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相似文献
 共查询到18条相似文献,搜索用时 93 毫秒
1.
采用高温高压法制备出金刚石/铜复合材料,并对复合材料的显微组织及性能进行了研究.结果表明,采用高温高压法制备的金刚石/铜复合材料,组织致密;复合材料的热导率随金刚石含量的增加而下降,这主要是由于界面热阻对复合材料热导率的影响.  相似文献   

2.
使用热扩散法在金刚石表面镀钨,并采用不同工艺参数制备镀钨金刚石/铜复合材料,观察不同样品的微观形貌,并使用激光闪射法测量样品的热导率,探索制备高热导率金刚石/铜复合材料的最佳工艺参数。研究结果表明,在金刚石表面镀钨可以改善界面结合,当镀覆时间为60 min时,镀层完整、均匀、平整,样品的热导率达到486 W/(m·K)。镀层的完整性和均匀性比镀层厚度更为重要。进一步对镀钨金刚石进行退火处理后,镀层与金刚石之间的冶金结合增强,制备得到的复合材料的热导率提高到559 W/(m·K)。  相似文献   

3.
通过在金刚石表面镀钛来改善金刚石和铝基体之间的弱界面结合,并用气压浸渗法制备体积分数为60%的镀钛金刚石/铝复合材料。研究镀钛后金刚石颗粒的物相组成、不同镀层厚度和不同颗粒尺寸下复合材料的热导率;用H-J和DEM模型预测复合材料的热导率,并将预测结果与实验值进行对比。结果表明,镀钛后金刚石颗粒的物相由金刚石、碳化钛和钛三相组成;随着镀层厚度的增加,界面传热系数减小,复合材料的热导率减小;颗粒的尺寸越小,这种变化趋势越明显;相对于H-J模型,DEM模型更能准确地预测镀钛金刚石增强的复合材料的热导率;通过计算得出镀钛金刚石/铝复合材料的临界镀层厚度为1.5μm,当超过此临界镀层厚度时,镀层反而不利于复合材料热导率的提高。  相似文献   

4.
采用物理气相沉积技术,在金刚石表面镀上W层,然后采用放电等离子体烧结(SPS)制备金刚石/Cu复合材料,研究了镀膜时间对复合材料的热导性能的影响.结果 表明:随着镀膜时间的增加,金刚石表面W元素覆盖区域逐渐增多,复合材料致密度逐渐增大,热导率先增大后减小.当镀膜时间为30 min时,复合材料致密度达到91.3%,热导率...  相似文献   

5.
为研制更高热导率的产品,采用粉末冶金法将金刚石与高纯度铜粉热压在一起,制备新型金刚石/铜复合材料。通过正交分析法,研究了金刚石/铜复合材料热导率的影响因素。结果表明:用粉末冶金法制备的金刚石/铜复合材料,其热导率最高为245.89 W/(m·K)。对金刚石/铜复合材料热导率影响最大的因素是金刚石与铜粉的体积比,并且随着体积比的增大,金刚石/铜复合材料热导率逐渐下降。金刚石/铜复合材料的致密度以及界面结合程度是影响金刚石/铜复合材料热导率大小的重要因素,致密度高、界面结合好的复合材料热导率高,反之则低。   相似文献   

6.
采用高温高压法制备了铜/金刚石复合材料.通过正交实验法研究了复合材料中金刚石粒度的不同尺寸和对应的体积比、铜和金刚石的体积比及保压保温时间等各种因素对复合材料热导率的影响.结果表明:铜和金刚石的体积比因素对热导率的影响最大,而金刚石不同粒度的体积比影响最小.获得了基于提高复合材料热导率的最佳制备工艺条件是,配料中金刚石粒度尺寸为75μm和250 μm,金刚石大小粒度的配料体积比为1∶4,铜和金刚石的配料体积比为7∶3和保压保温时间为2h,该工艺条件下制备的复合材料热导率为238.18 W/(m·K).  相似文献   

7.
采用化学镀铜法对金刚石进行表面包覆,得到了不同铜和金刚石质量比的复合粉末,再通过进行放电等离子烧结(SPS),最终得到高金刚石体积百分含量(70vol%)的铜/金刚石复合材料.结果表明:化学镀铜包覆能明显改善所得烧结体中金刚石的分布情况;该复合材料的致密度有所提高,当金刚石体积分数达到70%时,其致密度在97.5%左右,并最终使其热导率上升,最高热导率为404 W/m·K.  相似文献   

8.
为研究金刚石/铜复合材料界面传热对其导热性能的影响,采用放电等离子烧结制备了添加0.4~1.0 mass%TiO2的金刚石/铜复合材料,分析了其微观结构、物相组成和热导率,研究了TiO2对金刚石/铜复合材料导热性能的影响。结果表明:TiO2的添加使金刚石表面变得粗糙,且在金刚石和铜的界面处形成了TiC过渡层;TiC过渡层有效地改善了金刚石和铜的结合,从而减少了裂纹及孔洞的形成,提高了声子传热效率;添加0.8 mass%TiO2的金刚石/铜复合材料的热导率为421 W·m-1·K-1,达到理论热导率的73%,相比未添加TiO2的金刚石/铜复合材料(186 W·m-1·K-1)提高了1.26倍。  相似文献   

9.
金刚石/铜复合材料在电子封装材料领域的研究进展   总被引:3,自引:0,他引:3  
金刚石/铜复合材料作为新型电子封装材料受到了广泛的关注。综述了金刚石/铜复合材料作为电子封装材料的国内外研究现状,介绍了金刚石/铜复合材料的制备工艺,并从材料科学的原理综述了该复合材料主要性能指标(热导率)的影响因素,同时对金刚石/铜复合材料的界面问题进行了分析,最后对金刚石/铜复合材料的未来应用进行了展望。  相似文献   

10.
金刚石/铜复合材料兼具低密度、高导热率数和可调热膨胀系数等优点,近年来成为新一代热管理材料的研究重点。通过理论、试验及模拟三个方向对金刚石/铜复合材料进行综述。回顾金刚石/铜复合材料的发展历程,总结金刚石/铜复合材料重要的颗粒混合理论模型及“三明治”复合结构经验公式,研究影响热导率和热膨胀系数等两大热学性能指标的重要因素,简述有限元模拟在金刚石/铜复合材料中的相关应用。其中,重点分析界面改性(活性改性元素种类和改性层厚度)对金刚石/铜复合材料导热性的影响。结果表明,通过界面改性、增加接触面积以及在较高温度和压力机制驱动下制备的金刚石/铜复合材料具有优异的热物理性能。最后由所得结论提出双峰金刚石、渗碳、大尺寸金刚石自支撑膜表面织构化等方法,可用来提升金刚石/铜复合材料界面结合强度和散热性能。  相似文献   

11.
人造金刚石由于其自身高的热导率、低的热膨胀系数和相对低的价格已成为制造新型散热材料的研究热点。本文主要介绍了近年来在金刚石/铝和金刚石/铜复合散热材料的致密度、合成方法、热导率、界面等方面的一些研究进展。添加活碳元素(硼、铬等)和在高压下使金刚石直接成键可能是提高金刚石/金属散热材料热导率的两种有效途径。  相似文献   

12.
The conductivity of a thermal-barrier coating composed of atmospheric plasma sprayed 8 mass percent yttria partially stabilized zirconia has been measured. This coating was sprayed on a substrate of 410 stainless steel. An absolute, steady-state measurement method was used to measure thermal conductivity from 400 to 800 K. The thermal conductivity of the coating is 0.62 W/(m×K). This measurement has shown to be temperature independent.  相似文献   

13.
The thermal conductivity of diamond hybrid SiC/Cu,diamond/Cu and SiC/Cu composite were calculated by using the extended differential effective medium (DEM) theoretical model in this paper.The effects of the particle volume fraction,the particle size and the volume ratio of the diamond particles to the total particles on the thermal conductivity of the composite were studied.The DEM theoretical calculation results show that,for the diamond hybrid SiC/Cu composite,when the particle volume fraction is above 46% and the volume ratio of the diamond particles to the SiC particles is above 13:12,the thermal conductivity of the composite can reach 500 W·m-1·K-1.The thermal conduc-tivity of the composite has little change when the particle size is above 200μm.The experimental results show that Ti can improve the wettability of the SiC and Cu.The thermal conductivity of the diamond hybrid SiCTi/Cu is almost two times better than that of the diamond hybrid SiC/Cu.It is feasible to predict the thermal conductivity of the composite by DEM theoretical model.  相似文献   

14.
本文针对国内外对高导热、低热膨胀系数的热沉材料需求,以金刚石为基体、硅粉为添加物,用国产六面顶压机在5.1 GPa,1 350~1 650℃的条件下,采用高压固液渗透法合成出金刚石/碳化硅陶瓷热沉材料,并对高压烧结体的相组成、密度与热导率进行了分析.研究结果表明:初始材料中硅含量、烧结时间与温度对烧结体的成分以及密度有...  相似文献   

15.
The effect of heat treatment on the thermal conductivity of plasma-sprayed Y2O3 stabilized ZrO2 (YSZ) and Al2O3 coatings was investigated. A heat treatment of 1300 °C in flowing argon for 50 h was found to significantly increase the thermal conductivity of the coatings when compared to measurements in the assprayed condition. Transmission electron microscopy (TEM) examination of the microstructures of the coatings in the as-sprayed and heat-treated conditions revealed that sintering of microcracks at the splat interfaces was the main cause for the increase in thermal conductivity. In the YSZ coatings, complete closure of microcracks was frequently observed. In contrast, microcrack closure in the Al2O3 coatings was characterized by the isolated necking of particles across a microcrack rather than complete closure. A model for thermal conductivity in a solid containing oriented penny-shaped cracks was used to explain the observed increase in thermal conductivity after heat treatment.  相似文献   

16.
为了赋予镁合金微弧氧化(MAO)涂层以导电特性,对MAO涂层进行化学镀铜处理。通过测试镀层的显微组织、耐蚀性和导电性,研究镀覆温度和络合剂浓度对化学镀铜层性能的影响。结果表明,最优镀覆温度为60℃,最佳络合剂浓度为30 g/L。在此条件下,可获得完整、致密的镀层。分析镀层在镁合金MAO涂层上的形成机制,提出镀覆过程的三阶段模型。镀后试样的表面方阻在经历第三阶段后降低至0.03Ω/。通过化学镀铜,MAO样品在未明显降低耐蚀性的同时获得了良好的导电性。  相似文献   

17.
The uniform diamond films with 60 mm in diameter were deposited by improved DC arc plasma jet chemical vapor deposition technique. The structure of the film was characterized by scanning electronic microcopy(SEM) and laser Raman spectrometry. The thermal conductivity was measured by a photo thermal deflection technique. The effects of main deposition parameters on microstructure and thermal conductivity of the films were investigated. The results show that high thermal conductivity, 10.0 W/(K-cm), can be obtained at a CH4 concentration of 1.5% (volume fraction) and the substrate temperatures of 880-920 ℃ due to the high density and high purity of the film. A low pressure difference between nozzle and vacuum chamber is also beneficial to the high thermal conductivity.  相似文献   

18.
研究了添加不同含量的Sn(3%,6%,9%,质量分数)对铸态、固溶态及时效态Mg-Sn二元合金导热性能的影响。结果表明,铸态及固溶处理态Mg-Sn合金的热导率均随着Sn元素含量的增加不断降低,其中Sn含量最多的固溶态Mg-10Sn合金所对应的热导率降低至52.6 W/(m·K);同固溶态合金相比,相同溶质含量的铸态合金的热导率更高。Mg-Sn合金的热导率随时效的进行逐渐升高,Mg-3Sn、Mg-6Sn及Mg-10Sn合金的热导率分别最终可达到125、120及110 W/(m·K)。分析表明,镁合金热导率的不断升高可以归结于基体的纯化效应,Sn元素的原子大小、核外电子分布以及化合价等均会对Mg-Sn合金的导热性能产生影响。  相似文献   

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