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论述了E^2PROM的设计技术,包括单元设计,升压电路设计,存储阵列设计等,然后扼要介绍了其工艺过程和关键工艺,最后给出了E^2PROM单元和电路的性能。 相似文献
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本文采用恒定电流应力的QBD测试来描述超薄隧道氧化层的质量。E^2PROM失效的内在机理是由于隧道氧化层中的电荷陷阱。并同时给同了QBD的测试方法。测试表明,使用8nm隧道氧化层,QBD〉5C/cm^2时可获得高质量的E^2PROM电路,擦/写次数可超过100万次。 相似文献
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X25043/45是一种电源监控,看门狗功能和高速,三线,非易失性存贮器组合在一块芯片上的多功能器件。本文主要介绍该芯片的特点,工作原理和典型应用。 相似文献
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串行E^2PROM AT24CXX的原理及应用 总被引:3,自引:0,他引:3
本文分析了美国爱特梅尔(ATMEL)公司生产的最新二线式串行CMOSE^2PROM芯片AT24C01/02/04/08/16的内部结构性能特点,读写时序,并说明了使用方法。 相似文献
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本文介绍了可编程看门狗监控E^2PROM芯片X5045的功能介绍及使用技巧,并附带了相关C代码源程序。 相似文献
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带I2C总线的E2PROM的驱动程序周航慈(华东地质学院,江西临川,344000)单片机在智能仪器、实时数据采集、自动控制系统中应用越来越广,为了安全可靠,很多情况下都需要对某些动态信息进行掉电保护,E2PROM在这方面就比较能发挥作用。在数据量不太... 相似文献
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采用实验研究的方法,通过比较分析阱注剂量,掺杂杂质类型及调整注入剂量对PMOS管开启电压的影响。很好地解决了开启电压的工艺控制问题,同时又保证了pn结击穿电压的要求,满足了E^2PROM研制的需要。 相似文献
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为了提高E^2PROM中N管源漏穿通电压,用实验的方法对制造工艺进行了研究。结果表明,高能量注入是提高VPT的有效手段,但受到pn结击穿的限制,只适用于低区短沟N管;DDD工艺大幅度高VPT,但pn结击穿电压低于20V,不能应用于高压MOS管;采用适量的防穿通注入和适当增大沟道长度为最理想的工艺途径。 相似文献
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提出了一种计算耗尽型N管夹断电压VTD的方法。该方法引用通常的VTD计算公式,式中难以确定的参数N由工艺模拟的结果导出,其他参数则由工艺参数导出。计算出的VTD用作制定实验方案的参考。 相似文献
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用I^2C总线实现串行E^2PROM与单片机PIC16C54的接口设计及应用 总被引:2,自引:0,他引:2
本文介绍的是串行E^2PROM与单片机PIC16C54的硬件连接,阐述了PIC16C54对24C02的读写程序,最后简述在报警系统中的应用。 相似文献