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电子电路中,信号电流在线路间流动会发生串扰,从而使波形畸变导致电路偶发故障.本文通过分解电路中的各项寄生参数、将其做等效处理,对电路间串扰成因进行理论分析,研究不同频段内,寄生参量随频率而产生的频率响应传输特性,提出设计改善方案.并通过仿真实验加以佐证,找到解决串扰问题的方法. 相似文献
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10 Gb/s电吸收调制器的微波封装设计 总被引:1,自引:1,他引:1
在高速光电子器件的微波封装过程中,需要综合考虑封装寄生参数和芯片寄生参数对器件高频性能的影响。利用封装寄生参数对芯片寄生参数的补偿作用,成功实现了10Gb/s电吸收调制激光器(EML)的高频封装。通过封装前后芯片和器件的小信号频率响应测试结果对比,器件的反射参数和传输参数有所改善,3dB带宽达到10GHz;并进行了10Gb/s速率的光纤传输实验,经过40km光纤传输后通道代价不到1dBm(误码率为10^-12),满足10Gb/s长距离光纤传输系统的要求。 相似文献
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对低势垒肖特基二极管检波器进行了微波特性分析,给出了小信号情况下的检波特性。利用优化方法对检波器内各种寄生及分布参量对频率响应和驻波特性的影响作出了定量分析,并以此研制出了标网检波器。理论分析与实验结果吻合良好。 相似文献
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从传统的激光器速率方程出发,同时考虑芯片封装寄生参量和本征区接触参量的影响,得出一种双异质结半导体激光器的新型等效电路模型,在此模型基础上用电路仿真软件PSpice分析了直流偏置对激光器弛豫振荡、小信号频率响应、大信号脉冲响应的影响。 相似文献
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基于异质结双极晶体管(HBT)优良的微波特性,精确建模对使用该类器件进行电路设计具有重要的意义。介绍了HBT所具有的独特优越性,采用Gummel-Poon等效电路模型对常用HBT进行了小信号和大信号模型的建立,加入了寄生电感等效衬底寄生参数,测试了SiGe HBT在不同偏置下的S参数及I-V特性曲线,利用半解析方法分析了非线性模型的参数提取,讨论了本征参数和寄生参数的拟合优化。给出了关于HBT大信号和小信号等效电路模型,对比实测参数进行验证,建立模型在测试频率范围内拟合结果和测试结果吻合良好。 相似文献
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本文采用一适于光电集成回路(OEIC)的计算机辅助分析程序,对含一个激光二极管(LD),两个金属半导体场效应晶体管(MESFET)的混合和单片OEIC做了较详细的分析。主要考虑:LD的偏置情况I_o/I_(th)(工作电流与阈值电流之比),引线及封装产生的寄生参数对输出光的频率响应和小信号脉冲响应特性的影响。结果表明:寄生电阻,小于5pF的寄生电容影响不大,而LD的偏置情况,寄生电感对回路的频响和小信号脉冲响应有极大影响。室温下,该混合OEIC芯片,当LD工作在二倍阈值以上,引线寄生电阻和电感分别取为0.1(?)和0.3nH时,小信号调制带宽可达4GHz。由于单片集成极大地减小了寄生电感(主要是引线电感),因此,单片集成在提高OEIC的工作速度上具有很大的优越性。 相似文献
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垂直腔面发射激光器(VCSEL)以其低功耗、低阈值电流、高调制速率和易制作二维阵列器件等特点,广泛应用于短距离光互连领域.湿法腐蚀和干法刻蚀作为高速VCSEL台面结构制备的两种工艺,影响VCSEL氧化层的大小.文章研究了氧化层面积对寄生电容的影响,并计算得到7 μm氧化孔径下采用干法刻蚀工艺的垂直腔面发射激光器,相比较湿法腐蚀工艺,氧化层电容由902.23 fF减小至581.32 fF,谐振腔电容由320.72 fF减小至206.65 fF.通过对采用湿法腐蚀和干法刻蚀工艺制备的GaAs量子阱结构高速VCSEL进行小信号调制响应测试,结果表明,7μm氧化孔径下干法刻蚀VCSEL小信号调制带宽提高至16.1 GHz. 相似文献