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分析表明,当光在双轴晶体中波矢沿着某些特定方向传播时,不会表现出一阶热致静态位相延迟,这个方向暂时被称为晶体的无热致静态位相延迟光传播方向(NTSPR方向)。根据前人发表的相关数据,采用适当近似,求得KNbO3的NTSPR方向是(90°,90°±50.19°,50.19°),KTP的NTSPR方向是(90°±30.78°,90°,30.78°),并分别讨论了这两种晶体在这些方向的电光品质因数ηe,结果表明,利用某些双轴晶体NTSPR方向大的电光品质因数制成的新型、单块晶体结构电光开关,不需要温控,而且,器件本身的通光长度可以做得更短。 相似文献
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用低压KTP普克尔盒和微带传输线进行调Q长脉冲的任意整形 总被引:4,自引:1,他引:4
利用新电光材料KTP晶体的有效电光系数γc1,制成电光开关,实验研究了它的热光效应。成功地用它对输出脉宽为50ns的NdYLF单纵模调Q激光削波整形。实验表明,KTP普克尔盒的半波电压低及电容小,配合微带传输线后,能够获得脉宽为1~10ns,形状几乎任意可调的整形脉冲,改变了过去那种只把普克尔盒当作简单的削波元件、而无整形能力的状况。并提出了采用双块晶体、补偿结构KTP普克尔盒的设想 相似文献
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分析了几次研制结果发现,注入载流子的收集途径、体电阻和发射区的面积是影响单波导电光开关功耗的主要因素。在此基础上,提出了一种Si基GeSi单波导低功率电光开关新结构,经估算它的功耗约为3V×20mA,即60mW,比现有最好的10V×30mA,即300mW低一个数量级。 相似文献
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KTP(KTiPO4)晶体电光开关研究 总被引:5,自引:0,他引:5
介绍了KTP晶体电光开关的设计;利用体式LiNbO3晶体、KD^*P晶体和KTP晶体做了光开关(斩波)实验。在开关脉冲宽度120ns ̄1200ns,升降沿5ns的情况下,实验证实LiNbO3晶体开关过程伴有严重的压电耦合振铃结构,不能做为体式光开关工作;而KTP开关的综合性能是最好。 相似文献
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通过紫外引发相分散法制备了一种新型反式聚合物稳定液晶(PSLC)光电薄膜——平行反式PSLC,并提出其反式变色机理。此薄膜无需垂直取向剂,仅使用普通向列液晶5CB和合成的可聚合丙烯酸单体4′-(4-氰基苯基)苯氧基丁基-甲基丙烯酸酯(CPMA),紫外固化一定时间即可制得。在偏振光照射下其透光率随电压增加而降低,实现了光电薄膜的反式变色效果。通过偏光显微镜照片看出,单体CPMA中的极性棒状基团可以在固化过程中与液晶共同在取向层作用下取向,而不会破坏液晶分子的排列,使体系具有均一的折射率。因此尽管聚CPMA、聚丙烯腈和聚甲基丙烯酸甲酯折射率接近,但使用CPMA得到的反式薄膜的透光率(82.3%)比后两者(23.3%和18.9%)高得多。当向CPMA薄膜施加电场后,CPMA薄膜中部分液晶在聚合物网络限制下不能沿电场取向,它们与不受网络影响而沿电场取向的液晶形成折射率差异,薄膜呈不透明态,实现了光电薄膜的反式效果。当液晶与单体质量比为6:1时,反式薄膜的光电性能最好,阈值电压低于2.3 V·μm~(-1)。 相似文献
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实验研究了侧向挤压作用下的光纤布喇格光栅(FBG)产生的应力双折射现象,提出了一种消除横向应力对温度交叉敏感的简单而又有效的方法,从理论和实验上进行了分析与验证.研究表明,对FBG施加侧向挤压产生的双折射导致普通光纤布喇格光栅存在两个满足布喇格条件的反射光谱,且双峰间距在100 ℃的温度范围内变化了0.055 nm,利用该双峰间距的变化可消除温度传感中横向应力对它的交叉敏感,实现对温敏系数的修正及温度的校正,实验中测得的原始温敏系数是0.013 8 nm/℃,对温敏系数修正了0.005 nm/℃,对变化的温度校正了4 ℃. 相似文献
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电光效应双折射可以控制垂直腔面发射激光器的偏振特性。本文计算了作用在垂直腔面发射激光器(VCSEL)的上面的分布格反射镜(DBR)上的外加电场产生的双折射,并在此基础上通过对自旋反转模型(SFM)的修正,得到面发射激光器在外加电场存在时的偏振转换电流。 相似文献
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连续波内腔倍频KTP抗灰线实验研究 总被引:4,自引:2,他引:2
KTP是一种广泛应用于1064-532nm倍频的优良非线性晶体材料,但其应用也受到了“灰线”的限制。本文分析了连续波内腔倍频用KTP晶体灰线的产生原因及其危害。指出了连续波内腔倍频使用中,KTP晶体灰线的产生不同于脉冲和腔外倍频方式。一系列实验结果表明:在连续波内腔倍频过程中,导致KTP灰线产生的绿光功率密度阈值更低,时间累积效果更明显,恢复的难度也更大。 相似文献