消气剂在低真空中的吸气作用

红外探测器或其他电真空器件,由于各种原因,真空度下降,甚至不能正常工作。使用非蒸散型常温消气剂,可使真空度恢复并提高1～2个数量级,维持高真空8个月以上。这种消气剂可反复激活再生20多次。本文叙述实验过程和要求,得到了一些实验数据和结果。     

锆钒铁消气剂的应用

本文主要阐述了ＺｒＶＦｅ消气剂和ＺｒＡ１６消气剂的吸气性能，并推断出ＺｒＶＦｅ消气剂在真空灭弧室通用排气工艺中的吸气效果优胜于ＺｒＡｌ１６消气剂，最后通过大量的实验数据加以证明。     

普通CRT与平板显示器的真空问题及消气剂

与普通ＣＲＴｓ有关的真空和消气问题。消气剂需要不断地革新,尤其对于最近的平板显示器件,更需要特殊和复杂的解决放气的方法。本文回顾和讨论了ＣＲＴｓ用的蒸发性消气剂,以及新近才发展起来的非蒸散性多孔的消气剂。     

制造带有吸气剂的真空器件和红外探测器件的方法

抽气管３５内装有化学活性吸气剂３０，用来吸附抽真空器件管腔１２内的气体。本发明是使用一个或多个可移动的吸气剂３０先置于抽气管３５远离管腔１２的安全距离位置３６上进行加热激活。然后将吸气剂３０移向管腔１２并保留在密封的排气抽气端３１内。在排气管抽气端３１内装上一个真空渗透档板３２，以阻止吸气剂材料３０进入管腔１２内，防止破坏或沾污     

新型非蒸散消气剂的激活温度和吸气性能的实验研究

对主要成分为Zr和Co的新型非蒸散消气剂进行了活化温度及吸气性能的实验研究。实验表明其活化温度为200—250℃，对N2，H2等活性气体有很好的抽速，对惰性气体He等无抽速。     

铝合金无钎剂钎焊技术

针对铝合金无钎剂钎焊技术开发的需求,介绍了目前实现铝合金无钎剂钎焊技术的主要方法,并重点介绍了真空活性钎焊和超声波辅助钎焊两种无钎剂钎焊技术在铝合金焊接中的研究和应用现状,最后对铝合金无钎剂钎焊技术提出展望.     

真空／控制气氛无钎剂激光软钎焊系统的研制

结合激光软钎焊技术的特点，研制了真空／控制气氛无钎剂激光软钎焊系统，以便利用激光软钎焊的优点，进行真空／控制气氛下激光非接触加热的无钎剂技术研究。     

非蒸散型吸气剂维持红外焦平面探测器杜瓦组件工作真空度的性能与应用

实漏、虚漏、出气和渗透等气体源引起封离真空杜瓦腔体压力升高,活性气体H2、H2O、CO占的份额较大,H2的份额可达80%以上,NEG抽出活性气体获得和维持红外焦平面探测器杜瓦组件工作真空度。封离真空杜瓦寿命周期内产生的气体量与设计制造技术水平和真空获得工艺能力有关,不正确使用St 172将导致NEG不能发挥最大效能。根据文献和工程实践经验,分析探讨在特定使用工况下NEG的抽气性能参数和激活与再激活条件对真空维持性能的影响,指出大多数用户不允许电再激活NEG修理、必须正确使用无颗粒St 172/NP和注意相关的问题。     

微型金属复合杜瓦瓶漏热测试系统的设计

杜瓦瓶是红外探测器的核心组件,其质量会直接影响整个热成像系统的可靠性。为了能更好地检测杜瓦瓶的真空特性,本文设计了一套用来测试杜瓦瓶液氮保持时间的设备,通过测试器件开路电压、液氮挥发等参数确定杜瓦器件真空的性能变化。本文对杜瓦瓶漏热进行了理论计算,并且进行了大量实验。根据实验数据与理论计算的比较可以看到,该设备具有较好的测量精度,达到了预期的设计目标。     

真空度对红外探测器／D64JT7型系列杜瓦瓶性能的影响

介绍了真空度对本系列杜瓦瓶性能影响的研究方法和研究结果，得出了真空压强与热负载的关系曲线。从红外探测器使用出发，讨论了真空完善性、真空寿命、影响热负载指标因素等问题。     

真空设备泄漏检测技术

针对真空设备研制过程中和客户实际使用过程中真空设备出现漏气现象比较普遍,无法高效快速排除真空漏气的主要问题,结合工作实践经验,采用特种气体检测法、气泡检漏法和真空计检漏法三种技术,相互交叉结合使用,在最短时间内检出设备漏点,处理设备漏气问题,及时防护设备,节约生产维护时间。该技术具有直接性、快速性和便捷性,易学易懂。     

SiO_2钝化层对GaN基PIN结构核探测器漏电流的影响

成功地制备了有SiO2钝化层和无SiO2钝化层的GaN基PIN结构核辐射探测器,并对二者的I-V特性进行了测试。实验结果表明,SiO2钝化层的存在显著地降低了GaN基PIN结构核辐射探测器的反向漏电流,在-40V的反向偏压情况下,漏电流约有2个数量级的降低。实验过程中观测到随着反向偏压的增大,SiO2钝化层对器件反向漏电流的抑制效应更明显。建立了一种表面沟道模型解释了SiO2钝化层对漏电流的影响。     

一种新型红外探测器／杜瓦瓶的热耗计算

扫积型红外探测器是目前大量使用的一种新型红外探测器,在研制这种红外探测器时,应对这种探测器/杜瓦瓶的热耗(漏热)进行计算,以便对制冷器的制冷功率等参数提出合理的要求。本文从一般传热学原理出发,对该探测器/杜瓦瓶所发生的辐射、传导、焦耳热等漏热进行了计算,从而得到了该探测器/杜瓦瓶所消耗的热量——热耗,并与国内外有关资料、数据进行了比较。     

半导体设备真空与检漏

基于实际应用,介绍了半导体设备真空结构和真空室常用部件,讲述了He质谱检漏仪的使用方法.总结了真空检漏的经验,阐述了微漏难检的现状.分析了磁控溅射台和ICP真空故障,采用静压检漏法和He质谱检漏仪检漏法,给出了零部件微漏导致这些设备抽不上高真空的结论.指出今后的发展方向是真空部件小型化,以及根据设备特点来提高真空部件的可靠性.结果表明,先排除干扰因素,再细心检漏,可大大提高检漏效率,使设备尽快恢复正常.     

真空系统漏油情况的系统分析

以某微电子工程真空系统为例,对其漏油故障进行分析,并给出检修思路和故障排除方法。     

减少迷宫密封泄漏量的分析、设计与试验

通过迷宫密封泄漏量的计算,阐述了影响泄漏量的因素。分别对三种特性因素:密封齿形、节流间隙和节流口数进行分析。结果表明,圆形齿产生的泄漏量较大,尽量避免使用;节流间隙与泄漏量呈线性关系,取较小值密封效果较好;节流口数越多,泄漏量越小,但是随着节流口数增多,节流效果增加越不明显,并且经济成本较高,设计时需合理选用节流口数。试验也验证了光电转台迷宫密封满足工程应用要求。     

微光像增强器管壳内部真空度恶化分析研究

微光像增强器是重要的光电器件,本文研究该器件在制作过程中出现的部分像管工作寿命低的原因,根据潘宁放电原理,结合气体在材料中的扩散理论和气体在极其微小漏孔中的流动理论,对密封像管管壳内部真空度变化进行了检测和分析,提出引起管壳内部真空度下降的主要原因是像管管壳封接端面存在的缺陷.这对制备长寿命微光像增强器有很高的应用价值.     

真空氦质谱检漏原理与方法综述

介绍了真空氦质谱检漏技术的工作原理,综述了检漏技术的新方法,分别列举了测定漏点型和测定漏率型两种类型的真空检漏方法和实际应用,较全面地总结了真空氦质谱检漏技术的原理与方法。