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ESD与EMP对微波晶体管损伤机理研究 总被引:1,自引:1,他引:0
主要论述了电子装备中易受静电放电(ESD)和电磁脉冲(EMP)损伤的微波半导体器件的失效模式和失效机理.实验与理论分析结果表明,电流放大系数hFE是ESD、EMP损伤的敏感参数;在ESD、EMP的作用下,器件进入雪崩击穿状态(反偏注入),从而诱发热电子注入效应,使hFE逐渐退化;BC结反偏时的失效能量低于EB结反偏时的失效能量,BC结是EMP损伤的较易损端口;改进器件的结构设计、提高器件抗ESD、EMP能量,可有效提高电子装备抗电磁脉冲的可靠性水平. 相似文献
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国产半导体器件长期贮存试验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
分析了在北方实验室条件下,贮存25年的国产商用高频小功率晶体管的特性与可靠性,通过对10批共1460只器件的试验、检测,并与25年前的原始数据进行对比分析,发现了贮存器件存在直流放大倍数(HFE)退化、内引线开路、外引线可焊性失效三种失效模式,并对其失效原因、失效机理进行了分析.在考虑到现代技术可以消除的因素(用充干N2封装或已焊接使用),预计80年代的国产商用高频小功率晶体管贮存失效率水平小于10-7.用贮存25年的实物揭示了国产半导体器件贮存存在的主要失效模式,为国产半导体器件提高贮存可靠性提供了真实可靠的依据. 相似文献
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本文就我所在使用现场中失效的一些国产半导体器件的分析.给出了器件的主要失效摸式,并对失效原因作了初步探索,提出了改进意见. 相似文献
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某型号超低噪声场效应管使用3~5年后,在气候潮热区域和时期会集中出现饱和漏电流、跨导减小的参数退化现象.首先对失效器件进行了电特性测试、热成像分析、聚焦离子束(FIB)分析、能谱分析,通过故障树法排除了过电应力、结温过高、芯片自身缺陷等可能失效原因;其次结合失效场效应管钝化层薄、环氧胶封等工艺特点以及特殊的失效环境,通过推理假设,最终试验验证得出:低噪声场效应管在长时间高温高湿的环境下,水汽穿透场效应管的环氧胶粘合线进入管壳内部,在电场集中的漏极区域水汽发生电化学反应对芯片造成腐蚀,最终引起参数退化. 相似文献
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低温半导体器件以其优异的性能,可以满足军用和民用等领域中常规器件无法满足的特殊要求.低温微电子学日益成为微电子技术的重要的发展方向,而低温器件计算机模拟则是低温器件分析与设计的重要手段.本文着重讨论了常温下半导体器件的计算机模拟方法在低温下的蜕变及相应的对策,分析了导致常温下方法失效的主要物理参数的低温模型,并提出了低温器件模拟加速收敛的几种数值技术. 相似文献
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深能级瞬态谱(DLTS)技术应用于半导体器件的失效分析 总被引:2,自引:1,他引:1
费庆宇 《电子产品可靠性与环境试验》1999,(2):22-26
开展半导体器件管芯特性异常的失效分析,需要从原子分子的观点来解释器件电特性异常的原因,笔者把深能级瞬态谱(DLTS)技术应用于半导体器件的失效分析,测定了不同半导体器件的PN结构和肖特基势垒结耗尽层的微量重金属杂质和缺陷引起的深能级中心浓度,能级位置。用失效样品和正常样品的以上微观物理量的差异来解释半导体器件电特性异常的原因,得到了满意的结果。笔者用DLTS技术解决的失效分析问题包括:1.随频率的 相似文献
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本文论述了半导体器件失效的原因,并就如何提高器件的质量,尤其是可靠性的提高,从工艺角度和材料要求方面作了分析和探讨。 相似文献
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侯旎璐 《电子产品可靠性与环境试验》2023,(6):67-73
键合工艺技术是半导体封装环节中的重要技术方法,而键合系统相关的失效也直接影响着电子元器件的互连可靠性。虽然同为键合区域的失效,但失效机理却千差万别。针对性地讨论了Au-Al、 Cu-Al和Al-Al这3个键合系统中常见的基于材料特性和工艺过程的失效模式。结合相关实际案例,采用扫描电子显微镜(SEM)、 X射线能谱分析仪(EDX)、离子研磨(CP)等物理和化学分析手段,研究并分析了键合工艺开裂、双金属间键合退化、接触腐蚀和功率器件的键合丝退化等模式的失效机理,得到各种失效模式对应的失效原因为键合工艺参数不适配、金属间化合物(IMC)过度生长、原电池效应和金属层疲劳剪切力与形变等。通过列举的检测方法能准确识别器件的失效模式,并对症提出相应的改善策略,为提高键合系统的可靠性提供指导。同时,可以通过功率循环试验观测和识别功率器件的键合退化。 相似文献
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常用电路保护器件的主要失效模式为短路,瞬变电压抑制器(TVS)亦不例外.TVS一旦发生短路失效,释放出的高能量常常会将保护的电子设备损坏,这是TVS生产厂家和使用方都想极力减少或避免的情况.通过对TVS筛选和使用短路失效样品进行解剖观察获得其失效部位的微观形貌特征.结合器件结构、材料、制造工艺、工作原理、筛选或使用时所受的应力等,采用理论分析和试验证明等方法分析导致TVS器件短路失效的原因.分析结果表明引发TVS短路失效的内在质量因素包括粘结界面空洞、台面缺陷、表面强耗尽层或强积累层、芯片裂纹和杂质扩散不均匀等,使用因素包括过电应力、高温和长时间使用耗损等. 相似文献
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微电子器件多失效机理可靠性寿命外推模型 总被引:3,自引:1,他引:2
提出了一种新的微电子器件快速评价方法,具有快速、准确、成本低、能观察分析参数退化的全过程,能有效地分析器件的失效机理。它与常规方法不同,可对单样品求出不同失效阶段的失效激活能和寿命,根据其参数退化的温度范围可外推出单样品工作条件下的寿命。通过一定数量的对比试验,该方法与常规方法有可比性。 相似文献
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归纳了GaAs PHEMT器件的几种常见失效模式,并从6个方面分析了PHEMT器件的失效机理:热电子应力退化、氢效应、2DEG结构退化、欧姆接触退化、肖特基接触退化和电迁移. 相似文献