碲镉汞光导器件的交叠结构与性能

光数载流子扫出效应是限制碲镉汞（ＨｇＣｄＴｅ）光导器件性能提高的重要因素之一。交叠结构的光导器件能有效地消除少数载流子扫出效应，就结构的尺寸问题，进行了理论分析和实验，实验结果与理论符合，器件呼应率有较大的提高。     

碲镉汞异质结接触光导体

Hg_(1-x)Cd_xTe(x～0.2)光电导体制作的探测元件已广泛地用于现代热成象系统中。光生载流子向普通器件接触的金属-半导体界面的高复合区的双极位移,即“扫出”,已被认为限制光电导器件性能的主要因素。本文从理论和实验上验证一种新型的、能有效地消除有害扫出效应的器件结构。本文称这种结构为异质结构接触光导体(HC),它的制作是在激发光导     

结构和工艺对碲镉汞光导探测器响应率的影响

分析了探测器表面复合和扫出效应对光激发非平衡栽流子寿命和响应率的影响。并进行了实例数字计算,提出了表面和扫出的影响是目前8～14μm碲镉汞光导探测器在工艺和结构上必须予以重视的问题。     

碲镉汞光导探测器设计参数

利用微机计算了碲镉汞光导探测器的各种参数,如辐射寿命、俄歇寿命、热噪声、产生复合噪声、响应率和探测度。文中强调了背景激发的非平衡载流子△p和扫出效应的作用。在附录中给出了产生复合噪声的扫出作用的新推导。定义了扫出因子Q。详尽分析了各参数之间的关系,以求得最佳器件设计的思想方法。     

叠层HgCdTe光导器件载流子浓度分布及器件性能

根据Ｍ．Ａ．Ｋｉｎｃｈ提出了的叠层结构，从解一维连续性方程出发，对有叠层和无叠层器件光生载流子浓度空间分布进行了计算和分析，结果表明，叠层结构相当提供一个少数载流子存储区，可有效抑制扫出效应，提高体内光生载流子的平均浓度，从而提高响应率，实验上采用两种工艺实现了有叠层结构，并给出了器件性能的测量结果。     

光导探测器的综合参数

本文针对碲镉汞光导探测器,同时考虑到了体吸收效应、扫出效应、表面复合效应以及Sprite器件的工作原理,但为了便于简化求解,作者分别定义了对应的特征因子,如A、Q、F、N_(e(?))等,而这些效应对探测器响应率和探测度的贡献,是以其特征因子的乘积关系来完成的。     

光导器件及其背景限探测度

本文就ＭＣＴ光导型探测器作一总结性的讨论，对光导器件的扫出问题作了更详尽的阐述，并定义了扫出因子。关于背景限探测度提出了新的见解，认为背景限探测度不是不可逾越。     

超深亚微米P+栅PMOSFET中NBTI效应及其机理研究

本文深入研究了P⁺栅PMOSFET中的NBTI效应,首先通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化,基于这些实验结果提出了一种可能的NBTI效应发生机制:即由水分子参与的Si-SiO₂界面处的电化学反应.最后从工艺的角度给出了减小和抑制NBTI效应的方法.     

叠盖电极高性能SPRITE探测器

由于扫出效应，载流子大量聚集在邻近电极的区域，但电极处的强复合作用使SPRITE读出区光生载流子数衰减很多，采用叠盖电极技术可以有效地阻载流子在地电极处的快速复合，读出区中光生非平衡载流子总数为无叠盖电极时的2.18倍，输出信号大幅度提高。该技术对现有工艺的改变极小，是一种比较现实的提高SPRITE探测器性能的有效办法。叠盖电极用于SPRITE探测器，可明显提高性能。     

超深亚微米PMOSFET器件的NBTI效应

研究了超深亚微米PMOS器件中的NBTI(负偏置温度不稳定性)效应,通过实验得到了NBTI效应对PMOSFET器件阈值电压漂移的影响,并得到了在NBTI效应下求解器件阈值电压漂移的经验公式.分析了影响NBTI效应的主要因素:器件栅长、硼穿通效应和栅氧氮化以及其对器件寿命退化的作用.给出了如何从工艺上抑制NBTI效应的方法.     

超深亚微米PMOSFET器件的NBTI效应

研究了超深亚微米PMOS器件中的NBTI(负偏置温度不稳定性)效应,通过实验得到了NBTI效应对PMOSFET器件阈值电压漂移的影响,并得到了在NBTI效应下求解器件阈值电压漂移的经验公式.分析了影响NBTI效应的主要因素:器件栅长、硼穿通效应和栅氧氮化以及其对器件寿命退化的作用.给出了如何从工艺上抑制NBTI效应的方法     

N型碲镉汞材料的少子寿命分布测量

目前,碲镉汞已被广泛用于制造热成象中采用的光子探测器。而在光子探测器的性能中,少子寿命是一个重要参数。在光电导器件中,探测率正比于τ(1/2)。而当光导器件工作在“扫出”方式时,要达到“扫出”而所件中,需的电场正比于τ(-1)。在扫积型(SPRITE)器等效背景限探测器数目正比于τ(1/2)。在光伏器件中,τ也是一个重要参数,因为它决定了扩散长度及少子收集效率。因此人们希望能够确定碲镉汞的寿命,从而有助于选取好的材料。所以我们开发了一种测量从原始晶锭上切下来的N型碲镉汞晶片的寿命分布技术。     

a-Si∶H TFT的寄生效应

a-Si∶H TFT的栅源几何交迭会引起几何寄生电容,实验研究表明它并不能完全表征TFT的寄生效应,研究发现由栅极和源极形成的电场的电力线交迭也会导致物理寄生效应且这种效应始终存在.从LCD的结构、材料、制备工艺等普遍性出发,依据交迭电力线建立了物理寄生效应模型并对其进行了详细的分析和计算,实验结果表明该方法是有效可行的,从而使LCD寄生效应有了一个较完美的理论表征和分析计算方法.     

a-Si∶HTFT的寄生效应

a- Si∶ H TFT的栅源几何交迭会引起几何寄生电容 ,实验研究表明它并不能完全表征 TFT的寄生效应 ,研究发现由栅极和源极形成的电场的电力线交迭也会导致物理寄生效应且这种效应始终存在 .从 L CD的结构、材料、制备工艺等普遍性出发 ,依据交迭电力线建立了物理寄生效应模型并对其进行了详细的分析和计算 ,实验结果表明该方法是有效可行的 ,从而使 L CD寄生效应有了一个较完美的理论表征和分析计算方法.     

黑白电视机的中心调整

(一)光栅中心、图像中心和屏幕中心屏幕中心就是显像管屏幕的几何中心.偏转线圈行、帧扫描电流所扫出的光栅具有一个中心,叫光栅中心,其位置可用位于偏转线圈后部的磁极片来进行校正.当屏幕中心与光栅中心不重合时往往使屏幕的一边光栅外露过多,从而浪费扫描功率,且使图象重现率难以得到保证.     

SPRITE探测器的优化设计

本文在一维理论的基础上,经微处理机模拟计算,设计给出了工作在8—14μm波段SPRITE探测器的优化参数:器件长700μm,宽62.5μm,厚7μm,读出区长度50μm,工作偏压2.8V。结果表明,受器件粘接胶层热阻及扫出效应的影响,更大的器件工作偏压只能使器件优值参数探测率和调制传递函数交劣。计算结果还表明,尽可能减少器件在衬底上的粘接胶层厚度,背景辐射及材料的净掺杂浓度,有利于提高器件性能。     

一种针对DCT域高压缩图像的去块效应算法

在基于块DCT编码的图像压缩技术中,高压缩图像的块边界会出现块效应,严重损害图像的主观质量.提出一种新的基于图像恢复的去块效应算法,该算法根据图像特征从已分类的图像库中进行匹配,进而对图像噪声进行估计,达到去块效应的效果.经过实验证明,该算法有效.     

光纤端面耦合特性研究

本文主要从光纤的各种端面效应出发,分析了不同形状端面光纤之间的耦合特性,并给出了相应的实验结果.     

红外热像仿真中光学系统渐晕效应模拟研究

渐晕效应是红外光学系统普遍存在的现象,对红外成像质量的影响比较大,因此要逼真生成通过光学系统的红外仿真图像离不开渐晕效应的准确模拟.系统地提出了红外光学系统渐晕效应的仿真思路,通过光线追迹的方法对红外光学系统渐晕效应产生机理进行分析,建立渐晕效应模型,然后结合基于图像像素处理的方法对该效应进行建模仿真,并给出了仿真结果.从实验结果看,该模型的渐晕效应仿真效果较理想,有助于提高红外图像生成的逼真度.     

C4ISR系统作战业务信息失真效应建模

研究针对赛博空间对抗威胁环境下C4ISR系统作战业务信息失真现象,提出了一种系统作战业务信息失真效应建模方法.首先,从C4ISR系统构成要素的角度,提出了战场有线网络、无线网络、传感器和作战应用系统中存在的脆弱性和面临的赛博空间安全威胁.其次,首次提出了系统作战业务信息失真效应的概念内涵,从作战应用系统通信机制的角度,提出了基于Winsock2SPI架构的效应产生机制,并建立了作战业务信息失真效应的数学表征模型.最后,在仿真实验环境下,以某防空作战指挥信息系统为实验对象,利用研制开发的恶意代码工具,模拟实际战场环境下指挥控制系统信息失真现象.