静电氟粉末的制作工艺研究

主要研究静电氟粉末的制作工艺，影响因素及其影响因素间的关系，试验表明，ＳＰ添加剂的影响最大。     

微波ECR-PCVD技术制备Si3 N4薄膜的研究与应用

受电子器件芯片铝电极耐温性能的限制和钝化膜沉积工艺中高能粒子对芯片辐射损伤等因素的影响，一般的沉积方法难以用到要求较高的浅结器件的钝化工艺中。微波ECR-PCVD技术没有高能粒子对芯片的辐射损伤，可以在较低的温度条件下沉积出均匀致密、性能优良的Si_3N_4薄膜，因而成为微电子器件沉积钝化膜的最佳工艺。     

脉冲真空电弧离子源工艺参数对薄膜厚度分布的影响

薄膜厚度的均匀性是影响沉积方法应用的一个重要的因素，利用脉冲真空电弧离子镀技术在Si基片上沉积山类金刚石薄膜，采用轮廓仪对膜的厚度进行了测量，研究服不同工艺参数对薄膜均匀性的影响。实验结果表明：脉冲离子源阴极和基片的距离，主回路工作电压以及沉积频率对薄膜均匀性有不同程度的影响。根据分析结果，找出最佳工艺参数，通过比较两种离子源的结果表明，离子源结构对其镀膜均匀性有较大的影响。     

均匀设计法在Al2O3粉末超声化学镀铜工艺中的应用

用均匀设计法设计实验方案,采用在超声辐照下的化学沉积法制备了一种新型的Cu/Al2O3I粉末复合材料,探索了该技术中各种囚素对镀铜质量的影响规律,找到了表征这些规律的数学方程及化学镀铜的最佳工艺,化学镀铜的最佳工艺为:化学镀液的组成是CuSO4·5H2O 0.104mol/L、NaOH 0.541mol/L、酒石酸钾钠0.152mol/L、CH2O(37%)O.158mol/L(镀前现加).镀铜时间20min.     

五因子BOX设计在铝粉镀镍中的应用

研究了化学镀法制取镍包覆铝粉的工艺过程，通过安排五因子二次正交旋转试验，得到了各工艺参数的回归方程，结果表明，试验条件下镀液中硫镍和联氨国入量，溶液的ＰＨ值及温度是影响包覆质量的主要因素，在最优点附近获得包覆良好的复合粉末。     

超声电沉积制备纳米铜粉末的机理研究

利用超声电沉积法制备金属纳米铜粉,平均粒径30nm,分散性较好;利用XRD、TEM等进行了成分、粒度、形貌及结构分析,对影响纳米粉末制备的主要工艺因素进行分析和优化。试验表明,电流密度对纳米粉末形成起控制作用,表面活性剂和超声场对粉末分散更为重要。     

冷喷涂铜基陶瓷复合涂层沉积机理与结构性能优化研究进展

陶瓷颗粒与铜颗粒的热膨胀系数差异较大，故热喷涂的高温制备易导致涂层分层、开裂和失效。冷喷涂具有热输入低、不易氧化、沉积率高等特点，可以降低甚至避免高温冷却造成的相关缺陷，因此在制备高质量的铜基陶瓷复合涂层时的优势明显。本文首先对三种经典冷喷涂金属及金属合金涂层界面结合的基本概念和原理进行了概括，在此基础上对金属基陶瓷复合涂层的沉积机理进行了归纳总结；其次，从喷涂粉末制备工艺、喷涂前期基体状态和沉积过程工艺参数三个方面对铜基陶瓷复合涂层的组织结构和性能优化方法进行了梳理；最后，对冷喷涂铜基陶瓷复合涂层沉积技术和机理研究的发展方向进行了展望。     

微波ECR—PCVD技术制备Si3N4薄膜的研究与应用

受电子器件芯片铝电极耐温性能的限制和钝化膜沉积避高能粒子对芯片辐射损伤等因素的影响，一般的沉积方法难以用到要求较高的浅结器件的钝化工艺中，微波ＥＣＲ－ＰＣＶＤ技术没有高能粒子对芯片的辐射损伤，可以在较低的温度条件下沉积出均匀致密，性能优良的Ｓｉ３Ｎ４薄膜，因而成为微电子器件沉积钝化膜的最佳工艺。     

水热电泳沉积功能陶瓷涂层技术的研究进展

水热电泳沉积技术结合了水热法和电泳沉积法的优点,是近几年发展起来的制备功能涂层的重要工艺技术,有着良好的应用前景.详细介绍了水热电泳沉积技术的原理、影响沉积工艺的因素,概述了水热电泳沉积动力学并总结了该技术在制备功能陶瓷涂层上的应用.指出水热电泳沉积技术是很有发展前景的涂层制备工艺;在进行水热电泳沉积应用研究的同时,应进一步开展其理论研究,探索水热电泳沉积技术的原理,建立合理的具有指导意义的理论及数学模型.     

TiO2纳米粉的晶体结构及其粒度分布

采用热壁低压ＭＯＣＶＤ方法制备出了ＴｉＯ２纳米粉末。采用Ｒａｍａｎ散射、Ｘ射线衍射和透射电子显微镜等技术研究了载气流量稳定性、沉积温度和载气流量和载气影响规律。研究结果表明，当沉积温度为６００℃－１０００℃时，ＴｉＯ２粉末均为锐钛矿结构，载气流量不稳定容易使ＴｉＯ２粉末均为锐钛结构，载气流量不稳定容量使ＴｉＯ２纳米粉末的平均颗粒尺寸减小，可以使粒度布更加均匀。