MOD法制备YBa2Cu3O7—x超导薄膜

用Ｙ、Ｂａ、Ｃｕ的三氟乙酸盐溶液，通过ＭＯＤ法在ＳｒＴｉＯ３（１００）衬底上成功地制得了黑色的、表面光滑的ＹＢＣＯ超导薄膜。研究了两种理想的成膜烧结工艺，对膜进行了物相研究。结果表明：在８５０℃，潮湿氧气氛中烧结的薄膜具有一定的择优取向；而在７５０℃，潮湿的低氧气氛中烧结的薄膜则具有高度的ｃ轴织构，前者的Ｔｃ（ｏｎｓｅ）≈９０Ｋ，Ｔｃ０≈７９Ｋ，较低的氧分压似乎有利于ｃ轴结构。     

TFA-MOD方法制备YBCO涂层导体的研究进展

第2代高温YBCO涂层导体具有重要的应用前景，目前在世界范围内正展开制备YBCO涂层导体的研究。本文介绍了国际上用三氟乙酸盐-金属有机沉积（TFA—MOD）的方法制备YBCO涂层导体的工艺过程和主要进展情况，讨论了前驱溶液的合成和涂后热处理方法，以及YBCO超导层的形成机理。     

热处理工艺对无氟PA-MOD法制备YBCO超导薄膜的影响

采用无氟的高分子辅助金属有机物沉积（PA-MOD）法在（00l）LaAlO3单晶基底上制备了超导转变温度Tc = 90 K的YBCO超导薄膜。研究了高温热处理过程中不同成相温度和气氛湿度对制备高性能YBCO薄膜的影响。通过X射线衍射（XRD）θ-2θ扫描、ω扫描和φ扫描分析了不同热处理工艺制备的YBCO薄膜的双轴织构程度;通过扫描电镜（SEM）测试研究了不同薄膜样品的表面形貌;采用超导量子干涉仪测量了薄膜的超导转变温度曲线和磁化曲线。结果表明,770 ℃干燥气氛中成相的样品具有优异的双轴织构及平整、致密的表面形貌。采用该优化工艺制备的YBCO薄膜在77 K零场下的临界电流密度（Jc）达到2 MA/cm2,是其它工艺制备薄膜Jc的1.7~6.7倍。     

Mg掺杂InxGa1-xN薄膜的磁控溅射法制备和表征

本文采用磁控溅射法用In2O3靶、Ga2O3靶、Mg靶在Si片上制备出InxGa1-xN薄膜和Mg掺杂的InxGa1-xN薄膜。薄膜中的In组分随着Mg的掺杂而减少,因为Mg的掺杂抑制了In-N键的形成,并增加了Ga进入薄膜的机会。通过EDS对Mg掺杂的InxGa1-xN薄膜的分析表明,有1.4%的Mg组分被成功地注入进InxGa1-xN薄膜。电学性能分析表明 In0.84Ga0.16N 和Mg掺杂的 In0.1Ga0.9N薄膜导电类型由n型转变为p型,而且Mg掺杂的 In0.1Ga0.9N薄膜的空穴浓度和电子迁移率分别为 2.65×1018 cm?3 和3.9 cm2/Vs。     

室温球磨固相法制备镧掺杂纳米二氧化锡及其性能研究

以SnCl2.2H2O、C2H2O4.2H2O和La(NO3)3.6H2O为主要原料,采用室温球磨固相法制备La3+掺杂纳米SnO2。利用X射线衍射仪、扫描电镜、紫外分光光度计等分析方法,研究了掺杂量、焙烧温度对粉体粒径、吸收率的影响。结果表明,La3+的掺杂抑制SnO2晶粒的长大,并且随其含量的增加,抑制SnO2长大的效果更明显;La3+的掺杂明显降低了粉体对紫外光的反射能力,增加了粉体对紫外光的吸收能力;在焙烧温度为700℃、La3+掺杂量为2wt%时,得到了对紫外光吸收率最好的粉体。     

YBCO掺杂对铜基复合材料的组织及性能的影响

试验采用真空热压方法制备YBCO/Cu复合材料,利用光学显微镜观察了组织形貌,测定了材料的电导率、密度、硬度,研究了不同含量YBCO增强体对复合材料组织及性能的影响。结果表明,YBCO增强体含量较少时,其在基体中均匀分布,含量增大时,发生团聚现象。随着YBCO含量的增加,铜基复合材料的电导率、密度呈下降的趋势,硬度先上升后下降。YBCO含量为3%时组织均匀,硬度达到峰值。     

TiO2纳米晶薄膜溶胶凝胶法制备及其光学性能

通过溶胶凝胶浸渍提拉法成功制备了表面平整的氧化钛纳米晶薄膜.XPS结果确定了该薄膜的元素组成及价态.TG分析结果表明大量无定形Ti(OH)2向锐钛矿型TiO2转变发生在390℃左右.显微共焦Raman光谱确定了不同温度热处理所得薄膜的相结构.SEM形貌图显示TiO2薄膜表面粒子疏松,晶粒多在20nm～30nm之间.另外研究了Fe3+掺杂对TiO2薄膜光学吸收性能的影响.     

化学溶液沉积（CSD）法制备YBCO/Y2O3/YBCO薄膜

以Y2O3纳米颗粒伪层作中间层,用CSD法制备夹层结构的YBCO/Y2O3/YBCO薄膜。薄膜表面光滑致密,没有裂纹和空洞。XRD分析表明,YBCO/Y2O3/YBCO薄膜具有较强的c轴取向,其超导转变温度为92K,在60K零场下其临界电流密度达到6.9MA/cm2,表明YBCO/Y2O3/YBCO薄膜具有优良的超导性能。     

Na、Mg共掺杂ZnO薄膜的结构及性能研究

在玻璃衬底上,采用溶胶-凝胶法制备Na、Mg共掺杂的ZnO薄膜,Mg含量不变,改变Na的掺杂含量,研究掺杂浓度、退火温度及镀膜层数对薄膜结构和光学性能的影响.结果表明:薄膜形貌在550℃退火时较好;Na离子含量会影响薄膜(002)晶面的生长;镀膜层数增加,薄膜有明显红移现象并且透光率会降低.     

一步热处理制备氧化硼掺杂的YBCO超导膜

为了提高化学法制备长带YBCO的效率，传统的前驱膜多次热解过程需要被缩减为一次，热解后不经过降温直接连接YBCO的晶化过程。采用异辛酸铜替代三氟乙酸铜，可以缓解热解过程的集中放热，缓解前驱膜的收缩。适量硼酸被添加进1.0mol/L的前驱液，经过一次连续热处理，YBCO超导膜被制备出来。利用硼酸在200至500℃的流动态这一特性，氧化硼填充进YBCO气孔，所得YBCO膜更加致密、光亮，与同样条件无掺杂前驱液制备的YBCO对比，具有更高的超导电性。     

YBCO超导体先驱粉的制备新工艺研究

研究了一种高温超导氧化物YBCO先驱粉末BaCuO2（011粉末）的制备新工艺，在烧结过程中把烧结和研磨工艺结合应用，对不同烧结时间的粉末进行了XRD和DTA分析及SEM观测。结果表明，这种新的粉末烧结工艺制备BaCuO2先驱粉只需18h就可以保证BaCO3分解得比较完全，制得的（011）粉末粒度更细，熔点有所降低。因此这种新的BaCuO2先驱粉制备工艺在制备YBCO超导体工艺中具有实用价值。     

PECVD法制备掺硼纳米金刚石薄膜的工艺研究进展

首先详细介绍了金刚石作为半导体材料的优异性能,然后从应用角度阐述了NCD薄膜掺B后形成半导体材料的优势,接着探讨了影响NCD薄膜性能(电性能、光学性能、生物性能等)的主要工艺条件(包括硼源种类、掺硼浓度、衬底温度、后处理)。研究发现,大多数研究者都采用液态和气态硼源,而固态硼源由于很难液化且浓度不易控制而不常被采用,掺B后NCD薄膜的电阻率急剧下降,紫外波段下透过率可达51%,磁阻效应变好。另外衬底温度对BD-NCD薄膜的质量以及性能都有影响,衬底温度太高,非晶碳含量增加,金刚石质量下降;衬底温度太低,能够进入NCD晶界或晶粒的有效硼原子减少,影响其电学性能、光学性能,在最佳衬底温度工艺下的电导率可达22.3 S/cm,而在电化学性能方面,其电化学窗口可达3.3 V。而选择合适的硼源浓度对BD-NCD的电性能、光学性能、生物性能也非常关键,硼源浓度过大,BD-NCD表面粗糙度和晶粒尺寸增大;硼源浓度过小,产生空穴进行导电的B原子就少,在合适硼源浓度工艺条件下其载流子浓度可达1021 cm-3,折射率可达2.45。还有研究者对BD-NCD薄膜进行后处理工艺(退火、等离子体处理等),发现后处理对其电性能也有一定的影响。因此,选择合适的工艺对生长质量高、性能优异的NCD薄膜尤为重要。最后对BD-NCD薄膜的发展以及后续研究方向进行了展望和期待。     

温度对TFA-MOD制备YBCO薄膜的影响

采用TFA-MOD方法在YSZ单晶基底上制备YBCO薄膜,主要研究高温热处理阶段温度对薄膜微结构和超导电性的影响。采用X射线衍射和扫描电镜分别对相组成与形貌进行分析。结果显示在800～830℃之间,能够获得纯的YBCO相,同时随着晶化温度的降低,薄膜面内a轴晶粒减少,有利于薄膜超导电性的改善。     

基片斜切角度对YBCO薄膜微观结构及超导电性能的影响

研究基片斜切角度对YBCO薄膜微观结构及超导电性能的影响。采用脉冲激光沉积（PLD）法在0°～6°斜切（001）SrTiO3基片上制备了具有c取向的YBCO薄膜。用XRD和TEM对薄膜微观结构进行了分析，用标准四引线法测定薄膜电阻．温度关系，从而确定薄膜的超导电性能。结果表明，随斜切角度的增大，薄膜晶体质量下降，晶格弯曲畸变程度增大，超导临界转变温度降低，转变宽度增大。     

YBCO超导体先驱粉的制备新工艺研究

研究了一种高温超导氧化物YBCO先驱粉末BaCuO2(011粉末)的制备新工艺,在烧结过程中把烧结和研磨工艺结合应用,对不同烧结时间的粉末进行了XRD和DTA分析及SEM观测。结果表明,这种新的粉末烧结工艺制备BaCuO2先驱粉只需18h就可以保证BaCO3分解得比较完全,制得的(011)粉末粒度更细,熔点有所降低。因此这种新的BaCuO2先驱粉制备工艺在制备YBCO超导体工艺中具有实用价值。     

低氟溶胶-凝胶法制备F76.2 mmYBCO薄膜

采用低氟溶胶-凝胶法在Φ76.2 mm的LaAlO3(LAO)单晶衬底上制备YBCO薄膜,然后对Φ76.2 mm的YBCO薄膜样品的微观结构、膜厚及超导性能进行均匀性测试分析.结果表明:所制备的薄膜厚度均匀并具有较好的c轴外延生长取向和均匀的超导电性能.     

Si衬底Al_2O_3:Eu~(3+)薄膜的溶胶-凝胶法制备及其发光性能

采用溶胶-凝胶法在Si衬底上制备Al2O3:Eu3+薄膜;并采用DTA-TG、XRD、SEM、AFM及光致发光光谱对其进行一系列表征,分析Al2O3:Eu3+薄膜的发光机制,探讨热处理温度和Eu3+掺杂浓度对发光性能的影响规律。结果表明,采用溶胶-凝胶法制备工艺,得到发光强度高的Al2O3:Eu3+薄膜,薄膜的最佳激发波长为265nm,Eu3+的最佳掺杂浓度为10mol%,在265nm光激发下,最强的发射峰出现在617nm附近;采用溶胶-凝胶法制备得到Al2O3:Eu3+薄膜表面致密、平整且无裂纹产生,表面粗糙度约为1.4nm,有利于硅基光电子器件的制备和应用。     

YBCO厚膜用立方织构Ni基带的X射线衍射研究

用冷轧和再结晶退火技术制备了ＹＢＣＯ超导厚膜用的立方织构Ｎｉ基带。并且对所制备的立方织构Ｎｉ基带进行了Ｘ射线衍射研究。提出并讨论了Ｎｉ基带立方织构质量评价实验中容量出现的问题。