温度对光伏光折变晶体中高斯光束演化的影响

为了得到温度对有偏压光伏光折变晶体中高斯光束演化特性的影响结果,基于暗辐射强度对温度的依赖关系,研究了不同温度下高斯光束在光伏光折变晶体中的动态演化。将高斯光束作为入射波,采用数值方法求解波传播方程,当温度是300K时,与晶体匹配的高斯光束可演化成稳定的屏蔽光伏明孤子;当温度变化较大时,高斯光束变得不稳或者发散。在失配的条件下,通过改变晶体的温度能使一不稳定的高斯光束变成一稳定的明孤子波。结果表明,这种温度增加或减少控制下的光伏光折变晶体中高斯光束演化特性的改变有望应用于温控光器件。     

温度对光伏光折变晶体中高斯光束自偏转的影响

基于扩散效应及暗辐射强度对温度的依赖关系,研究了温度对有偏压光伏光折变晶体中高斯光束自偏转特性的影响.将高斯光束作为入射类孤子波,采用数值方法求解含扩散项的波传播方程.结果表明,当晶体的温度在一定的范围内变化时,光束中心沿一抛物线轨迹偏转,并且光束中心偏转距离随温度的增加而增加,在一个特定温度处达到最大值,之后随温度的增加而减小.当温度发生足够大的变化时,高斯光束将不稳定甚至崩溃.通过调节晶体的温度能改变高斯光束的自偏转.     

匹配高斯光束在中心对称光折变晶体中的自偏转

通过数值模拟的方法,研究了有外加电场的中心对称光折变晶体中匹配高斯光束的动态演化及自偏转特性.结果表明,对于给定的与中心对称光折变晶体参量匹配的高斯光束,在晶体中能演化为稳定的孤子波;考虑扩散效应之后,匹配高斯光束的中心将发生自偏转.随着入射光强的增加,高斯光束中心的自偏转程度先增加后减小,转折处的入射光强度对应于最窄...     

有偏压光伏光折变晶体中明暗矢量孤子的演化

提出了有偏压光伏光折变晶体中存在着明暗矢量孤子,它起源于对外电场的非均匀空间屏蔽和光伏效应.当光伏效应为零时,这些明暗矢量孤子就转化为明暗矢量屏蔽孤子,其物理系统就转化为明暗矢量屏蔽孤子的物理系统;当外电场为零时,这些明暗矢量孤子预言了明暗矢量光伏孤子,其物理系统预言了明暗矢量光伏孤子的物理系统.应用光束传播的方法讨论了这些明暗矢量孤子的稳定性.结果表明,当σ> 0 和(β+α-δ) > 0 时,在(β+α-δ)小于某一值的区域内,这些明暗矢量孤子是稳定的;其中σ为控制两光束强度的参数,β为与外偏压有关的参数,α和β为与晶体的光伏系数有关的参数;当σ<0和(β+α-δ) <0时,在(β+α-δ)大于某一值的区域内,这些明暗矢量孤子也是稳定的.     

光折变晶体中双光束耦合时间响应特性的研究

从描述双光束耦合规律的动态方程组出发．在考虑了光栅调制度变化后，给出了包含晶体固有参数、入射总光强、入射夹角、光强比等变量在内的写入响应时间解析表达式，实验结果与理论分析定性符合很好。     

匹配高斯光束在双光子光折变介质中的自偏转

为了研究有外加电场的双光子光折变介质中匹配高斯光束的动态演化及自偏转特性,采用数值模拟的方法,给出了匹配高斯光束在晶体中的动态演化及自偏转图形。结果表明,对于给定的与双光子光折变介质参量匹配的高斯光束,在介质中能演化为稳定的孤子波;考虑扩散效应之后,匹配高斯光束的光束中心将发生自偏转;随着外加电场的增加,高斯光束的自偏转程度增加,当外加电场达到一定强度后,高斯光束的自偏转程度随着外加电场的增加反而减小;高斯光束的自偏转程度随着入射光强的变化关系与外加电场的情况相似。     

有偏压光伏光折变晶体中空间孤子的研究

证明了有偏压的光伏光折变晶体中存在着明、暗稳态的空间孤子-屏蔽光伏孤子．它起源于对外电场的非均匀空间屏蔽和光伏效应。同已报道的稳态光折变空间孤子相比，它具有不同的特性。当外电场为某一值时，用改变外电场的极性和旋转光的偏振方向可以实现从明屏蔽光伏孤子转换为暗屏蔽光伏孤子或从暗屏蔽光伏孤子转换为明屏蔽光伏孤子。     

光折变晶体LiNbO3:Fe的光束自相位调制

本文对不同强度的激光束照射LiNbO3:Fe晶体引起的自衍射和自散射等自相位调制现象和机理进行了定性定量的讨论.     

有偏压光伏光折变晶体中低振幅非相干耦合孤子对

从理论上研究了有偏压的光伏光折变晶体中低振幅屏蔽光伏孤子对的特性，给出了明一明、暗一暗屏蔽光伏孤子对的单孤子解。它们起源于对外电场的非均匀空间屏蔽和光伏效应，不同于起源于对外电场非均匀空间屏蔽孤子和起源于光伏效应的光伏孤子，具有有趣的特性。当光伏效应可忽略时，它们的非线性波动方程就转化为低振幅屏蔽孤子对的非线性波动方程，它们就转化为低振幅屏蔽孤子对；当外偏压为零时，它们的非线性波动方程就转化为低振幅闭路和开路光伏孤子对的非线性波动方程，它们就转化为低振幅闭路和开路光伏孤子对。如果载体光束具有相同的偏振和波长以及互不相干时，这些孤子对就能得到，相关的例子在光伏光折变晶体铌酸锂(LiNbO3)中给出。     

光折变晶体中共面多光束干涉研究

构用共面多光束干涉在光折变晶体中形成了对比度较大的一维、二维周期性晶格微结构。理论和实验对比研究了共面双光束和多光束在光折变晶体中会聚相干形成周期微结构的分布规律和影响因素。在相干理论的基础上,建立了具有普适性的共面多光束相干数学模型,数值模拟了n(n=1,2,3,4,5,6)束共面激光相干光场的光强分布规律。实验结果表明,干涉光场图案分布同数值模拟相吻合。实验中进一步讨论了相干系统各参数变化对干涉效果的影响,并通过全息记录在铁电铌酸锂晶体中构造出了同多光束干涉场光强分布对应的光子晶格微结构。     

GaAs光折变晶体中的双光束正交偏振耦合

本文报道利用红外1.15μm He-Ne激光在光析变晶体GaAs:Cr中进行双光束耦合的理论和实验研究,在双光束同向传播耦合时,我们推得了耦合方程的解,在GaAs立方晶体的电磁波耦合中分别仔细考虑了垂直与平行于入射面的偏振情况。     

光擦除双光束耦合的温度特性

建立了光擦了作双光束耦合理论的简单模型，引入了响应强度概念及描述参量，数值计算了响应强度的温度特性，对Ｃｅ：ＫＮＳＢＮ晶体给出了光擦除双光束耦合温度特性的实验结果。     

光折变两波耦合动态特性的研究

研究了在抽空条件下光折变两波耦合中体相位栅的建立过程及沿作用区的分布．给出了体相位栅以及输出信号光和泵浦光的动态响应特性．并对有关理论结果进行了实验研究。     

高速调幅光束的光折变四波混频的理论研究

对高速调幅光束的光折变四波混频进行了理论研究。在无泵浦非耗竭近似下，给出了复耦合系数为任意值时稳态四波混频耦合波方程组的解析解。对方波调制光束情况进行了模拟计算。     

光折变晶体中的相位共轭

近几年来,光折变相位共轭器及其在非线性光学中的应用取得了有意义的进步。本文主要叙述光折变晶体中的四波混频以及各种光学相位共轭器的结构,简单地介绍了相位共轭器在光信息处理中的一些应用。     

光折变晶体BSO双光子耦合放大特性研究

本文分析了利用折变晶体实现光放大的原理、方法及特性,为利用光折变晶体实现光放大提供了理论依据,并指出了具体过程中的一些关键因素。     

光折变晶体中ps激光脉冲二波耦合增益正负转换现象

用二列脉宽为60ps的连续锁模Nd:YAG激光的倍频光在掺Ce的KNSBN晶体中进行二波耦合.当泵浦光脉冲迟于信号光脉冲到达晶体,或泵浦光脉冲虽先于信号光脉冲到达晶体.但时间提前量小于激光脉冲半高宽时.信号光的二波耦合平均增益是非负的;当泵浦光脉冲先于信号光脉冲到达晶体且时间提前量大于激光脉冲半高宽时.信号光的二波耦合平均增益可变为负的.对此给出物理解释.     

掺铈KNSBN晶体光折变效应的温度特性

研究了掺铈的KNSBN晶体在632.8nm的光束下,当温度从30℃升高到95℃过程中,两波耦合和四波混频相位共轭的性质。两波耦合实验表明,当温度达到95℃时,增益系数和晶体的响应速度能增加数倍。在温度变化范围内,四波混频相位共轭反射率从4%增加到14%。     

两中心模型中光折变晶体两波耦合增益系数的温度特性

对两中心模型光折变晶体两波耦合增益系数Γ、总的有效电荷密度Neff和强度特性因子η的温度特性进行了理论研究.在两中心模型中,存在着一个深能级和一个浅能级,这两个能级在带隙之间引起不同的掺杂中心.浅能级的密度MT决定着晶体的温度特性.影响温度特性主要因素是总的有效电荷密度Neff和强度特性因子η随温度的变化关系.结果表明,当MT=0.2×1016 cm-3较小时,在300～400 K的范围内,Neff和Γ随温度的增加而单调增加,而η在不同的光强下温度特性差别较大.当MT=100×1016 cm-3较大时,在上述温度范围内,Neff和Γ随温度增加而单调下降.而η的温度特性表现为当总光强大时,η随温度增加而减小.而当总光强很小时,η随温度的增加而变大.浅能级密度MT的不同是引起Γ温度特性不同的主要因素.这些结果对认识光折变晶体的内部结构是十分有用的.(PB2)