CVS技术在监控电镀铜槽液中的运用

介绍CVS技术在监控电镀铜槽液中有机添加剂的运用。文章首先将对电镀铜中的有机添加剂和CVS技术的电化学原理进行解说,然后对CVS分析仪对有机添加剂浓度进行测量的原理和CVS中有机添加剂程序的创建进行介绍,最后简要介绍CVS在有机添加剂来料查验、镀液污染值、碳处理情况等监控方面的运用,希望此文章能够对CVS化验分析人员对此仪器有更深一步的了解。     

用于监控电镀槽液的CVS技术

介绍CVS应用技术。CVS是目前半导体以及电路板业界最受广泛采用,监控电镀液中有机添加剂的技术。CVS精确分析所得的结果,可以用来作为离线或在线添加有机添加剂的依据,以保障槽液的品质。本文详细讨论CVS技术的电化学原理,并提供应用实例以作进一步解说。     

PCB通孔镀铜添加剂

高厚径比小孔通孔电镀是PCB电镀铜的重要环节。文章将介绍一种在普通高酸低铜电镀液中加入一种吡咯与咪唑的含氮杂环聚合物的通孔电镀铜添加剂,经过通孔电镀和CVS实验结果,证明该电镀液对厚度与孔径比达到10:1的小孔(Φ=0.25 mm)的通孔电镀能力达到百分之八十五以上,具有很好的实用价值。     

微导通孔填铜电镀的影响因素研究

由于印制电路板对高密度、高精度、高可靠性及低成本的强烈需求,常规的导通孔敷形镀技术已经不能满足高密度布线的要求,所以提出了微导通孔填铜电镀和微盲孔填铜电镀技术。通过在添加剂方面对影响微导通孔填铜电镀的因素进行分析,运用正交试验的研究方法,得到了添加剂的最优组合和配比,从而实现微导通孔的较好填充。     

添加剂对铜互连线脉冲电镀的影响

目前,铜互连技术已成为超大规模集成电路的主流互连技术,铜的填充主要采用Damascene工艺进行电镀。有机添加剂一般包括加速剂、抑制剂和平坦剂,它们在电镀液中含量虽然很少,但对于铜电镀的过程非常关键。以Enthone公司的ViaForm系列添加剂为例,研究了每种类型添加剂对脉冲铜镀层性能的影响。     

超大规模集成电路铜互连电镀工艺

介绍了集成电路铜互连双嵌入式工艺和电镀铜的原理;有机添加剂在电镀铜中的重要作用及对添加剂含量的监测技术;脉冲电镀和化学电镀在铜互连技术中的应用;以及铜互连电镀工艺的发展动态.     

印制板可焊性涂层的发展

印制板可焊性涂层早期有热涂、电镀等方法,70年代开发了焊料涂覆热风整平技术,就电镀锡铅合金镀液而言,光亮锡铅镀液逐步被高分散能力锡铅镀液代替,近年来在镀液配方上有所发展,一些非蛋白胨添加剂逐步取代蛋白胨添加剂,为了进一步克服印制板在锡焊时造成的种种弊病,又发展到采用阻焊涂层涂覆在裸铜上(SMOBC)的一种新工艺。     

不同浓度添加剂对铜镀层性能的影响

目前,随着集成电路规模的不断发展,传统的铝互连技术已由铜互连技术取代。铜的超填充主要采用Damascene工艺进行电镀。在电镀液中有机添加剂（包括加速剂、抑制剂和平坦剂）虽然含量很少,但对镀层性能的影响至关重要。本文以Enthone公司的ViaForm系列添加剂为例,研究了不同添加剂浓度组合对脉冲铜镀层性能的影响。     

不同浓度添加剂对铜镑层性能的影响

目前,随着集成电路规模的不断发展,传统的铝互连技术已由铜互连技术取代。铜的超填充主要采用Damascene工艺进行电镀。在电镀液中有机添加剂（包括加速剂、抑制剂和平坦剂）虽然含量很少,但对镀层性能的影响至关重要。本文以Enthone公司的ViaForm系列添加剂为例,研究了不同添加剂浓度组合对脉冲铜镀层性能的影响。     

电镀Zn、Cu、Ni、Cr及其合金的研究进展

论述了电镀单金属锌、铜、镍、铬及其合金的主要特性、应用和研究进展。电镀锌的研究重点是开发低毒、高效的复合添加剂,电镀锌基合金得到广泛应用。电镀铜及铜合金的研究重点是添加剂作用机理和电镀新技术的开发。电镀镍及镍合金的研究重点是采用新工艺技术改善镀层性能及电沉积机理的探讨。电镀铬的发展是研制复合促进剂改善六价铬镀液的性能、研制低毒的三价铬镀液以及代铬合金镀层的开发。     

PCB高稳定性中速化学镀铜工艺研究

主要研究微量添加剂对化学镀铜镀液沉积速率及镀液稳定性的影响,通过试验筛选合适的微量添加剂,在不改变化学镀铜镀液主反应物质含量的情况下实现镀速提高和镀液稳定性增加。开发出的高稳定性中速化学镀铜工艺,其性能满足PCB工业化生产。     

Factors influencing open circuit decomposition behavior of sulfur-containing additive component used in Cu plating for advanced interconnect metallization

Accelerated decomposition of organic additives during open circuit condition was observed only when both copper wire and oxygen are present in the copper sulfate solution. The data suggest that the accelerating mercapto species could form a complex with cuprous ions from copper anode in the plating solution. The copper complexes formed then undergo oxidation reaction and lose its original electrochemical activity by introducing byproducts. Adsorption behavior of various chemical components in the plating solution on the copper anode surface was found to have a significant influence on the sulfur-containing brightening agent degradation rate. The degradation mechanisms attributed to the interactions among different chemical components are also addressed and discussed.     

片式元件三层端电极技术

研制出了ZF410低应力镀镍、ZF305中性纯锡电镀液和添加剂,并在片式元件三层端电极上获得成功应用。介绍了该工艺的主要性能及具体工艺配方。该工艺解决了片式元件基材腐蚀问题,所镀产品质量稳定可靠,各项指标均符合IEC—384—10标准;实现了片式元件无损电镀工艺的国产化,降低了生产成本。     

以酒石酸钠钾为络合剂的常温化学镀铜液研制

常温化学镀铜溶液具有反应温度低、甲醛自我分解少、维护费用低等优点。为了寻找合适添加剂并确定各组份最佳含量,获得一种反应活性好,维护简单的沉铜液,文中通过设计七因素三水平正交实验的方法,综合研究了沉铜液中各组份对沉积速率、溶液稳定性、镀层外观的影响,确定了一种以酒石酸钠钾为络合剂,甲醛为还原剂,稳定性较好、沉积速率较高、镀层外观较好的常温化学镀铜配方。     

半导体硅上激光诱导选择性化学镀铜

利用YAG脉冲激光在n型硅基底上制备出了铜化学镀薄层,由激光剥离形成的微型图元通过化学镀铜工艺在硅基底上形成铜的微型结构。在化学镀工艺过程中为了使得化学镀铜沉积能够连续进行,要对基底表面先进行活化。实验表明,预处理及其后的清洗工艺对选择性镀膜质量影响很大;采用丙酮或硝酸水清洗,有助于获得清晰的微型图元结构。