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高性能叠层片式电感(MLCI)材料研究进展 总被引:3,自引:0,他引:3
综述了用于制造叠层片式电感(MLCI)的材料--软磁铁氧体的低温烧结方法及各种低温烧结铁氧体材料的研究进展,简要介绍了叠层片式电感的制造与最新应用。 相似文献
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本文开展了对CaBi4O15基料的置换和掺杂的研究,获得一个较好Ca-(Na,Ce)-Bi-Ti材料系列,并在该材料系列的基础上再进行一元和多元掺杂,使它的d33值较CaBi4Ti4O15有较大程度的改善,其电阻率、电容和损耗的温度系数也均优于CaBi4O15,是一种较有开发潜力的高温压电陶瓷材料。 相似文献
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各向异性的粘结钕铁硼/铁氧体永磁复合材料的磁性能 总被引:2,自引:0,他引:2
采用高性能的各向异性HDDR-Nd-Fe-B磁粉和铁氧分与塑料复合,制成了各向异性粘结NdFeB/铁氧体复合永磁材料研究了它们的磁性能。结果表明,随HDDR-Nd-Fe-B含量增加,各向异性的塑料粘结HDDR-Nd-Fe-B/铁氧体复合永磁材料磁性能bHc和密度几乎是线性增大,而jHc,(BH)max和Bc开始都增大,当达到一定值后基本保持不变,出现一平台,随后又继续增大,但jHc与Br和(BH) 相似文献
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研究了碳相含量对原位合成的碳/陶复合材料(C-SiC-TiC-TIB2)的结构和性能的影响。结果表明:随着碳含量的增加,材料的 度下降,材料的烧结温度应随着碳含量增加相应提高,才能获得致密的碳/陶复全材料。 相似文献
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30~1000MHz铁氧体吸收瓦(尺寸为100mm ×100mm×厚度)在电磁兼容(EMC)领域具有广泛的应用。本文采用氧化物工艺制备NiCuZn尖晶石铁氧体,测试并分析了用Cu2+取代Ni2+及Co2+掺杂对材料复磁导率的影响。在900℃/2h预烧,1150℃/2b烧结,得到NiCuZn铁氧体相对复磁导率(μr=μ′r-jμ″)μ'r>110,μ″r>200(频率f=300MHz);通过对该材料优化设计,当铁氧体吸收瓦厚度 d=5.5mm,在 30~1000MHz,反射率 R<-12dB,在 f=50~800MHz,R<-15dB。 相似文献
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研究了烧结温度和掺杂对软磁锰锌铁氧体材料性能和微观结构的影响。采用传统成型工艺和冷等静压成型相结合,进行分段烧结,研究坯体的致密化程度和晶粒生长情况。烧结体的密度、微观结构和相组成分别采用阿基米德法、扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)进行测试分析。烧结体的磁性能用振动样品磁强计(VSM)来测定。结果表明:烧结温度在850℃时材料密度、微观结构和磁性能较好,但还未能达到高性能产品的标准,需要通过掺杂等其他手段进行进一步研究。 相似文献
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采用固相反应法制备低温烧结的Mg-Cu-Zn铁氧体(Mg0.68-xCuxZn0.32O)(Fe2O3)0.96(其中x在0.12~0.28变化),通过XRD对不同CuO含量的Mg-Cu-Zn铁氧体的成相进行了分析,研究了CuO含量及预烧温度对材料性能的影响。在此基础上,利用LTCC技术制作Mg-Cu-Zn铁氧体片式电感,结果显示,低温烧结的Mg-Cu-Zn铁氧体有望成为制备叠层片式电感器的基体材料。 相似文献
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低温烧结Z型平面六角结构铁氧体研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用两种氧化物低温烧结工艺合成了Z型平面六角结构铁氧体材料,研究了不同预烧工艺对低温合成Z型平面六角结构铁氧材料的影响;通过XRD、SEM、HP4191A研究了材料的结构,晶粒形态及有关磁性能;探讨了影响低温烧结铁氧体材料磁性能的可能因素。 相似文献
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采用传统固相反应法制备了Y1.05Bi0.75Ca1.2Fe4.4-xV0.6BxO12(Bx:Bi—CVG)系列铁氧体试样。借助XRD、SEM及MATS等技术手段研究了烧结助剂B20,对Bi—CVG铁氧体的体积密度、相组成、微观结构及磁性能的影响。研究结果表明,掺B可以有效降低Bi—CVG铁氧体的烧成温度,提高材料的烧结密度并且影响其微观结构和磁性能。在1040℃×6h条件下烧结、B掺杂量为x=0.025时,制备出综合性能良好的Bi—CVG铁氧体材料:室温时D=5.11g/cm^3,DR.T=97.2%,Bs=37.30mT,Br=25.54mT,Hc=0.87kA/m。 相似文献
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钾离子掺杂PZN基陶瓷的相结构和介电性能 总被引:3,自引:2,他引:1
采用复相混合烧结制备出掺杂钾离子的PZN基陶瓷,研究了钾离子对PZN-BT-PT三元系弛豫铁电陶瓷的相结构、介电性能的影响。结果表明,钾离子掺杂可使材料的居里温度向低温方向移动,降低陶瓷的介电常数,但可有效改善陶瓷试样的温度稳定性;复相混合烧结可以消除由于钾离子掺杂而引起的焦绿石相;二者结合可获得具有纯钙钛矿相结构,弥散相变度宽(-100℃),室温介电常数高,介电损耗低(0.011)的PZN基弛豫铁电陶瓷,并能显著提高材料的温度稳定性。 相似文献
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本文用GSMBE技术生长纯度GaAs和δ-掺杂GaAs/Al_xGa_(1-x)As结构二维电子气材料并对其电学性能进行了研究。对于纯度GaAs的GSMBE生长和研究,在低掺Si时,载流子浓度为2×10~(14)cm~(-3),77K时的迁移率可达84,000cm~2/V.s。对于用GSMBE技术生长的δ-掺杂GaAs/Al_xGa_(1-x)As二维电子气材料,在优化了材料结构和生长工艺后,得到了液氮温度和6K迁移率分别为173,583cm~2/V.5和7.67×10~5cm~2/V.s的高质量GaAs/Al_xGa_(1-x)As二维电子气材料。 相似文献
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在制备高质量的(Ba,Pb)TiO_3基高居里温度PTCR陶瓷时,一般采用铅气氛烧结方法。但是,这种烧结工艺制成的产品的相对成本是高的。作者的实验表明,高容量SiO_2掺杂烧结方法也可以用于制备高质量的(Ba,Pb)TiO_3基高居里温度PTCR陶瓷。本文主要报道高容量SiO_2对(Ba,Pb)TiO_3基高居里温度PTCR陶瓷烧结工艺和电特性的影响。 相似文献
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采用固相法制备了Ni0.2Cu0.2Zn0.6Fe2O4铁氧体,在850℃进行预烧结,通过添加不同量的Bi2O3-HBO3-ZnO(BBZ)助熔剂,在不同温度烧结成型。研究了烧结温度和BBZ添加量对NiCuZn铁氧体材料微观结构和磁性能的影响。通过XRD、SEM、VSM和磁谱分析,结果表明,BBZ的加入起到了良好的低温烧结作用,在不同的烧结温度下性能呈现一定的规律。加入2%(质量分数)BBZ、950℃烧结的NiCuZn铁氧体晶粒生长较均匀,饱和磁化强度为51.9emu/g,起始磁导率μ′=349.9,磁谱损耗角正切值tanδ在0.02左右。 相似文献
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本文研究了Fe76.5-xCu1NbxSi13.5B9纳米晶合金中Nb含量的变化(x=1-7)对结构和磁性的影响。结果表明,随x值的增高,α-Fe(Si)纳米晶相的尺寸减小,体积分数,含Si量及其DO3有序度降低。Nb含量对残余非晶相的结构有影响。合金的饱和磁致伸缩系数(λs)随x值的增加而增大,在x=3时,合金的起始磁导率(μi)最大,矫顽力(Hc)最小。 相似文献