KTP电光开关

利用KTP晶体的有效电光系数γc1,制成电光开关,实验研究了它的热光效应,通过温控实现了晶体的静态双折射补偿,并将它成功地运用于调Q脉冲的削波整形     

无热致静态位相延迟、单块晶体结构的KNbO3和KTP电光开关

分析表明,当光在双轴晶体中波矢沿着某些特定方向传播时,不会表现出一阶热致静态位相延迟,这个方向暂时被称为晶体的无热致静态位相延迟光传播方向（ＮＴＳＰＲ方向）。根据前人发表的相关数据,采用适当近似,求得ＫＮｂＯ３的ＮＴＳＰＲ方向是（９０°,９０°±５０．１９°,５０．１９°）,ＫＴＰ的ＮＴＳＰＲ方向是（９０°±３０．７８°,９０°,３０．７８°）,并分别讨论了这两种晶体在这些方向的电光品质因数ηｅ,结果表明,利用某些双轴晶体ＮＴＳＰＲ方向大的电光品质因数制成的新型、单块晶体结构电光开关,不需要温控,而且,器件本身的通光长度可以做得更短。     

高平均功率热补偿电光开关

慨述了高平均功率激光器电光开关中产生的热光退偏和波前畸变，介绍了采用KTP和DKDP晶体热补偿电光开关的原理和技术。     

光纤电光开关实验研究

本文介绍一种以液晶为旋光材料的光纤电光开关。开关是与偏振不相关的,插入损耗L≤2.8dB,串音D≥22dB,驱动电压为3V。     

平均功率普克尔盒热效应数值模拟及应力双折射补偿

高能重复频率运转条件下,用作激光隔离、多程放大控制的关键单元普克尔盒遇到了通光口径限制与热效应的双重挑战.在分析电光晶体由于光吸收引起的温度场应变场的基础上,给出电光开关应用于平均功率激光系统中时,透射激光的波前畸变及退偏损耗.当入射激光为50 J\10 Hz,光束口径为660 mm×60 mm,填充因子为0.8时,波...     

用低压KTP普克尔盒和微带传输线进行调Q长脉冲的任意整形

利用新电光材料ＫＴＰ晶体的有效电光系数γｃ１,制成电光开关,实验研究了它的热光效应。成功地用它对输出脉宽为５０ｎｓ的ＮｄＹＬＦ单纵模调Ｑ激光削波整形。实验表明,ＫＴＰ普克尔盒的半波电压低及电容小,配合微带传输线后,能够获得脉宽为１～１０ｎｓ,形状几乎任意可调的整形脉冲,改变了过去那种只把普克尔盒当作简单的削波元件、而无整形能力的状况。并提出了采用双块晶体、补偿结构ＫＴＰ普克尔盒的设想     

1.3μm GeSi单波导低功耗电光开关的探索

分析了几次研制结果发现，注入载流子的收集途径、体电阻和发射区的面积是影响单波导电光开关功耗的主要因素。在此基础上，提出了一种Ｓｉ基ＧｅＳｉ单波导低功率电光开关新结构，经估算它的功耗约为３Ｖ×２０ｍＡ，即６０ｍＷ，比现有最好的１０Ｖ×３０ｍＡ，即３００ｍＷ低一个数量级。     

KTP（KTiPO4）晶体电光开关研究

介绍了ＫＴＰ晶体电光开关的设计;利用体式ＬｉＮｂＯ３晶体、ＫＤ＾＊Ｐ晶体和ＫＴＰ晶体做了光开关（斩波）实验。在开关脉冲宽度１２０ｎｓ￣１２００ｎｓ,升降沿５ｎｓ的情况下,实验证实ＬｉＮｂＯ３晶体开关过程伴有严重的压电耦合振铃结构,不能做为体式光开关工作;而ＫＴＰ开关的综合性能是最好。     

铁电液晶单池的制备与电光开关特性研究

采用改进的高分子膜摩擦法实现表面稳定模式铁电液晶的双稳电光开关特性，并对ＳＳＦＬＣ单池的特性进行了测试，对比度大于１４０，响应时间达１００μＳ。     

固体激光高重复率电光Q开关研究

对光学晶体的电光效应进行了深入地分析,应用谐振腔原理研制出折叠循环腔式高重复率电光开关.在电光晶体上施加小振幅的调制电压,可获得高重复率窄脉冲光信号,调制频率可达到60～100 MHz.这种电光开关可应用于电光Q开关、电光调制器、计数器等.     

La3Ga5SiO14晶体电光Q开关的研究

模拟旋光晶体在激光腔中作为电光Q开关使用时的工作状态．建立了研究旋光晶体电光效应的实验装置。通过对旋光晶体在正交偏光和平行偏光干涉实验中干涉现象的研究，得到了旋光晶体在激光腔中作为电光Q开关使用时的最佳构图，并将典型的旋光晶体La3Ga5SiO14成功地制作成了电光Q开关。     

温控高纯KTP内腔倍频Nd:YAG激光器

将高纯KTP晶体置于一温控炉内,利用温度调谐,在一声光调Q,直腔式Nd:YAG激光器中获得了高功率、高效率倍频绿光输出.最高倍频绿光输出功率超过38 W,倍频光输出功率的转换效率大于0.91%,不稳定度为±2.3%.高纯KTP与一般KTP相比,倍频效率提高了18.8%.     

新型反式聚合物稳定液晶光电薄膜的制备及性能

通过紫外引发相分散法制备了一种新型反式聚合物稳定液晶(PSLC)光电薄膜——平行反式PSLC,并提出其反式变色机理。此薄膜无需垂直取向剂,仅使用普通向列液晶5CB和合成的可聚合丙烯酸单体4′-(4-氰基苯基)苯氧基丁基-甲基丙烯酸酯(CPMA),紫外固化一定时间即可制得。在偏振光照射下其透光率随电压增加而降低,实现了光电薄膜的反式变色效果。通过偏光显微镜照片看出,单体CPMA中的极性棒状基团可以在固化过程中与液晶共同在取向层作用下取向,而不会破坏液晶分子的排列,使体系具有均一的折射率。因此尽管聚CPMA、聚丙烯腈和聚甲基丙烯酸甲酯折射率接近,但使用CPMA得到的反式薄膜的透光率(82.3%)比后两者(23.3%和18.9%)高得多。当向CPMA薄膜施加电场后,CPMA薄膜中部分液晶在聚合物网络限制下不能沿电场取向,它们与不受网络影响而沿电场取向的液晶形成折射率差异,薄膜呈不透明态,实现了光电薄膜的反式效果。当液晶与单体质量比为6:1时,反式薄膜的光电性能最好,阈值电压低于2.3 V·μm~(-1)。     

SZY-1型双折射测试仪电光调制信号源的改进

从电路模块化和程控的思想出发,对SZY-1型双折射测试仪的信号发生器部分进行了改进。用单片机通过软件编程产生方波信号,并用键盘控制其相位大小,取代了原来的硬件电路实现相位粗调和细调的方法。阐述了软件设计流程,并对改进后的电路进行了仿真,结果性能良好。     

光纤布喇格光栅应力双折射的研究

实验研究了侧向挤压作用下的光纤布喇格光栅(FBG)产生的应力双折射现象,提出了一种消除横向应力对温度交叉敏感的简单而又有效的方法,从理论和实验上进行了分析与验证.研究表明,对FBG施加侧向挤压产生的双折射导致普通光纤布喇格光栅存在两个满足布喇格条件的反射光谱,且双峰间距在100 ℃的温度范围内变化了0.055 nm,利用该双峰间距的变化可消除温度传感中横向应力对它的交叉敏感,实现对温敏系数的修正及温度的校正,实验中测得的原始温敏系数是0.013 8 nm/℃,对温敏系数修正了0.005 nm/℃,对变化的温度校正了4 ℃.     

电光调制系统设计

调制是光电系统中的一个重要环节.光辐射的调制是指改变光波振幅、强度、相位或频率、偏振等参数使之携带信息的过程.调制的目的是对所需处理的信号或被传输的信息进行某种形式的变换,使之便于处理、传输和检测.目前用得较多的是电光调制、声光调制等方法.文中介绍的电光调制系统主要是验证电光调制原理以及介绍电光调制在激光通信方面的应用,通过此系统了解晶体电光调制的原理和实验方法,以便在此系统中测量晶体的半波电压、电光系数和消光比等参量.     

外加电场下垂直腔面发射激光器的偏振转换电流

电光效应双折射可以控制垂直腔面发射激光器的偏振特性。本文计算了作用在垂直腔面发射激光器（VCSEL）的上面的分布格反射镜（DBR）上的外加电场产生的双折射,并在此基础上通过对自旋反转模型（SFM）的修正,得到面发射激光器在外加电场存在时的偏振转换电流。     

连续波内腔倍频KTP抗灰线实验研究

KTP是一种广泛应用于1064－532nm倍频的优良非线性晶体材料,但其应用也受到了“灰线”的限制。本文分析了连续波内腔倍频用KTP晶体灰线的产生原因及其危害。指出了连续波内腔倍频使用中,KTP晶体灰线的产生不同于脉冲和腔外倍频方式。一系列实验结果表明：在连续波内腔倍频过程中,导致KTP灰线产生的绿光功率密度阈值更低,时间累积效果更明显,恢复的难度也更大。