化学共沉淀粉体制备ZnO压敏电阻

本文采用化学共沉淀法制备了颗粒细、活性好的ZnO压敏电阻粉体,表征了粉体的性能．利用共沉淀粉体制备了α＝50、压敏电压高、通流能力大的压敏电阻．与传统氧化物机械混合粉体制得的压敏电阻比较,共沉淀粉体获得的压敏电阻微观结构均匀．     

不同粉体制备工艺对铌酸钠钾无铅压电陶瓷性能的影响

铌酸钠钾(KNN)基无铅压电陶瓷性能的提高可通过掺杂、取代和添加烧结助剂等方法来实现,还可通过适当改变陶瓷制备工艺来达到.为了探索可实用化的KNN陶瓷制备工艺,以纯KNN陶瓷的制备为例,考察了3种不同粉体制备工艺(包括传统固相反应法、原料中添加活性炭的固相反应法、以及粉体经分批预烧处理后再混合的固相反应法)对KNN元铅压电陶瓷的晶相、微观结构和电学性能的影响.实验结果表明:采用原料中添加活性炭的固相反应法制得的纯KNN陶瓷,其表面晶粒尺寸相对均一,晶界清晰,样品致密性好;所得的陶瓷样具有较好的介电、压电性能,其中d33=116pC/N,κP=0.37,e=630,tanδ=0.034,Pr=22.40μC/cm2,Ec=0.675kV/mm,Tc=405℃.     

导电硅藻土粉体制备及性能研究

采用化学共沉淀法制备硅藻土表面包覆锑掺杂二氧化锡导电粉体,并对制备工艺条件进行详细研究;采用X射线衍射、扫描电镜、透射电镜对样品进行表征,采用四探针仪测试样品导电性能。结果表明:最佳的制备工艺条件为:溶液温度40℃、反应时间1 h、pH为1、Sn4+与Sb3+的物质的量比为8∶1、包覆率为38%、700℃下煅烧1 h。硅藻土表面形成厚度为30 nm左右的金红石结构的均匀包覆层,样品体积电阻率最低可达18Ω.cm。     

共沉淀纳米粉体制备Yb:CaF2激光陶瓷及其性能研究

利用共沉淀法合成的粉体, 通过真空烧结结合热压烧结后处理制备了掺镱的氟化钙透明陶瓷(Yb:CaF₂)。在600 ℃预烧1 h, 700 ℃热压烧结2 h制备的5at%Yb:CaF₂透明陶瓷在1200 nm处的直线透射率达到92.0%。对陶瓷的显微结构、光谱特性和激光性能进行了测试和讨论。研究结果表明, 陶瓷样品的显微结构均匀, 平均晶粒尺寸为360 nm。此外, 计算得到Yb:CaF₂陶瓷在977 nm处的吸收截面和1030 nm处的发射截面分别为0.39×10 ^-20和0.26×10 ^-20cm ²。最后, 对Yb:CaF₂陶瓷激光性能进行了表征, 得到最大输出功率为0.9 W, 最大斜率效率为23.6%。     

陈化时间对Nd:YAG纳米粉体制备及性能的影响

以NH4Al(SO4)2·12H2O,Y(NO3)3·5H2O,Nd(NO3)3·5H2O为原料,碳酸氢铵为沉淀剂,研究了共沉淀法制备Nd:YAG纳米粉体过程中陈化时间对粉体性能的影响.采用pH计,FT-IR,XRD和TEM测试手段对其进行表征.陈化过程中PH值先减小后增大,XRD曲线显示共沉淀法中不同陈化时间都能得到纯相粉体,而24h所得粉体最好,粉体TEM图谱表明陈化24h所得到的粉体粒径更小,分散性较其他粉体更好.结果表明:共沉淀法制备Nd:YAG纳米粉体过程中陈化时间不影响纯相粉体的制得,但对粉体粒径大小及分布和团聚程度有直接的影响.陈化24h的粉体颗粒最小并且均匀,团聚很少.     

BSAS喷涂粉体制备工艺及其对涂层性能的影响

采用不同工艺制备BSAS(BaO-SrO-Al_2O_3-SiO_2)喷涂粉体。研究喷涂粉体特性及其对等离子喷涂工艺制备的环境障涂层结构和性能的影响。结果表明:粉体造粒工艺制备的BSAS喷涂粉体颗粒不均匀,流动性差。制备的涂层粗糙,孔隙率高,结合强度为24.1MPa;造粒烧结工艺制备的BSAS喷涂粉体表面圆滑,流动性好,沉积效率高。制备的涂层结构均匀,少孔隙,无裂纹,结合强度达到29.8MPa,涂层中BSAS相保留率最高,达到53.2%;熔融破碎工艺制备的BSAS粉体呈致密不规则块状,虽然流动性好沉积效率高,制备的涂层光滑且孔隙极少,但微裂纹较多,结合强度仅为14.2MPa,粉体经喷涂后发生相结构重组,BSAS相保留率为20.5%,对涂层的高温性能不利。分析认为,造粒烧结工艺制备BSAS粉体具有工艺过程简化、粉体质量好、相稳定性高等优点,更适合于等离子喷涂的要求。     

用包裹纳米复合粉体制备ZTA陶瓷

用非均匀成核法和液相共沉淀法相结合的方法制得ZrO2(3Y)包裹Al2O3纳米复合粉体,经干压成型,常压烧结制备ZTA复相陶瓷.通过XRD、TEM对粉料的物相组成和显微形貌进行表征,研究了包裹粉体中煅烧温度和ZrO2含量对烧结体的烧结性能和力学性能的影响.结果表明:随着前驱体粉料煅烧温度的升高,包裹后的Al2O3-ZrO2(3Y)复合陶瓷粉体比表面积降低,粒径变大;ZrO2含量为20wt.%的Al2O3-ZrO2(3Y)复合陶瓷粉体,经过1000℃锻烧后,干压成型制备的烧结样品的抗弯强度和断裂韧性分别高达454.9MPa和11.6MPa·m1/2,SEM观察结果表明烧结体结构致密.     

纳米SnO2粉体制备及影响因素

采用液相沉淀法，通过工艺参数的优化设置，成功制备出纯净的SnO2纳米粉体；经过X光衍射、扫描电镜分析，认为在合适工艺控制条件下，弱碱液相沉淀法可成功制备出粒度在100nm以下、金红石结构、稳定锡石相的纳米SnO2粉体。同时，本文对制备工艺中的影响参数进行了对比讨论。     

共沉淀纳米粉体制备Yb:CaF_2激光陶瓷及其性能研究（英文）

利用共沉淀法合成的粉体,通过真空烧结结合热压烧结后处理制备了掺镱的氟化钙透明陶瓷(Yb:CaF_2)。在600℃预烧1 h, 700℃热压烧结2 h制备的5at%Yb:CaF_2透明陶瓷在1200 nm处的直线透射率达到92.0%。对陶瓷的显微结构、光谱特性和激光性能进行了测试和讨论。研究结果表明,陶瓷样品的显微结构均匀,平均晶粒尺寸为360 nm。此外,计算得到Yb:CaF_2陶瓷在977nm处的吸收截面和1030nm处的发射截面分别为0.39×10~(–20)和0.26×10~(–20)cm~2。最后,对Yb:CaF_2陶瓷激光性能进行了表征,得到最大输出功率为0.9 W,最大斜率效率为23.6%。     

纳米BaTiO3粉体制备技术的研究进展及展望

本文对目前合成纳米钛酸钡粉体的主要方法进行了综述,详细介绍了各种制备方法,并分析了它们的优缺点,指出了纳米钛酸钡粉体合成未来发展的方向是在对合成BaTiO3纳米颗粒的过程机理进一步深入研究的基础上,改善工艺条件,研制、开发高产率、高质量且低成本的工业化设备。     

稀土掺杂YAG透明激光陶瓷的粉体制备研究

分别用尿素和碳酸氢铵作沉淀剂制备出性能良好的透明RE∶YAG(RE=Nd,Yb,Er)陶瓷粉体,并应用DTA-TG、XRD、SEM等测试手段分析其粉体结构和形貌.结果表明在适当温度煅烧过程中,失重约40%,所得到的RE:YAG粉末结晶性能良好,粒度在100-150nm之间.而且经烧结后的陶瓷断面气孔率低,多晶晶粒尺寸在1-2μm之间.本文亦对CO2的过饱和度对粉体的粒径大小及形成YAG粉的机理进行了探讨.     

化学共沉淀法制备纯相BiFeO_3粉体

以Bi(NO_3)_3·5H_2O和Fe(NO_3)_3·9H_2O为原料,稀硝酸为溶剂,氢氧化钠作为沉淀剂,采用化学共沉淀法制备铁酸铋前驱体,对前驱体进行煅烧处理得到BiFeO_3粉体。研究了沉淀体系pH值和煅烧工艺对BFO结构及光催化性能的影响。采用XRD、SEM对所制备的BFO粉体进行了表征。结果表明,沉淀体系pH值为8~11范围内,并于600℃下煅烧2h可得到纯相BFO粉体。该粉体具有优异的可见光催化性能,且随BFO的晶粒尺寸增大,其可见光催化降解率提高。     

粉体制备中的逆粉磨行为

通过在水泥制备过程中所发生的现象,初步探讨在粉体制备过程中"逆粉磨"行为发生的机理,并通过使用分散剂,证明分散剂能有效地推迟"逆粉磨"行为。     

前驱体制备途径对PFN-PMN二元铅基铁电陶瓷性能的影响

综合运用 ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＴＥＭ、ＥＤＳ和介电测量等方法,考察了一步预煅烧法和二步预煅烧法等前驱体制备途径对Ｐｂ（Ｆｅ_１／２Ｎｂ_１／２）Ｏ_３（ＰＦＮ）－Ｐｂ（Ｍｇ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３（ＰＭＮ）二元系铁电陶瓷显微结构和介电性能的影响．研究结果表明,对（１－Ｘ）ＰＦＮ－ＸＰＭＮ二元系而言,在所考查的组成范围内（Ｘ＝０～０.５）;其居里温度与ＰＭＮ的含量近似成线性关系,且随Ｘ的增加,居里温度向低温方向移动.峰值介电常数随Ｘ的增加而降低．（预）煅烧和烧结条件对显微结构和介电性能都有不可忽视的影响．对用一步预煅烧法和二步预煅烧法得到的样品的介电性能和其他性能进行了比较,并对其差异产生的可能机制进行了讨论．     

AlN粉体制备技术研究进展

直接氮化法和碳热还原法是现代规模化制备AlN陶瓷粉体的主要方法。本文结合最新研究成果,分析了这两大类A1N粉体制备方法的优缺点,探讨了今后A1N粉体制备技术发展需要解决的关键问题。     

Eu~(3+)掺杂的多孔锆酸镧粉体制备及发光性能研究

本文以LaCl_3、ZrClO_2·8H_2O为原料,乙醇和去离子水为溶剂,采用溶胶-凝胶法制得烧绿石型的锆酸镧粉体,并引入模板剂P123调控粉体中的孔道结构。采用XRD、SEM和BET研究了粉体的结构和形貌,并采用荧光光谱仪测量了Eu~(3+)掺杂的锆酸镧粉体的发光性能。研究表明,模板剂P123的引入有助于提高大孔数量,当溶液中P123含量为6.56 g·mL–1时,得到的锆酸镧颗粒中孔道丰富,平均孔径为43 nm,孔容为0.15 cm~3·g–1,在该锆酸镧粉体中掺杂Eu~(3+)后样品的发光性能显著增强,且猝灭浓度从9mol%提高到11mol%。     

纳米羟基磷灰石粉体制备工艺及影响因素研究进展

综述了纳米羟基磷灰石粉体的各种制备方法,分析了各种制备方法的优缺点,同时还评述了影响羟基磷灰石晶粒纳米尺寸的各种因素。     

纳米WO_3粉体制备工艺的研究与表征

在十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)/正丁醇/环己烷/水溶液(Na2WO4)组成的微乳液体系中加入浓盐酸制备WO3纳米粉体,并确定了最佳的制备工艺。利用XRD、TG、TEM、FTIR和UV-Vis等分析手段对产物的结构和性质进行了表征。实验结果显示,前驱物粉末经500℃恒温处理3h后,获得的浅黄色纳米WO3产物为单斜晶相,平均粒径约为55nm,呈类球形结构。     

SiC粉体制备技术的研究进展

作为一种新型的精细陶瓷,SiC材料以其优异的物理化学性能而日益受到重视,其中SiC粉体的制备方法及性能是影响SiC陶瓷材料性能的主要因素.综述了SiC粉体的制备方法及其最近研究进展,详细介绍了碳热还原法、机械粉碎法、溶胶-凝胶法、热分解法、自蔓延高温合成法和气相反应法,并对其优缺点进行了评述,展望了其将来的发展前景.     

纳米ITO粉体制备中试剂及影响因素的研究

铟锡氧化物（Indium tin oxide）是一种优良的透明导电氧化物材料。叙述并对比了目前制备ITO粉体的几种方法的优缺点。对其中的化学共沉淀法和化学滴定法，讨论了从铟锡化合物的物理化学性质来选择原料和沉淀剂，分析了制备过程中各种离子的浓度、沉淀时的温度、终点pH值、煅烧温度的范围及时间、分散剂等影响因素。