真空熔炼CuCr25合金及其性能研究

采用真空熔炼法制备ＣｕＣｒ２５合金，能提高ＣｕＣｒ触头材料的生产率，节约Ｃｕ，Ｃｒ资源。实验结果表明，该合金Ｃｒ相尺寸为３０－５０μｍ，相对密度大于９８％，气体含量低于５００×１０＾－６Ｐａ，耐电压强度可达到常规方法制备的触头材料的水平。     

电弧重熔法制造铜铬合金触头材料

本文首先分析了ＣｕＣｒ触头材料的结构特点，详细评述了目前制备ＣｕＣｒ触头材料的常用方法，然后介绍了电弧重熔法的设备组成和工艺特点。初步的试验结果表明，电弧重熔法工艺较简单，成本较低，可以获得比传统的粉末冶金法更为细密的组织结构。     

铜钨（70）自力型触头的研制

本文对ＣｕＷ（８０）／ＣｒＣｕ与ＣｕＷ（７０）／ＣｒＣｕ两种自力型触头界面结合强度作了比较。研究了不同Ｗ粉粒度对ＣｕＷ（７０）硬度、电阻率、抗弯强度及抗电弧烧损性能的影响，用扫描电观察了触头烧损后的组织结构。阐述了电子电子束焊接方法的优点，探讨了焊后的检验手段，制造的ＣｕＷ（７０）／ＣｒＣｕ自力型触头装于ＥＬＦ．ＳＬ２－１Ⅱ断路器上，通过了全部开关试验。     

高温下 CuCr 触头材料对真空小间隙击穿强度的影响

测量了含不同合金元素的ＣｕＣｒ真空触头材料不同温度下的击穿强度,讨论了合金元素Ｗ、Ｃｏ及温度对ＣｕＣｒ真空触头材料高温下小间隙击穿性能的影响。     

铜钨（70）自力型触头的研制

本文对ＣｕＷ（８０）／ＣｒＣｕ与ＣｕＷ（７０）／ＣｒＣｕ两种自力型触头界面结合强度作了比较。研究了不同Ｗ粉粒度对ＣｕＷ（７０）硬度、电阻率、抗弯强度及抗电弧烧损性能的影响扫描电了触头烧损后的组织结构。阐述了电子束焊接方法的优点，探讨了焊后的检验手段，制造的ＣｕＷ（７０）／ＣｒＣｕ自力型触头装于ＥＬＦ．ＳＬ２－１Ⅱ路器上，通过了全部开关试验。     

真空开关触头材料的开发现状与发展

本文综述了真空开关触头材料的开发现状，并对其发展作了论述。指出：１。Ｃｕ－Ｗ触头较普遍应用于真空接触器与负荷开关；２．Ｃｕ－Ｃｒ触头因具较多的优良特性已成为当前真空断路器的最佳触头；３．为弥补Ｃｕ－Ｃｒ材料的不足开发了添加其它元素的Ｃｕ－Ｃｒ系触头。然而为全面满足真空开关电器的发展，开发出高性能的触头材料则是触头研究者迫切需要进一步探索的问题。     

两种新的Cu-Cr合金触头材料

介绍两种新的触头材料──真空熔铸的Ｃｕ—２５Ｃｒ合金材料和激光熔凝的Ｃｕ—５０Ｃｒ表面合金。用这两种材料做触头的真空灭弧室在３８ｋＶ、２５ｋＡ和３１．５ｋＡ下的开断性能优异。     

Cu-Cr二元合金状态图与Cu-Cr触头的工艺探索

本文从Cu-Cr二元合金平衡状态图的基本结构出发，分析了典型成份下的Cu-Cr合金平衡结晶的过程及其常温下合金的组织结构。结合熔渗法制造Cu-Cr50触头材料的合金化特点，分析了产生组织缺陷的原因和消除这些缺陷的方法，从而使熔渗法制造Cu-Cr触头的生产工艺和产品质量提高到一个新的水平。     

选择性相强化对CuCr触头材料在真空小间隙中耐电压强度的影响

研究了合金元素Ｗ、Ｃｏ的加入对ＣｕＣｒ触头材料在真空小间隙中耐电压强度的影响。研究结果表明,合金元素选择强化ＣｕＣｒ材料的Ｃｒ相能够显著提触头间隙的耐电压强度,而强化Ｃｕ相对间隙的耐电压强度没有明显作用。文章认为制备ＣｕＣｒ系触头材料时应选择适当的制备工艺,使合金元素能够选择强化材料中的Ｃｒ相。     

电触头材料的导电性探讨

本文从金属电阻的理论本质来源及电导率的理论公式出发,分析了单相合金和多相合金的导电特性及规律,列出了一些计算合金电导率的经验公式,并以此为依据,对Ａｇ－Ｃｕ、Ａｇ－Ｆｄ、Ａｇ－Ａｕ、Ｐｄ－Ｃｕ、Ａｇ－Ｃｄ等采用熔炼法制造的触头材料的导电特性进行了分析,对Ａｇ－Ｎｉ、Ａｇ－Ｗ、Ａｇ－Ｃ、Ａｇ－ＭｅＯ等采用粉末冶金法制造的触头的电导率进行了计算,最后对计算结果进行了讨论并总结了影响材料电导率的客观因素     

深冷处理对CuCr真空触头材料组织及性能的影响

研究了 ＣｕＣｒ真空触头材料在一定的深冷处理条件下,其组织发生的微结构变化。深冷处理引起的Ｃｕ相中的过饱和Ｃｒ弥散析出,使得微观组织分布更加均匀,Ｃｕ相的导电、导热能力进一步改善。同时Ｃｒ相发生明显细化。深冷处理使ＣｕＣｒ真空触头材料的耐电压强度及耐电弧侵蚀得到了一定的提高。     

NCW型内衬式耐磨弯头

介绍了一种新型内衬式耐磨弯头的结构及内衬材料Ｃｒ２８ＭｏＣｕＢ高合金白口铸铁的组织及性能。Ｃｒ２８ＭｏＣｕＢ合金显微组织中的高强高韧奥氏体基体与高硬度碳化物相结合，使其在高速冲刷磨损条件下具有优良的泛角度综合冲刷磨损抗力；内衬式结构设计在使弯头寿命大幅度提高的同时不会引起其重量的明显增加。内衬式制造工艺具有适应性强、易于控制、产品性能稳定可靠、弯头安装施工方便等优点。     

对电镀Ni—Cr—P合金添加剂的研究

本文对直流电镀Ｎｉ—Ｃｒ—Ｐ合金的有机和无机添加剂进行了研究。研究表明，这些添加剂有助于获得铬含量较高的合金镀层，并使镀层的表面形态得到改善。最后，给出了电镀Ｎｉ—Ｃｒ—Ｐ合金的新配方。     

显微组织对CuCr真空触头材料耐电压强度的影响

研究了ＣｕＣｒ真空触头材料的显微组织对其耐电压强度的影响。研究表明,电击穿首先在耐电压强度低的相上发生,对于Ｃｕ５０Ｃｒ５０合金,首次穿相为Ｃｒ相,而对ＧｕＣｒ５０Ｓｅｌ合金,首次击穿相为Ｃｕ２Ｓｅ相。由于电压老炼的结果,随着电击穿的发生,击穿相的耐电压强度升高,电击穿使阴极表面变得粗糙,但造成表面熔化层显微组织和成分均匀化,本文的研究认为,电压老炼造成触头表面显微组织更为细化和成分均匀化,从而提     

高性能触头材料WCu10的研究

对真空负荷开关触头用 ＷＣｕ１０材料的几种制造工艺进行了研究分析，表明采用氢气保护预烧钨骨架、真空渗铜工艺能使ＷＣｕ１０触头获得较佳的综合性能。     

熔渗法CuW触头材料W骨架压坯密度理论计算公式的研究

从理论上推导出熔渗法CuW触头材料W骨架压坯密度的理论计算公式和CuW合金化学成分与W骨架压坯密度的关系公式,分析并提出了W骨架压坯密度的控制范围。用化学分析方法测定了CuW合金的化学成分,用分析天平测试了CuW合金的密度。结果显示：熔渗方法制造的CuW触头材料,使用压坯密度理论计算公式确定的W骨架压坯,熔渗Cu后CuW合金实际化学成分与成分设定值吻合很好,CuW合金实际密度与密度设定值也吻合很好,并符合GB／T8320标准和用户的使用要求。实验证明,用熔渗法CuW触头材料W骨架压坯密度的理论计算公式,能正确地计算出W骨架压坯的密度,是一种合理的计算方法．对CuW触头材料的制造具有指导意义。     

CuCr触头材料微观特性对其宏观性能的影响

本文总结和分析了ＣｕＣｒ真空开关触头材料的含气量、晶粒尺寸、致密度及成分均匀分布等微观特性对其分断能力、耐压性能、截流值等宏现性能的影响,并简要分析了现有的一些工艺方法,为真空开关ＣｕＣｒ触头材料的研究开发和应用提供参考。     

H2气氛熔渗CuW触头材料性能的研究

重点研究了H2气氛熔渗方法制造的高压开关Cuw触头材料的物理机械性能,分析了影响材料性能的因素。测试了材料的密度、硬度、电导率、抗弯强度、抗拉强度、延伸率和冲击韧性,结果显示：H2气氛熔渗Cuw触头材料具有良好的物理机械性能,符合GB／T8320、ASTM B702标准和用户对Cuw触头的性能要求。特别是Cuw70合金具有较好的综合性能,能够满足高压开关GIS的技术要求。金相组织分析和对断口形貌的扫描电镜分析发现,H2气氛熔渗的Cuw触头材料金相组织均匀致密、孔隙少、无夹杂物,W颗粒大小分布均匀并被Cu均匀包覆。相对密度高、金相组织均匀、孔隙少、无夹杂物是H2气氛熔渗Cuw触头材料性能良好的主要原因。     

Cu—Al2O3陶瓷键合机理的研究

在一定的温度下，Ｃｕ－Ａｌ２Ｏ３界面处由于氧元素的引入，铜的表面形成一层Ｃｕ－Ｃｕ２Ｏ共晶熔体，这一熔体能同时湿润铜和陶瓷，降温后使Ｃｕ－Ａｌ２Ｏ３形成牢固键合。到目前为止，其键合机理还不十分明了。本文运用扫描电镜、能谱分析、Ｘ射线衍射技术对Ｃｕ－Ａｌ２Ｏ３界面的键合结构及生成的物相进行了系统的研究。     

真空灭弧室CuCoTa触头材料研究

介绍了国内首次研制的铜钴钽（ＧｕＣｏＴａ）触头材料的制备及其试验测试。试验结果表明,在相同的试验条件上,ＣｕＣｏＴａ触头材料较ＣｕＣｒ５０触头材料提高分断能力２４％。