Pd掺杂SnO2纳米结构传感器制备与氢敏性能研究

以SnCl4·5H2O和PdCl2为原料,通过雾化热解方法制备原位Pd掺杂SnO2多孔纳米结构粉体,并通过涂覆形成薄膜传感器.利用XRD、FE-SEM对样品的结构和形貌进行表征,通过BET测定样品的孔径分布及比表面积.氢敏测试结果表明,Pd掺杂的SnO2薄膜气敏材料在低于150℃的操作温度下对质量浓度为10-4量级的H2显示出良好的气敏响应特性,这可能归因于粉体的多孔结构和Pd掺杂剂的催化效应.     

电子束辐照对锂镧锆钽氧(Li6.5La3Zr1.5Ta0.5O12)固体电解质结构的影响

通过固相反应法制备出室温下高离子电导率Ta掺杂的锂镧锆钽氧(Li_6.5La₃Zr_1.5Ta_0.5O₁₂,LLZTO)固体电解质,详细研究了电子束辐照对LLZTO固体电解质结构和性能的影响。结果表明：电子束(250 kGy、500 kGy)辐照后并未产生其他杂相,且晶格间距随着剂量的增加逐渐变大,这有利于降低离子在晶格中的扩散能垒。第一性原理的计算发现,低剂量电子束辐照样的Li⁺扩散能垒比未辐照样降低了0.07 eV,说明辐照产生的缺陷能促进Li⁺扩散。辐照前后的电解质交流阻抗测试进一步证实了低剂量的电子束辐照有利于提升电解质的离子电导率。利用电子束辐照探究其对LLZTO氧化物固体电解质结构和电导率的影响对固体电解质的研究具有重要意义。     

不同能量和注量电子辐照对InP HEMT材料电学特性影响

本文采用气态源分子束外延法(GSMBE)制备了匹配型InGaAs/InAlAs磷化铟基高电子迁移率器件(InP HEMT)外延结构材料。针对该外延结构材料开展了不同能量和注量电子束辐照试验,测试了InP HEMT外延结构材料二维电子气（2DEG）辐照前后的电学特性,获得了辐照前后InP HEMT外延材料二维电子气浓度和迁移率归一化退化规律,分析了不同能量和注量电子束辐照对外延材料电学特性的影响。结果发现：在相同辐照注量2×1015 cm-2条件下,电子束辐照能量越高,InP HEMT外延材料电学特性退化越严重;15 MeV电子束辐照时,当辐照注量超过4×1014 cm-2后,外延材料电学特性开始明显退化,当电子辐照注量达到3×1015 cm-2后,外延材料电学特性退化趋势减弱趋于饱和。产生上述现象原因如下：电子束与材料晶格发生能量传递,产生非电离能损(NIEL),破坏晶格完整性,高能量电子束具有较高的非电离能损,会产生更多的位移损伤缺陷,导致InP HEMT外延材料电学特性更严重退化;InP HEMT外延材料电学特性主要受沟道InGaAs/InAlAs异质界面能带结构和各种散射过程影响,随着电子辐照注量的增加,位移损伤剂量增大,辐射损伤诱导缺陷会在沟道异质界面处集聚直至饱和。     

高能辐射对超高分子量聚乙烯纤维结构和力学性能的影响

通过高能电子束对超高分子量聚乙烯纤维进行辐射交联，探讨了在不同辐照环境中辐射前后的结构和力学性能的变化。结果表明：凝胶含量和交联度随剂量的增加而增加，溶胀度和交联网链平均分子量随剂量的增加而降低，拉伸强度和断裂伸长率随剂量的增加而降低，拉伸模量随剂量的增加而增加。在空气、真空和乙炔气三种环境中辐照，以乙炔气环境中辐照效果最好，空气中最差。     

高能辐射对超高分子量聚乙烯纤维结构和力学性能的 …

通过高能电子束对超高分子量聚乙烯纤维进行辐射交联，探讨了在不同辐照环境中辐射前后的结构和力学性能的变化。结果表明：凝胶含量和交联度随剂量的增加而增加，溶胀度和交联网链平均分子量随剂量的增加而降低，拉伸强度和断裂伸长率随剂量的增加而降低，拉伸模量随剂量的增加而增加。在空气、真空和乙炔气三种环境中辐照，以乙炔气环境中辐照效果最好，空气中最差。     

电子束辐照乙烯-四氟乙烯共聚物的化学稳定性

采用剂量率为20 k Gy/h的电子束在空气氛围中对乙烯-四氟乙烯共聚物(Ethylene tetra-fluoro-ethylenecopolymer,ETFE)片材进行辐照,剂量范围0–1600 k Gy,研究了ETFE片材在低剂量率电子束辐照下的化学稳定性。通过机械性能、红外光谱、拉曼光谱和扫描量热仪(DSC)等对辐照前后的样品进行了测试和表征。机械性能测试结果表明,随着吸收剂量的增加,断裂伸长率和断裂强度在0–200 k Gy内缓慢下降,超过400 k Gy则急剧下降;红外光谱分析表明,随着吸收剂量的增加,羰基指数增加,样品表面氧化程度严重;拉曼光谱分析结果显示低剂量率电子束的辐照破坏了ETFE分子链结构的对称性;DSC测试结果表明,随着吸收剂量的增加,ETFE的结晶度和熔点逐渐下降,结晶度从43.2%下降到12.6%,熔点从261.3℃下降到233.3℃。     

聚四氟乙烯电子束辐射降解研究

研究了辐照剂量、辐照剂量率和辐照气体环境等因素对聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethene,PTFE)薄膜电子束辐射降解效应的影响,并采用傅里叶变换红外(Fourier Transform Infrared Spectroscopy,FTIR)、电子自旋共振(Electron Spin Resonance,ESR)和X射线衍射(X-ray Diffraction,XRD)等方法进行分析。结果表明:电子束能够有效地对聚四氟乙烯进行降解。PTFE样品的辐射降解主要发生在主链C-C键上;在相同的吸收剂量和气体环境下辐照,低剂量率辐照样品降解好于高剂量率样品;而在相同的吸收剂量和剂量率下辐照,在空气中的辐照降解效果好于N2气环境下。     

电子束辐照唐菖蒲球茎对 M1代花粉的影响初探

为了探讨电子束对唐菖蒲诱变育种的可行性和不同剂量的电子束对花粉性状的影响,用能量为3MeV的不同剂量电子束辐照唐菖蒲"超级"球茎,对其M1代的花粉进行了研究.花粉活力的检测表明电子束辐照处理后的M1代花粉活力比对照略有下降,但小剂量辐照对花粉活力的影响并不明显,随着剂量的增加,辐照对花粉活力的抑制作用逐渐达到显著水平;扫描电镜观察发现,随着辐照剂量的增大,M1代花粉的孢粉学特征与对照差异逐渐明显,并且出现了多种变异形式;通过对M1代花粉酯酶同工酶的分析.结果表明,酯酶同工酶与对照相比发生了明显的变化,其中剂量在120Gy以下的酶带与对照相同,但酶活性较对照变弱,剂量为160Gy和200Gy时出现了一条新的酶带并且有两条酶带消失,剂量为240Gy时酶谱出现了一条特异酶带同时有一条酶带消失,并且剂量大于160Gy的酶活性与对照以及其他剂量相比也略有不同.由此表明,电子束辐照对植株能产生明显的影响,通过对花粉的一系列分析,能够较好地反映辐照对植株的诱变情况.     

LY12铝合金强流脉冲电子束表面改性层组织结构及性能

用强流脉冲电子束对LY12铝合金表面进行辐照处理,结果表明,处理后合金表面出现熔坑,随辐照次数增加,熔坑数量减少但直径变大;XRD分析表明改性层中存在-Al和CuMgAl2和CuAl2相,重熔层再结晶有择优取向。表面截面硬度增大,在一定深度处达最大值,而后随电子束沉积能量减少而开始下降。电化学腐蚀试验表明,辐照处理样品的自腐蚀电位从–0.63 V提高到–0.52 V,自腐蚀电流由1.09 10 7A降低至3.12 10 9A,耐腐蚀性能明显提高。     

电子束辐照对冷却猪肉杀菌保鲜效果的研究

利用电子束辐照技术对冷却猪肉的杀菌和保鲜效果进行了研究,为电子束辐照技术应用于肉类加工业提供应用依据。以束流能量（X1）和辐照吸收剂量（X2）为试验因子,以菌落总数（Y）为指标,通过响应面分析法（RSM）研究了电子束辐照杀菌的效果及对货架期的影响。电子束辐照对冷却猪肉杀菌效果的二次多项数学模型为：Y=3．78—0．24X1-0．13X2-0．16X1X2—0．18X1^2＋0．15X2^2（R^2=0．9755）。辐照吸收剂量与束流能量之间存在协同增效作用,试验因子的显著性顺序为：剂量〉交互作用〉束流能量。使冷却肉初始菌数下降2个对数单位的辐照参数范围为3．23-4．0kGy,2．3～3．8MeV。经电子束辐照的冷却猪肉样品在4℃条件下贮藏,货架期比对照样品延长12d左右;在7～10℃条件下保存,货架期比对照延长9d左右。研究结果表明,电子束辐照对冷却猪肉具有杀菌保鲜作用,该研究对电子束辐照技术应用于冷却猪肉的生产实践具有指导意义。