基于Saleh函数的功放行为模型研究

如何精确地模型功率放大器以及模型的适用情况是系统仿真时重要的研究方面.文中在原始Saleh模型的基础上,提出了基于Saleh函数的无记忆和有记忆的非线性功放模型.利用Freescale半导体晶体管MRF21030器件模型及设计的电路从ADS中导出输入输出数据,对两种模型进行了仿真实现,得出了归一化均方根误差,并和多项式模型误差进行比较.结果表明,该模型简化了原Saleh模型的结构和减少了系数,能够精确描述功率放大器的非线性和记忆效应,适用于弱非线性系统电路中.     

非线性射频功率放大器行为模型的分析与比较

为了设计和优化高线性功率放大器和通信子系统,系统级仿真中,构建功率放大器精确的行为模型是必要的.这篇文章阐述了功率放大器行为模犁的概念与类犁,详细给出了各种行为模型的算法,分析和比较了这些行为模型的适用情况和性能,同时提出了两种改进模型.通过分析和比较得出:当指定输入信号的类型、带宽和工作频率时,根据模型性能及其复杂度,能够选择一种合适的行为模型来表示功率放大器的特性;最后给出了射频功率放人器行为模型选择的原则.     

基于ADS的功率放大器仿真模型设计

针对射频功率放大器仿真设计中的问题,利用ADS仿真软件设计一个功率放大器仿真模型。在仿真设计中选择合适的晶体管模型,并采用负载牵引技术找到最佳匹配阻抗值完成匹配电路。仿真模型输出结果显示,在19 GHz处输出功率为35 dBm,增益附加效率约为60%,验证了该仿真模型的正确合理性。     

微波功率放大器非线性分析

本文介绍的是微波功率放大器非线性的分析方法，此方法对放大器的非线性性能进行有效的分析、计算，并通过实验对分析、计算结果给以验证，同时也为工程设计提供依据。     

微波功率放大器非线性特性分析

为判断微波功率放大器非线性失真的主要影响因素,首先,在传统幂级数模型的基础上对功率放大器的非线性幅度失真和相位失真进行拟合,基于包络分析法给出了功率放大器非线性失真与幅度和相位失真间的解析关系;其次,对幅度失真和相位失真引起的非线性失真进行了分析,给出了两者之间的等效失真关系式,据此可对任意给定的功率放大器进行分析,以确定非线性失真的主要影响因素,并用于指导模拟预失真线性化器的设计与调试;最后,通过对一Ka频段行波管放大器的非线性测试及模拟预失真线性化,验证了所提出的功率放大器非线性分析的正确性及幅相等效失真关系式的有效性。     

基于BESSEL函数的带通滤波器设计

本文以70MHz带通滤波器为例,论述了如何采用BESSEL函数进行精确带通滤波器设计,同时利用PSPICE和MATLAB软件对设计结果进行波特图和群延迟特性仿真。     

基于Volterra-Laguerre模型的D类功率放大器建模

D类功率放大器是现代电子系统的重要部件,它存在非线性特性。在D类功放中,电源噪声与输入信号互调,容易产生互调失真。文章基于Volterra-Laguerre模型研究D类功放中的这种非线性失真,应用Laguerre序列简化线性系统的原理,将Volterra级数模型拓展为Volterra-Laguerre扩展模型,该模型较传统Volterra级数模型减少了辨识量,提高了辨识速度。     

射频功率放大器的非线性研究

本文提出了一种基于幂级数法(Power级数法)的射频功率放大器的非线性带通模型;并对典型限带信号通过射频功率放大器后的频谱密度进行了分析与计算,对功率放大器的设计及其失真研究具有指导意义.     

基于RF MEMS开关的新型双频带功率放大器

RF MEMS开关具有低损耗、低功耗、尺寸小和易于集成等优点而被广泛应用于各种可重构射频电路及系统中。通过分析比较电容并联式和串联式RF MEMS开关两种电路结构的射频性能,设计了一种基于RF MEMS开关的新型功率放大器,使用RF MEMS开关控制匹配网络来实现双工作频带的转换。结果表明,设计的功率放大器在2.35GHz和1.25GHz两个工作频带下,功率附加效率(PAE)和输出功率(Pout)可分别达到72%、67%及40.8、42.7dBm。该功率放大器具有较高的功率附加效率和输出功率,适用于多频带的射频系统,对RF MEMS器件在可重构系统中的应用具有一定参考价值。     

宽带功率放大器的非线性研究

功率放大器更多时候是工作在饱和区,此时其非线性特性成为需要考虑的重要因素之一。在宽带功率放大器中,低频段信号的二次谐波也在其工作频带之内。当前级功放模块产生的二次谐波与基频信号同时进入末级功放时,产生的二阶交调信号频率与基频相同,对输出造成影响。文中从理论上分析了放大器的非线性表现形式以及产生的机理,介绍了 X参数的优势,利用NVNA网络分析仪提取X参数,并且使用ADS软件进行谐波平衡仿真,研究了宽带功率放大器中二次谐波的相位对基频功率的影响。     

一种射频功放记忆效应改善及模型简化方法

研究了一种改善射频功放记忆效应的方法并对所设计的低记忆功放进行了行为级建模.设计了10W峰值功率的射频功放,通过加载漏级低阻抗终端并结合最佳电流偏置的方法来减少功放的记忆效应.在建模过程中应用了Cao方法估计功放的记忆长度并进行了验证.基于上述技术,文中所设计的低记忆射频功放能够用简单模型精确描述.实验结果表明,对设计的低记忆功放,采用仅包含7个复系数的Hammerstein模型就可以得到-48.5dB的归一化均方误差(NMSE)指标.     

基于PSO_BP神经网络的射频功放行为模型

神经网络具有模拟任意非线性系统的优势。考虑到射频功放的非线性和记忆效应,在BP神经网络模型的基础上,提出一种基于PSO的BP神经网络射频功放行为模型。利用飞思卡尔(Freescale)半导体晶体管MRF6S21140器件模型及设计的电路,从ADS中导出输入输出数据,对模型进行了仿真实现,得出输出电压幅度的拟合曲线以及均方根误差,并与BP神经网络模型进行比较。仿真结果表明,所提模型具有较高的精度和较好的逼近能力,可以精确模拟功率放大器的特性,对系统仿真的构建具有重要的应用价值。     

微波放大器的非线性失真分析及线性化技术

针对当前第三代通信技术对微波放大器的线性度的要求,分析了微波放大器的非线性失真特性,介绍了几种提高线性化特性的技术方案,并比较了各自的优缺点。最后,基于功率回退技术研制了一个W-CDMA(Wide-Code Division Multiple Access)线性功率放大器,并给出了实验测试结果。     

双分支Hammerstein-Wiener射频功放行为建模及预失真

提出一种新的双分支Hammerstein-Wiener模型,对功放进行非线性行为建模及数字预失真研究.利用飞思卡尔半导体公司的MRF7S21170晶体管进行功放电路设计,从ADS中导出输入输出数据进行模型验证和预失真分析.仿真结果表明,该模型性能优于Hammerstein,Wiener和记忆多项式模型,具有较高的精度,能够精确模拟功率放大器的特性,经过数字预失真后,能抑制功放非线性引起的带内失真和频谱再生,对功放线性化技术的发展具有重要的应用价值.     

基于PSO_SVM的射频功率放大器模型研究

针对神经网络和支持向量机在射频功率放大器建模领域存在的优缺点,提出一种利用PSO_SVM算法对射频功率放大器进行建模的方法.从理论上分析了支持向量机(SVM)及粒子群优化(PSO)算法的相关原理,并将PSO_SVM算法应用到功放器件建模中.仿真结果表明,基于PSO_SVM的射频功放模型在模型精度、小样本学习和逼近能力方面均优于传统SVM模型和BP神经网络(BPNN)模型.     

一种基于记忆多项式射频功放的直接MP模型预失真方案

针对短波射频功放的非线性失真及记忆效应失真问题,提出了一种直接学习结构的MP模型预失真方案,采用Filtered-X LMS(NFXLMS)算法对建立的预失真模型进行训练辨识。仿真分析,针对MP模型高功率放大器,预失真后的三阶互调分量改善了52.2dB,五阶互调分量改善了48.85dB,与现有的IIR Wiener预失真器相比较,进一步提高了功放输出的线性度。同时,在DSP+FPGA平台上对MP模型预失真算法进行实测,结果表明,该预失真器能有效改善实际功放的非线性失真,具有较好的线性化效果。     

一种基于双通道非线性反馈架构的模拟域功率放大器线性化技术

该文提出一种在模拟域抑制功率放大器(PA)非线性失真的双通道非线性反馈架构,以改善PA线性度,减少邻道泄露。在该架构中,用于抑制非线性的电路包含非线性提取环路和反馈调整环路。非线性提取环路通过耦合器提取PA输入和输出信号,进行幅度和相位对齐后抵消线性信号,保留PA产生的非线性失真。反馈调整环路包含两条独立反馈通道,且信号通过非线性提取环路和反馈调整环路中两条通道分别反馈后的总时延具有两倍关系,使反馈环路呈现2阶Delta-Sigma结构形式,相比于单通道非线性反馈架构具有更好的失真抑制性能。并且通过所提方法配置反馈通道参数,可以实现不同目标频点下非线性失真的灵活抑制。最后设计了一个使用CMPA0060002F商用功放芯片的实验平台,对于带宽为40 MHz,载频为780 MHz的测试信号,在当前6 ns的硬件反馈时延条件下,可以使邻道功率泄露比(ACLR)单边带改善11 dB或双边带改善6 dB,且通过减小反馈时延能够取得更好的性能。     

单路反馈射频功放预失真线性化方法

该文基于记忆多项式模型,提出一种采用单路反馈的射频功放预失真线性化新方法,只需用正交解调后的IQ信号中的一路,就可完成对预失真器模型参数的获取。该方法可消除使用正交解调器所带来的增益和相位不平衡问题,且节省了一路反馈采样电路,在降低成本、简化设计的同时还能提高预失真线性化的性能。仿真和物理实验结果表明,该文提出的方法是正确的,能达到比较好的线性化效果。     

基于SiGe工艺的高增益射频功率放大器

基于0.13μm SiGe HBT工艺,设计应用于无线局域网(WLAN)802.11b/g频段范围内的高增益射频功率放大器.该功放工作在AB类,由三级放大电路级联构成,并带有温度补偿和线性化的偏置电路.仿真结果显示:功率增益高达30dB,1dB压缩点输出功率为24dBm,电路的S参数S11在1.5～4GHz大的频率范围内均小于-17dB,S21大于30dB,输出匹配S22小于-10dB,S12小于-90dB.最高效率可达42.7%,1dB压缩点效率为37%.