XTR101通用变送器

ＸＴＲ１０１是美国ＢＢ公司（ＢＵＲＲ－ＢＲＯＷＮ）开发的４～２０ｍＡ两线制变送器微型电路，具有良好的仪表放大器输入特性，低失调电压最大仅３０μＶ，低电压漂移最大仅０．７５μＶ／℃，是一个真正的两线制工作电路。它是一个用途广泛的通用型传感器接口电路，适用于温度、压力、称重、位置等传感器的信号变换。一、ＸＴＲ１０１结构原理ＸＴＲ１０１通用型变送器单片模块电路，具有把传感器的电压信号自动地变换成标准电流信号的功能。在一片电路上包括一个高精度的仪表放大器、一个电压／电流变换器和二个相同的１ｍＡ精密恒流源…     

XTR101通用变送器

ＸＴＲ１０１是美国ＢＢ公司开发的４－２０ｍＡ两线制变送器微型电路，它具有良好的仪表放大器输入特经的低失调是电压最大值仅３０μＶ，低电压漂移最大值仅０．７５μＶ／Ｃ，是一个真正的两线制工作电路，也是一个用途广泛的通用型传感器接口电路，适用于温度，称重，位置等传感器的信号变换。     

电荷泵稳压器LTC1502

<正> 电荷泵电路主要应用于将正电压转换成负电压的电压转换电路,另外,它也可用来组成倍压电路,使输出电压接近输入电压的两倍。本文介绍的LTC1502就是采用两个电荷泵电路组成的四倍压电路,它将输入电压提升近四倍后,再经稳压电路稳压,输出3.3V的稳定电压。LTC1502的结构框图如图1所示。 LTC1502主要有以下特点:(1)用一节可充电镍镉、镍氢电池或一节碱性电池供电就可输出3.3V稳定的电压,最低工作电压为0.9V;(2)输出电压精度为3.3V±4％;(3)输出电流为10mA(VIN>1V),最大输出电流可达15mA;(4)它是低功耗器件,工作电流仅为40μA;(5)具有关闭电源控制功能,在关闭电源状态下耗电仅5μA;(6)内部有短路保护及过热保护电路;(7)外围元件少。     

低功耗高动态范围CMOS图像传感器的设计

设计了一种低功耗高动态范围的CMOS图像传感器16×16像素阵列电路,采用条件重置的方法,钟控比较器的低功耗设计及相关时序电路的优化,在扩展CMOS图像传感器的动态范围下,极大地降低了系统的功耗.实验表明,基于标准CSM 0.35μm 2P4M CMOS工艺,用HSPICE仿真,动态范围最大可以达到普通传感器的4倍,在3.3 V下每列功耗仅为6.6μW.     

新器件简讯(20)

<正> 1微振动传感器 这是一种高灵敏度微功耗有源器件。它内含振动传感器件和高倍放大电路,故能感应到极微弱的振动信号。其输出的电压信号能直接推动后级电路。它由贴片元件装配而成。其工作电压为1.5～15V。3V时耗电小于150μA;6V时耗电小于300μA。其外形如图1所示。 它采用一根双芯屏蔽线输出信号,其中红线接电源正极,白线为信号输出线,屏蔽层接地。使用时应将传感器用高强度粘接剂粘在被测物体上,或用“Ω”形紧固件固定,传感器与被测物体接触越紧密,测试灵敏度就越高。图2示     

一种消除模拟TOF阵列探测器FPN的两级CDS电路

提出了一种新颖的两级相关双采样(CDS)电路,用于消除基于时间幅度转换器(TAC)结构的高密度光子飞行时间(TOF)阵列探测器的固定模式噪声(FPN)。相比于传统的全差分电路,该电路的结构更加简单,每一级仅使用两个开关管和一个采样电容。电路采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺制造,面积仅为40μm×35μm,静态功耗仅为301μW。测试结果表明,所提出的两级CDS电路具有99.98%的高线性度,在1.8 V电源下实现了0.9 V的宽输出摆幅,FPN总量减少了54%以上。提出的CDS方案可以有效消除阵列的像素级和列级的FPN,非常适用于基于TAC的高密度TOF阵列探测器。     

推荐一款4-20mA输入I/V转换前置处理电路

在与电流输出的传感器接口的时候,为了把传感器(变送器)输出的1-10mA或者4-20mA电流信号转换成为电压信号,往往都会在后级电路的最前端配置一个I/V转换电路,图1就是这种电路最简单的应用示意图。仅仅使用一只I/V转换取样电阻,就可以把输入电流转换成为信号电压,其取样电阻可以按照Vin/I=R求出,Vin是单片机需要的满度A/D信号电压,I是输入的最大信号电流。这种电路虽然简单,但是却不实用,首先,其实际意义是零点信号的时候,会有一个零点电流流过取样电阻,如果按照4-20mA输入电流转换到最大5V电压来分析,零点的时候恰好就是1V,这个1V在单片机资源足够的时候,可以由单片机软件去减掉它。可是这样一来,其     

红外传感器“唤醒”较大的系统

本文所示的传感器/监控器电路消 耗的电源电流极小,以致它可以 在一个笔记本计算机或PDA装置中持续工作(见电路图)。它的作用是在检测到红外(IR)信号时“唤醒”主系统。电路的特别小的电流消耗(最大4μA,一般2.μA)主要是比较器/参考器件IC1的电流消耗。     

电动窗帘红外遥控电路

发射电路如图1所示.YN5101是8位并行数据编码器,它采用CMOS工艺制造,工作电压2.2～5V(极限电压0～6V),静态电流仅3μA,因此不用设置电源开关.输入高电平VIH≥0.7VDD,输入低电平VIL≤0.3VDD,输入电阻最大50kΩ,输出驱动电流最小为1mA.     

电动窗帘红外遥控电路

发射电路如图1所示:YN5101是8位并行数据编码器,它采用CHOS工艺制造,工作电压2.2~5V(极限电压0~6V),静态电流仅3μA,因此不用设置电源开关。输入高电平VIH≥0.7VDD,输入低电平VIL≤0.3VDD, 输入电阻最大50kΩ,输出驱动电流最小为1mA。YN5101采用14脚DIP双列直插式封装,各脚功能如表1所示。石英晶体XT1与第(12)、(13)脚内部电路组成     

耗电低于50μA电流的生命特征监测器

图1所示的电路是一种监视病人生命特征,如脉搏、呼吸和体温等的远距数据采集电路,它只消耗很小的功率,使用廉价的传感器和电路。其数据采集部分使用了廉价的CD4000系列的CMOS集成电路,而且只从3V的电池消耗不到50μA的电流。本电路采用了和脉宽调制/频率调制(PWN/FM)电路联用的50×重复采样的∑-△模数转换器,从而在一个射频载波上构成三个数据通道。     

音频功放芯片中过温保护电路的设计

设计了一个适用于音频功放芯片的高精度过温保护电路。该电路以PTAT电流检测温度变化为原理,采用共源共栅电流镜,以正反馈结构实现了温度滞回功能,优化设计了启动电路。仿真波形显示,电路工作性能优异,在5 V电源下,功耗仅为0.4 mW。该电路已在0.6μm N阱CMOS工艺线上流片成功,电路总面积约为0.1 mm2,测试性能良好。     

具有超稳定零点的光隔离放大器

采集要求电流隔离的低电平信号,如来自有电噪声环境中的热电偶温度传感器的信号,会产生一个难以解决但有时是不可避免的设计问题.市售的隔离放大器,尽管使用方便而且也适合连接高电平信号,但是有很大的零失凋误差和漂移(每C分别为几mV和几十μV).这使得它们不适合处理某些传感器的微伏输出.与此不同,本文所描述的放大器的零失凋误差和漂移一般可达到3μV和0.01μV/C,这比通常的隔离放大器好三个数量级.它采用了斩波器稳定的微功率LTC1047 以及光耦合电路(见图).由于电流隔离器件对每一个通道都需要一个独立的隔离电源,所以此电路把使用方便性提高到最大限度,因为它具有独特的处理双极信号的能力,而     

一种电流检测传感器的原理与制作

该电流检测传感器专门用于检测电源和负载的交直流电流。它直接串联在电路和负载中,一旦负载接入或有微弱电流流过,该传感器就可以提供报警和控制输出,驱动继电器和其它控制电路。它的检测电路与控制输出端绝缘电阻高达109kΩ,隔离电压可以到3×103V以上,空载电流在50μA以下,使用起来非常方便可靠。电流检测传感器可以自动连动其它设备,起到自动检测开关的作用。经过继电器扩流后可以启动或关闭变压器、逆变器、电源等感性、容性及其它负载,其功能与普通负载传感器相似,但成本却很低。工作原理电路原理如图1所示。这里以220V交流供电为例…     

一个1.12Gb/s 11.3mW LVDS发射器设计

这篇文章提出了基于0.18μm混合信号CMOS工艺,工作在1.8V电源电压下的1.12Gb/s 11.3mW的发射器。该发射器采用了LVDS技术实现了高速传输,输出共模为1.2V。MUX和LVDS驱动电路对于发射器实现高速数据传输而言是很重要的。这篇文章提出了一个高能效的单级14:1 MUX和一个可调LVDS驱动电路,该驱动电路能够驱动不同的负载而仅增加很少的功耗。该发射器的芯片面积为970μm×560μm,实现了低功耗和可调驱动能力。     

CMOS磁敏/光敏兼容传感器集成电路的设计

研制了一种新型的磁敏传感器和光敏象限传感器兼容的集成电路。该传感器采用0.6μm标准CMOS工艺制造,设计并实现了磁敏传感器、光敏象限传感器及其兼容的信号处理电路的单片集成,并采用有源预处理电路和相关二次采样电路进行磁敏和光敏信号的采集和降噪处理,具有较高的磁场灵敏度(0.0361T-1)感光灵敏度(2V/lx.s),实现了在一个芯片上同时传感磁信号和光信号的功能。     

ISO 14443单芯片读卡机发射电路的设计

介绍一种新的CMOS功率放大电路,该电路既有开关型放大器的高效率的特点,同时又具备线性功率放大电路能输出可变包络的特点,而且可以根据实际需要对输出功率进行调节。电路在0.6μm工艺线上流片。经测试验证电路能在-20°C～80°C的温度范围内工作,工作电压范围为2.5V～5.5V,输出功率可在很大范围内进行调节,在5V条件下,最大输出功率可达6.25W。     

怎样选用元器件讲座(二十五)——位移传感器

位移传感器的一个显著特征,是不受振动位移方向所限,其灵敏度在各个方向都是一致的。位移传感器的型号为TV—1型,其外形如图1所示。它由内部电路、外壳、引出线等构成。其主要特性如下:耐压大于220V,触点电流大于1A,触点闭合电阻小于0.5Ω,振荡频率为1～25Hz,振幅大于10cm,工作环境温度为-30～-70℃。     

基于GMR传感器的4～20 mA两线变送器芯片设计

巨磁电阻(GMR)传感器具有灵敏度高、线性度好、磁滞小等优异的性能,在工业控制等方面应用广泛。在涉及信号长距离传输的应用中,电压信号容易受线阻影响而衰减,因此通常采用电流环路传递信号。基于GMR传感器,设计了一套4~20 m A两线制电流环系统,其中包括调理电路、V/I转换电路、I/V转换电路三个部分。此系统具有结构简单,增益可调,灵敏度高和抗干扰能力强等特点,能够在400 k Hz的频率下正常工作,满足恶劣环境下应用的指标要求。     

电路保护器件

瞬态电压抑制器阵列 两引线SMP6LCxx-2P和四引线SMLCxxC-2系列瞬电压抑制器陈列可为10/1000μs波形处理高达600W的峰值脉冲。它们是为了在tip-to-ground和ring-to-ground应用中满足辅助电话线路浪涌要求而设计的。 两种抑制器都有5.0V、6.5V和12V电路,并以SO-16封装供应。电容低于25pF。该系列产品满足ITU、EN和IEC的浪涌要求。