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论电器触头材料的理论研究问题 总被引:1,自引:0,他引:1
本文论述了触头材料理论中的若干问题,对触头材料的抗静,动熔焊能力判据,截流水平模型,分断能力判据等进行了总结分析,并指出了材料理论研究对于提高新材料新电器的研制效果有重要意义。 相似文献
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阐述了触头间隙介质恢复过程和电压恢复过程的定量模型,分析比较了的触头分断能力理论判据,论述了触头材料的优选与改进对提高分断能力的重要性。 相似文献
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本文介绍了评价触头材料及其不同配对时抗动、静熔焊能力相对大小的理论判据,指出电角头材料在非对称配对时,其抗动熔焊能力存在“厚优效应”,“最劣效应”和“中间效应”;其抗静熔焊能力存在“弱中间效应”,介绍了一种新的简洁易用的触头截理论模型。该有方便地预测不同触头材料截流水平的大小顺序,并指出了低截流触头材料应具有电气,物理、热学性质。 相似文献
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电触头材料抗静熔焊能力的研究 总被引:6,自引:0,他引:6
本文从传热暂态方程出发,推导出了评价触头材料抗静熔焊能力的理论判据,并依此预测出材料非对称配对时其抗静熔焊能力存在“弱中间效应”。文中对理论预测值和试验结果进行了比较,表明用此判据预测是可行的。 相似文献
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本文介绍了评价触头材料及其不同配对时抗动、静熔焊能力相对大小的理论判据,指出电触头材料在非对称配对时,其抗动熔焊能力存在“最优效应”、“最劣效应”和“中间效应”,其抗静熔焊能力存在“弱中间效应”。介绍了一种新的简洁易用的触砂截流理论模型,该模型能方便地预测不同触头材料截流水平的大小顺序,并指出低截流触头材料所应具有的电气、物理、热学性质。 相似文献
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本文阐述了真空触头材料截流定量研究的现况,并从传热暂态方程出发,结合阴极表面能量平衡方程,推导了一种新的能预测触头材料截流水平相对高低的理论判据,并得到了实验验证。从此判据可以看出,增大阴极材料的电阻率、游离电位;降低其沸点、比热、逸出功等将有利于减小截流。 相似文献
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本文分析代断路器开断过程中灭弧室内动态真空度的变化规律。根据燃弧时灭弧室内的放气、吸气物理过程,导出了电弧电流、触头电弧侵蚀率、触头材料含气量、灭弧室有效容积之间的关系,给出了触头材料含气量的判据,为真空灭弧室设计和触头材料选择提供一个方面的依据。 相似文献
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大开断电流真空灭弧室触头材料含气量允许值理论判据 总被引:1,自引:0,他引:1
本文根据真空灭弧室在开断短路电流燃弧过程中灭弧室内动态压力的变化从理论上推导出触头材料含气量、灭弧室有效容积、触头电弧侵蚀率和开断电流之间的关系,给出了大开断电流真空灭弧室触头材料含气量最大允许值的理论判据。 相似文献
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本文对触头材料近期发展情况进行评述,重点论述了固定接触新型镀层材料;助接触剂怀填料;真空开关用触头材料,包括具有高耐压,高开断能力,低过电压等性能的触头材料:低压电器用触头材料,主要是银金属氧化物材料。最后,略谈触头材料设计理论研究与发展前景。 相似文献
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Cu20Cr5Ta真空开关触头材料特性的对比研究 总被引:1,自引:0,他引:1
铜铬广泛用于真空开关,作为真空断路器的触头材料。为了提高铜铬触头材料的分断能力,在其中添加了高熔点金属钽。研究了Cu20Cr5Ta触头材料的截流水平及分断能力,并与常用的Cu50Cr,Cu25Cr进行了对比,发现在触头尺寸相同,采取同样触头结构的情况下,Cu20Cr5Ta的电流极限分断能力比Cu50Cr,Cu25Cr强,而且Cu20Cr5Ta具有更低的截液水平,因此Cu20Cr5Ta是一种适用于真空开关的优良的触头材料。 相似文献
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分析了纳米材料与常规材料在热学性能和机械性能上的差异,综述了纳米触头材料在截流水平、抗电弧侵蚀和耐压能力等电性能研究上取得的进展,并对已有研究成果进行了概括和总结。结果表明:相对于同种配比的常规触头材料,纳米CuCr和AgFe触头材料的截流水平低于常规触头材料;纳米CuCr和AgFe的直流电弧稳定性高于常规触头材料,直流电弧寿命大于常规触头材料;纳米CuCr触头材料的耐压能力高于常规触头材料;纳米AgSnO2和AgNi触头材料的抗电弧侵蚀性能优于常规触头材料。因此,在今后对纳米触头材料的研究和开发过程中,加强纳米触头材料制备工艺研究和纳米触头材料的理论研究,有利于提高纳米触头材料电性能。 相似文献
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0引言
真空开关的性能与触头材料密切相关,任何一次触头材料的发展都会引起真空开关性能的提高或改善,触头材料开断能力的提高不仅会大大缩小真空灭弧室的尺寸,而且会使真空开关整机的结构隔更加紧凑,节约金属及其他材料,并可以提高真空开关的可靠性。CuCr是目前广泛应用于真空断路器的触头材料,为了提高开断能力,在其中加入高熔点材料钽。 相似文献
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