低温退火无法形成良好的界面扩散层,而在200℃退火,可获得由Mg_4Zn_7和MgZn_2相组成的良好的冶金结合界面。较高的温度(300℃)导致界面脆性Mg_2Zn_(11)相的析出,而引发微裂纹。在同一温度下,退火时间的延长仅影响扩散层的厚度,对其相组成没有影响。退火处理使板材的强度降低,但是塑性有所提高,在200℃热处理1 h获得的复合板材综合力学性能较好。     

表面处理对水镁石/EVA复合材料界面作用的影响

选用了三种表面处理剂(硬脂酸Ste、硅烷偶联剂KH550、钛酸酯偶联剂JN114)对水镁石进行表面改性,研究了界面作用对复合材料静态力学性能、动态力学性能及粉体分散行为的影响,并对界面粘接强度进行了定量表征。结果表明,表面处理剂的加入明显改善了水镁石粉体在树脂相EVA中的分散性;硬脂酸赋予体系高的断裂伸长率,KH550赋予体系更高的拉伸强度,JN114赋予体系更好的综合性能;由DMTA的损耗因子值(tanδ)计算得出界面粘接强度相对大小依次为:KH550 modified>JN114modified>No treated>Ste modified,此结论与Tg值大小及力学测试数据完全吻合。     

界面改性对SiC_p/Cu复合材料热物理性能的影响

采用热压烧结法成功制备SiC_p/Cu复合材料。采用溶胶-凝胶工艺在SiC颗粒表面制备Mo涂层,研究Mo界面阻挡层对复合材料热物理性能的影响。结果表明:过氧钼酸溶胶-凝胶体系能够在SiC颗粒表面包覆连续性、均匀性较好的MoO_3涂层,最佳工艺配比为SiC∶MoO_3=5∶1(质量比)、过氧化氢∶乙醇=1∶1(体积比),SiC表面丙酮和氢氟酸预清洗处理有利于MoO_3涂层的沉积生长。MoO_3在540℃第一步氢气还原后转变为MoO_2,MoO_2在940℃第二步氢气还原后完全转变为Mo,Mo涂层包覆致密完整。热压烧结SiC_p/Cu复合材料微观组织致密均匀,且相比原始SiC颗粒增强的SiC_p/Cu,经溶胶-凝胶法界面改性处理的SiC_p/Cu复合材料热导率明显提高,SiC体积分数约为50%时,SiC_p/Cu复合材料热导率达到214.16W·m~(-1)·K~(-1)。     

碳纳米管表面处理对碳纳米管/氟橡胶复合材料形貌及界面作用的影响

采用溶液浇注法制备了碳蚋米管(CNTs)/氟橡胶纳米复合材料,并对不同表面状态的碳纳米管(原始碳纳米管,酸处理碳蚋米管、CF<,4>等离子体处理碳纳米管)在复合材料中的分散以及碳蚋米管与氟橡胶的界面作用进行了研究.研究结果表明,经CF<,4>等离子体处理后的碳纳米管在氟橡胶中的分散性明显优于混酸处理碳纳米管,激光显微拉...     

InAs沉积量对InAs/GaAs量子点表面形貌的影响

基于分子束外延(MBE)技术,以反射式高能电子衍射仪(RHEED)作为实时监测工具,在经过Ga液滴刻蚀而具有纳米洞的GaAs衬底上沉积不同厚度的InAs材料形成量子点,并利用扫描隧道显微镜(STM)研究了量子点的形成及分布与InAs沉积量之间的关系。结果表明,在GaAs衬底平坦区,InAs按照SK模式生长,在纳米洞位置,洞内及其周围的台阶会约束量子点的生长成核,而随着InAs沉积量的增加,这种约束会逐渐减小。特别是当InAs沉积量为2ML时,在纳米洞周围会形成尺寸均匀、分布有序且呈环状的量子点结构。     

界面退火对外延BiFeO3薄膜光伏特性的影响

采用射频磁控溅射的方法在(001)取向的SrRuO₃(SRO)/SrTiO₃(STO)衬底上制备了外延BiFeO₃(BFO)薄膜,在室温条件下溅射一层金属Pt作为上电极,构建了Pt/BFO/SRO电容器。X射线衍射显示BFO薄膜呈现良好的外延生长,极化-电场滞后回线和净极化强度测试结果说明Pt/BFO/SRO电容器具有良好的铁电性。为了检测界面对Pt/BFO/SRO电容器光伏特性的影响,将整个Pt/BFO/SRO电容器分别在180 ℃和500 ℃的条件下快速热处理2 min,以改变Pt/BFO界面态。在室温、180 ℃和500 ℃的条件下,Pt/BFO/SRO电容器光伏效应的开路电压分别为0.22 V、0.12 V和0.05 V,短路电流密度分别为9.2 μA/cm²,4.9 μA/cm²和0.12 μA/cm²。开路电压和短路电流密度都随着退火温度的升高而降低,这是高温退火恶化了界面态的结果。在室温条件下,Pt/BFO/SRO电容器光伏效应的光电转换效率为0.009 4%,大于部分前期报道的结果。     

真空环境中多场耦合对Au/Cu/Si薄膜界面结构的影响

采用磁控溅射方法在Si基底上制备了Au/Cu薄膜.利用扫描俄歇微探针(SAM)纳米化分析技术进行表面成分分析与深度剖析,研究在真空环境中,紫外辐照、微氧氧含量及处理温度等因素作用对Au/Cu薄膜界面结构的影响.实验结果表明:环境温度的升高,使薄膜内缺陷增加,为Cu原子的扩散提供了更多的扩散通道;紫外辐照产生了等同的热效应,加剧了Cu原子在Au层中的扩散;微氧的存在诱导了Cu原子的扩散.三种因素协同作用下,诱导迁移扩散机制在室温下形成,并于处理温度达到100℃后趋于稳定.     

热退火对KDP晶体微结构的影响

用X射线衍射和Raman光谱技术研究了KDP晶体165℃退火前后微观结构的变化。实验发现退火24h可以减小晶体生长过程中带来的晶格的畸变，提高了晶体的完整性，缩小晶体中键长和键角的变化范围，使晶体内应力得以部分释放。对于快速生长的晶体，退火的效果更加显著。     

GaAs/Si界面的化学态的研究

利用俄歇峰形分析技术对GaAs/Si界面的化学态和电子态进行了研究。提出了一种新的俄歇信号强度标定法——频域法。该方法利用低能俄歇电子较低的逸出深度,在复频域内标定来自最表层原子的俄歇信号强度,避免了二次电子本底和电子逸出平均自由程的影响,从而可以准确判定在界面这种突变结构中元素成分的深度分布信息。利用谱峰修正技术,研究了Ga、As、Si价带跃迁几率在界面不同深度内的变化情况,发现在界面处As-Si有明显的成键作用,Si原子的一部分p电子转移到了As原子空的p轨道中,由此产生了一个新的界面态,该界面态位于GaAs价带顶上方2eV的地方。在对Ga原子价带俄歇跃迁几率进行的研究中,并未发现其价电荷分布有明显的变化,表明Ga原子与其他原子在界面处并未发生明显的成键作用。     

尺寸分布和界面混合对InAs/GaAs量子点光学性质的影响

研究了自组织生长模式(S-K modes)下量子点尺寸的不均匀分布对量子点发光性质的影响,对其光致发光峰进行了拟合计算.研究发现,量子点尺寸的不均匀分布导致了量子点发光峰的展宽以及发光峰位的红移.另一方面,后处理工艺中的退火及质子注入引起的界面混合导致了量子点PL谱发光峰的蓝移及半高宽的减小.     

P-InP与Au,Cr,Ti,Cr/Au和Ti/Pd/Au界面互扩散的研究

用AES研究了P-InP与Au,Cr,Ti,Cr/Au和Ti/Pd/Au界面在热处理过程中的互扩散现象。结果表明:Au,Cr有内扩散现象发生,Ti,Pd层对内扩散有一定阻挡作用。用Ti/Pd/Au体系作InGaAsP/InP双异质结发光管的肖脱基势垒材料,制作的器件在85℃下存贮8000小时能保持特性参数不变,表明Ti/Pd/Au肖脱基势垒有较好的稳定性。     

碳纤维表面改性及其对碳纤维/树脂界面影响的研究进展

碳纤维具有优异的性能,常用于树脂基体的增强。然而,碳纤维表面具有疏水性和化学惰性,导致其与树脂基体间的界面粘结性较差,因此,有必要对碳纤维进行表面改性。综述了近几年国内外碳纤维表面改性方法的研究进展,以及这些改性方法对碳纤维与树脂基体界面性能的影响,并将这些表面改性方法分为湿化学法改性、干法改性、纳米材料改性三大类,具体的改性方法包括上浆剂改性、等离子体改性、纳米粒子改性等,并对纳米材料改性作了较详细的介绍,希望能为碳纤维表面改性提供一些帮助。     

Au/p-CdZnTe欧姆接触的电学测量及界面特性分析

采用化学镀金法在高阻p-CZT(CdZnTe)晶片表面制备Au电极,并用改进的圆环传输线模型(Ring-CTLM)测量了CZT电极的接触电阻,探讨了大气气氛下退火温度对CZT电极欧姆特性的影响.实验结果表明,200℃退火可以显著改善欧姆特性,使接触电阻率ρc显著减小,采用Ring-CTLM模型测得CZT与金电极接触电阻率为0.1524Ω·cm2.通过XPS分析了CZT与Au电极接触界面的成分,发现在Au/p-CdZnTe界面处形成了CdTeO3层,该界面层可起到载流子复合中心的作用,构建的新模型很好地解释了化学镀金法在p-CdZnTe晶片表面形成欧姆接触的机理.     

SiC表面氧化及其对SiC/Fe界面稳定性的影响

烧结致密的α-SiC在静态空气气氛中经1200℃×10h氧化,在其表面形成一层致密的氧化膜,该层氧化膜具有β-方石英晶体结构.氧化膜的生长由O