CM509AP-2双四选—模拟开关的工艺设计

本文介绍了CM509AP-2双四选一模拟开关电路的工艺设计及电路性能。电路采用外延衬底材料,两次注入源/漏区,以提高击穿电压。制作出的电路在±15V下工作,±22V下无闭锁效应。     

一种宽带、高速运算放大器的设计

介绍了一种基于双极工艺的高速宽带运算放大器的设计,从电路结构方面详细论述了电路的宽带设计、高速设计等设计思路,将该电路通过计算机模拟,给出了仿真和测试结果.经过投片验证,设计出的运算放大器满足预期指标,取得了比较满意的结果.该电路在视频放大器、有源滤波器、高速数据转换器等电子系统中有着广泛的应用前景.     

基于gm/Id参数的CMOS运算放大器设计重用方法

模拟电路的设计重用是提高模拟与混合信号集成电路设计效率的重要途径.本文提出了一种基于g_m/I_d参数的不同工艺之间同一结构电路的设计移植方法.方法的基本思想是保持移植前后电路中部分关键MOS管的g_m/I_d参数,从而使移植后电路的性能也基本保持不变.介绍了基于BSIM等模型的g_m/I_d匹配及移植电路参数确定方法.给出了一个Miller补偿两级运放及一个折叠共源共栅运放从0.35μm工艺到0.18μm、0.13μm、90nm工艺的移植仿真结果.与现有方法相比,本文方法可以更小的计算代价,得到性能基本相同、但功耗与面积缩减的电路.     

一种高线性度的CMOS调幅电路设计

本文设计出一种CMOS工艺调幅电路,该电路具有线性输入范围宽、线性度高的特点。文中介绍了该电路的结构,分析了电路基本工作原理,并使用仿真软件Pspice给出了电路的模拟仿真结果。     

CMOS兼容光电单片接收机的模拟与设计

设计了与CMOS工艺兼容的光电单片接收机电路,其中包括光电探测器、前置放大器和主放大器.它采用0.6μm CMOS工艺,可在自备的高阻外延片上使用MPW(multi-project wafer)进行流水.其中光电探测器的工作波长为850nm,响应度为0.2A/W,接收灵敏度为-16dBm,带宽为800MHz,因此适用于VSR(very short reach)系统.前置放大器采用电流模反馈放大器,主放大器输出为LVDS(low voltage differential signals)电平.通过器件模拟与电路模拟统一的方法将光电探测器与接收机放大电路进行统一模拟,分析了电路的限制因素,并提出了相应的改进方法.     

CMOS兼容光电单片接收机的模拟与设计

设计了与CMOS工艺兼容的光电单片接收机电路,其中包括光电探测器、前置放大器和主放大器.它采用0 6μmCMOS工艺,可在自备的高阻外延片上使用MPW(multi project wafer)进行流水.其中光电探测器的工作波长为850nm ,响应度为0 2A/W ,接收灵敏度为- 1 6dBm ,带宽为80 0MHz ,因此适用于VSR(very short reach)系统.前置放大器采用电流模反馈放大器,主放大器输出为LVDS(low voltage differential signals)电平.通过器件模拟与电路模拟统一的方法将光电探测器与接收机放大电路进行统一模拟,分析了电路的限制因素,并提出了相应的改进方法.     

P—24黑白电视KC系列电路试制中的外延问题

P-24黑白电视电路总共六块,HA系列、KC系列各三块。HA系列电路,外延之前的工艺与一般p-N结隔离的线性电路基本是一致的。KC系列电路,为了同时制作出任意集电极电位的纵向pnp管,外延之前增加了一次以B掺杂的p型埋层扩散,这就给外延工艺带来了不少麻烦。KC系列电路试制中外延所遇到的主要问题有:外延层反型、电阻率的控制、图形畸变、层错增多等等。     

与CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器模拟与设计

用器件模拟的方法,设计了一种与常规CMOS 工艺兼容的硅高速光电探测器,该探测器可与CMOS接收机电路单片集成,对该探测器进行了器件模拟研究,给出了该探测器的电路模型.通过MOSIS(MOS implementation support project) 0.35μm COMS工艺制做了该探测器,实际测试了该器件的频率响应和波长响应,探测器频率响应在1GHz以上,峰值波长响应在0.69μm.     

CM7510系列CMOS高压模拟开关电路的研究

本文介绍CM7510系列CMOS高压模拟开关电路的设计,版图设计,工艺及电路性能。从理论和实验中分析了常规工艺中影响击穿电压的几个关键工艺参数。     

与CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器模拟与设计

用器件模拟的方法,设计了一种与常规CMOS 工艺兼容的硅高速光电探测器,该探测器可与CMOS接收机电路单片集成,对该探测器进行了器件模拟研究,给出了该探测器的电路模型.通过MOSIS(MOS implementation support project) 0.35μm COMS工艺制做了该探测器,实际测试了该器件的频率响应和波长响应,探测器频率响应在1GHz以上,峰值波长响应在0.69μm.     

Design of high-efficiency RF Class-D power amplifier

In this paper, the losses in a Class-D RF switching power amplifier and their frequency dependence are described. The losses analyzed are the switching, conduction, and gate drive losses. A 300 W, 13.56 MHz, Class-D circuit is designed in the traditional manner to illustrate the magnitude of the different types of loss. A circuit using the ZVS equations developed in this paper is designed. An experimental circuit is built using standard IRF540 devices in TO220 packages. That circuit does not meet its performance goals because of the package inductance. A new low inductance half-bridge package is introduced to solve this problem. Techniques for circuit layout and power measurements for RF applications are also presented in the experimental section. A low loss gate drive circuit is also presented using a Class-E circuit to provide the drive power. The experimental results confirm the accuracy of the design equations derived in this paper     

具有有源下拉电路和图腾柱式输出结构的CML门电路

本文提出了一种高速低功耗、具有有源下拉电路和图腾柱式输出结构的ＣＭＬ（简称ＭＣＭＬ）门电路；详细地阐述了ＭＣＭＬ门电路的工作原理和优点；列出了电路仿真结果；并对其电路特性与ＥＣＬ和ＡＰＤ－ＥＣＬ电路进行了比较。     

Direct-coupled MOS squaring circuit

A direct-coupled MOS squaring circuit is presented and discrete circuit test results are given. A version of the basic circuit uses one linear resistor while another is an all-MOS circuit. In both cases, limitations on input amplitude are obtained to ensure the squaring behavior.     

New synthesis method for a branch-line 3 dB hybrid: a hybridapproach comprising planar and transmission line circuit concepts

A synthesis method for a stripline-type branch-line 3-dB hybrid which is based on an equivalent circuit derived by the planar circuit approach is presented. The equivalent circuit of an ideal 3-dB hybrid is derived first from those of the segmented circuit elements, i.e., four three-port junctions and four quarter-wave transmission lines. A systematic synthesis process is then developed upon the basis of the equivalent circuit. Practical hybrid circuit having optimized circuit patterns which were constructed for center frequencies of 3, 5, and 7 GHz are discussed. Their measured characteristics are described. The results are shown to agree well with the theory     

一种新型脉冲氙灯预燃电路

介绍一种为高压脉冲氙灯（型号为４×６５Ｆ）而设计的预燃电路，电路采取开关电源方式供电，磁饱和方式降压、稳流。因此去掉了传统触发和预燃电路中的升压变压器、限流电阻、触发高压包等。整个电路的体积、重量明显减小，效率提高．实际运行表明，该电路工作可靠，运行稳定．     

半导体激光器驱动电路设计

设计了一种半导体激光器驱动电路,论述了半导体激光器的构造及其电路原理,阐述了半导体激光器驱动电路中恒流电路与恒压电路的工作原理与设计思路.通过在电路设计中增加恒压电路模块,有效地降低了半导体激光器的功耗.     

一种新型高功率因数直流电源

文章提出了一种新型的高功率因数直流电源,并对电路的主要工作原理进行了分析,介绍了电路的两种工作模态,并且作了详细的比较;通过理论演算和对电路仿真,证实了该电路具有功率因数高的特点。与目前常用的boost功率因数校正电路比较,该电路改善了开关管的电压应力,使开关管不易损坏,同时还具有结构简单,效率高,性能稳定等优点。     

强磁水处理仪设计

系统采用单片机控制,由键盘电路、A/D转换器、单片机、液晶显示器、时间电路和驱动电路等组成。根据系统要求,对键盘接口、时间电路接口、液晶显示电路接口、单片机选择、A/D转换器接口和驱动电路的设计作了较详细的介绍,并对电路的工作原理进行了阐述。     

一种新型高压场致发光驱动电路的设计

提出了一种横向高压敏感功率器件的结构，采用SENSE技术制作末端功率器件。该器件是一种新型敏感器件，利用其版图结构及在结终端技术中的特殊结构，可使场致发光(EL)的驱动、智能开关电源等的保护功能更加可靠。在EL控制和驱动电路中，采用一种新型误差放大电路和PWM电路，给出了电路模型参数，并设计了一种具有极低电磁干扰和高稳定度的新型EL电路。     

全数字控制的单相功率因数校正电路设计

模拟控制的Boost-ZVT有源功率因数校正电路,其缺点是设计复杂,系统容易受元器件老化及受温漂影响而引起误差。针对这个问题,设计了一种基于DSP的全数字控制电路。首先介绍了Boost-ZVT电路的工作原理,对其主要元器件参数进行了设计,然后详细地阐述了基于TM320F2812的数字控制硬件电路设计,主要包括DSP供电电路、A/D采样电路以及过压电路。最后给出其实验结果,实验结果表明采用全数字控制不但能实现模拟控制的所有功能,而且能够显著降低系统的体积和重量,而且便于系统调试和升级。