硬件控制的8k×8 SRAM/EEPROM U630H64原理及接口应用

Ｕ６３０Ｈ６４内含反相映射的８ｋ字节ＳＲＡＭ和８ｋ字节ＥＥＰＲＯＭ，通过命令可以将ＳＲＡＭ中的数据写入ＥＥＰＲＯＭ或把ＥＥＰＲＯＭ中的数据回送至ＳＲＡＭ，以备断电时的数据保护。该芯片所采用保护数据的方法是除ＮＶＳＲＡＭ、Ｆｌａｓｈ之外的一种独特的方法。本文介绍了该芯片的内部结构，并给出了与单片机的接口电路。     

PROM、EPROM可多次编程的两种方法

ＰＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ可多次编程的两种方法王连平本文介绍的两种方法可两次、甚至多次（依芯片剩余单元多少而定）对ＰＲＯ４、ＥＰＲＯＭ＄程。一般ＰＲＯＭ为熔断式的，即有熔断丝处为“１”，熔断丝烧断处则为“０”。出厂时，新ＰＲＯＭ内存单元每一位均为“１”。用...     

一种高速低功耗EPROM读写电路

本文主要介绍一种高速低功耗ＥＰＲＯＭ读写电路，包括ＥＰＲＯＭ单元管、读写电路，以及产生写ＥＰＲＯＭ所需高电压的高电压发生器，并着重分析了ＥＰＲＯＭ读写电路低功耗的特点。     

应用于存储卡中的新型EEPROM单元结构

通常的ＥＥＰＲＯＭ单元在应用于实际的存储卡时，因为进位而导致逻辑操作复杂，文中阐述了这种复杂性以及产生这种复杂性的原因，提出了一种新型的ＥＥＰＲＯＭ单元结构，并详细分析了这种结构对逻辑操作的改善，通过该结构与常规ＥＥＰＲＯＭ单元的应用加以比较，进一步说明了其优点。     

单片机程序的在线优化

目前，单片机控制系统中，程序存储器大都采用ＲＯＭ或ＥＰＲＯＭ，而数据则存放于内部或外部的ＲＡＭ或Ｅ２ＰＲＯＭ存储器中，使程序的改变和调试或者说在线优化较为不便，而数据的可靠性又不太高，抗干扰能力较差。本文介绍采用硬件电路来防止电路对可重写存储器的误写...     

EEPROM单元结构的变革及发展方向

扼要阐述了电可擦除可编程只读存储器（ＥＥＰＲＯＭ）发展史上的各种结构如ＦＡＭＯＳ、ＭＮＯＳ、ＳＩＭＯＳ、ＤＩＦＭＯＳ、ＦＥＴＭＯＳ（ＦＬＯＴＯＸ）等，比较了它们的优缺点，着重论述了ＥＥＰＲＯＭ结构今后的变革方向。     

一种新型EEPROM译码及读写电路

介绍了一种新型的ＥＥＰＲＯＭ译码和读写电路，包括ＥＥＰＲＯＭ存储单元、译码电路、读写电路和电太转换开关电路。阐述了普通ＥＥＰＲＯＭ译码及读写电路的工作原理，以及将其应用于实际ＩＣ卡系统中所存在的操作上的不足之处；提出了一种新型的ＥＥＰＲＯＭ译码和读写电路的工作过程与优点。电路模拟表明，该设计可以获得理想的结果。     

一种适合于ASIC应用的新的工艺技术—CMOS逻辑VLSIE^2PROM的单片集成

我们开发了一种新的工艺技术，实现了在ＣＭＯＳ ＶＬＳＩ制造中嵌入Ｅ＾２ＰＲＯＭ的制造技术。在此新工艺中，制造的是单层多晶硅的Ｅ＾２ＰＲＯＭ。与传统的双层多晶硅Ｅ＾２ＰＲＯＭ的工艺相比，减少了２５％的工序。通过采用三种不同厚度的栅氧化层，可以缩小在ＣＭＯＳＶＬＳＩ中嵌入的Ｅ＾２ＰＲＯＭ的器件尺寸。器件工作电压范围宽为１．５－６Ｖ，静态电流低于１００ｎＡ。     

EEPROM与flash Memory

本文主要介绍ＥＥＰＲＯＭ，ｆｌａｓｈ ｍｃｍｏｒｙ的技术发展，单元结构。比较了ＥＥＰＲＯＭ与ｆｌａｓｈ ｍｅｍｏｒｙ的优缺点与应用领域。     

超薄SiO2层的热生长

隧道小孔中超薄ＳｉＯ２的生长是ＥＥＰＲＯＭ电路制造的关键工艺之一。采用ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ工艺模拟程序对超薄ＳｉＯ２的热生长进行了工艺模拟，经过大量的工艺实验及优化，确定了超薄ＳｉＯ２的最佳生长条件，生长出的ＳｉＯ２性能良好，完全可满足ＥＥＰＲＯＭ研制的要求。     

新型HVSRAM及其应用

新型ＨＶＳＲＡＭ及其应用储云仙，曹凯ＮＶＳＲＡＭ是国外最近研制的新一代数据非易失型存贮器件；它既能象静态ＢＡＭ一样随机存取数据，又能象ＥＰＲＯＭ、Ｅ２ＰＲＯＭ等器件那样长期非易失地保存片内信息，它能在芯片掉电后自动保持片内信息十年；有的甚至能达到一百...     

FLOTOX EEPROM存储管的简单模型分析和实验研究

分析了ＦＬＯＴＯＸ ＥＥＰＲＯＭ的简单电路模型和擦写特性。实验研究了不同的器件结构参数和擦写脉冲对存储管特性的影响，表明隧道氧化层和多晶之间介质层的厚度对ＥＥＰＲＯＭ阈会晤窗口有很大的影响、采用指数上升波形或三角波形进行了编程可以改善ＥＥＰＲＯＭ的耐久性。     

FLOTOX—E^2PROM阈值电压的研究

本文讨论了理想情况下ＦＬＯＴＯＸ结构Ｅ＾２ＰＲＯＭ在斜坡脉冲作用下的阈值电压变化，并对隧道氧化层中存在净电荷时的情况作了讨论。模拟结果表明适当的斜坡脉冲电压可处ＦＬＯＴＯＸ结构Ｅ＾２ＰＲＯＭ的寿命。     

闪速存储器围歼EPROM

闪速存储器围歼ＥＰＲＯＭ自从几年前闪速存储器作为一种非易失性存储器在市场出现之后，ＥＰＲＯＭ（可擦可编程只读存储器）就面临着一场严重挑战，一些分析家早就预示ＥＰＲＯＭ的末日即将来临。由于蜂窝电话、调制解调器、基本输入／输出系统的储存以及无数其他嵌入式...     

可编程多路同步信号发生器的设计

文章以ＥＰＲＯＭ２７１６芯片构成“可编程多路同步信号发生器为例，介绍一种软硬件结合的ＥＰＲＯＭ编程设计方法，这种方法具有很强的通用性和实用性。     

BL7432／BL7442—2K位IC存储卡／加密存储卡集成电路

本文首先介绍ＥＥＰＲＯＭ和ＩＣ卡的芯片，然后概述了２Ｋ位ＩＣ专用的ＥＥＰＲＯＭ集成电路的特点和基本功能，并对电路的各功能块，命令了时序作了详细的描述，最后介绍了该电路的电性能参数。     

恢复坏损EPROM中的数据

恢复坏损ＥＰＲＯＭ中的数据王海春（成都航空工业学校，６１００６１）最近在维修一台进口医疗设备时，发现其控制系统中ＥＰＲＯＭ２７３２有问题。把２７３２取下来，用单片机开发系统读出其中内容，经过反汇编后发现程序某些部分已完全丢失。用软件分析方法去恢复程序...     

一种全功能2kb E^2PROM的研制

论述了Ｅ＾２ＰＲＯＭ的设计技术，包括单元设计，升压电路设计，存储阵列设计等，然后扼要介绍了其工艺过程和关键工艺，最后给出了Ｅ＾２ＰＲＯＭ单元和电路的性能。     

IC卡应用系统的可靠性与安全性

文章介绍了ＥＥＰＲＯＭ存贮器卡、加密ＥＥＰＲＯＭ存贮器卡、ＣＰＵ卡、智能卡、ＩＵ卡发行机、ＩＣ卡读写机、ＩＣ卡可靠性、ＩＣ卡信息安全性的特点，决定因素及其设计。     

无数据地址总线端口的MOTOROLA系列单片机与外部存储器的并行接口技术

本文提出了一种采用简单通用芯片与软件配合实现ＭＯＴＯＲＯＬＡ系列无数据地址总线单片机与外部存储器的并行接口方法，并以ＭＣ６８ＨＣ０５Ｃ８为例，描述了其与外部ＥＰＲＯＭ的连接方式和接口软件程序。