无锡设立首个国家工程实验室

江苏长电科技股份有限公司高密度集成电路封装技术国家工程实验室，近日经国家发改委批准设立。这是继苏州大学现代丝绸国家工程实验室之后，江苏省第二家、无锡首个国家工程实验室。正在建设中的国家工程实验室面积近1万平方米，是针对我国集成电路产业关键技术一一封装技术建立的国家级研发平台。至此，     

长电科技：无锡设立首个国家工程实验室

江苏长电科技股份有限公司高密度集成电路封装技术国家工程实验室，近日经国家发改委批准设立。这是继苏州大学现代丝绸国家工程实验室之后，江苏省第二家、无锡首个国家工程实验室。     

未来几年信息技术十大重点发展领域

1，集成电路技术 发展重点将集中在SIP（硅IP）重用技术，新一代高性能通用微处理器、SoC芯片系统技术、高密度IC封装技术以及22纳米～45纳米集成电路关键装备等领域。     

未来几年信息技术十大重点发展领域

1．集成电路技术发展重点将集中在SIP(硅IP)重用技术、新一代高性能通用微处理器、SoC(片上系统)芯片系统技术、高密度IC封装技术以及22～45nm集成电路关键装备等领域。     

芯片封装引线电性能的测试

随着集成电路的高速化、高集成化、高密度化封装的发展，封装引线的电性能对集成电路的影响越来越大，封装引线电性能的测试与控制也越显重要。     

陶瓷外壳封装的高引线数(VLSI的自动铝丝楔焊键合)

一引言随着集成电路芯片设计技术和制造技术的不断进步，使集成电路的复杂程度不断增加。同时，给集成电路的引线键合工作也增加了相当大的难度。目前国内的VLSI需键合的引线数一般达68～84根（国外最多的达500根引线以上）。由于集成电路的I／O数多，常规的DIP外壳已不能满足封装应用要求，而需采用高密度陶瓷外壳，如LCC、PGA、QFP等（国外已有uPGA、BGA等）。对于用LCC、PGA、QFP这类高密度陶瓷外壳封装的VLSI的引线键合，传统的手工键合已不能满足应用的要求，而必须采用半自动或自动引线键合技术。由于陶瓷外封装集成电…     

氮化铝共烧基板金属化及其薄膜金属化特性研究

大规模集成电路的发展,对芯片之间的互连提出了更高的要求,高端电子系统中高密度封装技术逐渐成为发展的主流。多芯片组件(MCM)是微电子封装的高级形式,它是把裸芯片与微型元件组装在同一个高密度布线基板上,组成能够完成一定的功能的模块甚至子系统。MCM还能够实现电子系统的小型化、高密度化,是实现系统集成的重要途径,在MCM中高密度布线的多层基板技术是实现高密度封装的关键。     

一种新型的封装发展趋势——圆片级封装

在军用电子元器件和民用消费类电路中,电子封装均起着举足轻重的地位。当今社会,电子技术日新月异,集成电路正向着超大规模、超高速、高密度、大功率、高精度、多功能的方向迅速发展,对集成电路的封装技术提出了愈来愈高的要求,使得新的封装形式不断涌现,新的封装技术层出不穷。文中介绍了一种新型的封装发展趋势——圆片级封装技术,主要详述了圆片级封装的概念、技术驱动力,列举了主要厂家圆片级封装技术的应用情况。     

A1tera与Amkor/Anam宣布联合推出高性能SBGA封装产品

领导高性能高密度可编程逻辑元件(PLD)市场的Altera Corporation率先推出采用Amkon/Anam SBGA(超级网络焊球阵列)封装的标准元件产品。 Amkor/Anam的SBGA封装技术提供了超薄及高性能的BGA封装元件,其性能胜于传统的表面接合封装。利用BGA技术,集成电路可直接安装在细小的电路板上。     

高密度集成与单芯片多核系统及其研究进展

在体积、重量和功耗有严格约束的情况下,系统小型化遇到多种技术挑战,为了满足高密度计算和小型化的要求,高密度系统集成和单芯片多核处理器至关重要。讨论了高密度集成与单芯片多核处理器技术及其研究进展,其中包括单芯片多核处理器(CMP)、片上网络(NoC)、3D集成电路、高密度封装。提出了CMP的两个发展特征,即小核大数量和层次型簇结构。指出高密度集成设计与高密度封装设计逐渐融合,并为单芯片多核系统的物理实现提供了技术保证,为最终实现高密度计算和小型化系统提供了硬件解决方案。     

新型莫来石瓷在高密度封装中的应用

描述了低介电常数，低膨胀系数新型莫来石瓷在高密度封装中的应用，从设计考虑、封装结构、工艺及电性能方面进行了探讨，以期获得满足高速、超高速集成电路使用要求的高性能封装。     

新型莫来石瓷在高密度封装中的应用

描述了低介电常数，低膨胀系数新型莫来石瓷在高密度封装中的应用，从设计考虑，封装结构，工艺及电性能方面进行了探讨，以期获得满足高速，超高速集成电路使用要求的高性能封装。     

PBGA向FBGA转变过程中的挑战

文章论述了微电子封装技术的现状与发展趋势。介绍了两种高密度集成电路封装形式：PBGA和FBGA的特性和应用。论述了高密度产品由FBGA替代PBGA封装过程中遇到的主要问题，并从焊线、锡球和PCB的电路线设计三个方面给出了短路的解决方法。同时，通过实例，比较了PBGA和FBGA封装工艺流程、封装所用主要材料、基板布局设计和产品的外形尺寸等。最后，给出了FBGA与PBGA相比较带来的经济效益和技术优势，以及FBGA替代PBGA产品的封装合格率和测试合格率．     

国内市场动态

国内液晶电视增长明显优于等离子，富迪科技携手中科信利开创语音处理技术新突破，中芯国际成都公司封装测试厂开业，电子工程与集成电路技术培训项目正式启动，太阳能电池等高科技项目落户安徽蚌埠。[编按]     

《电子与封装》2003年第3卷1～6期目次索引

(作者)期(页)、.产、.产、,Z、,声002,二2一一一一专家论坛硅集成电路发展趋势及展望501技术步人实用化IC产业发展中如何培养复合型工程人才我国半导体产业的现状及面临的问题综述21世纪中国:世界IC封装业中心国内外集成电路封装产业评述浅说半导体封装材料高密度封装纳米电子/光电子器件概述阵列波导光栅复用/解复用器新技术微波半导体功率器件及其应用封装与组装 产业论坛微电子封装的发展趋势光电子封装新世纪Ic封装的回顾和发展趋势展望国内模具业在国际化进程中必须加强行业整合2003,中国IC产业的新思路光电祸合器的封装及其发展积…     

高密度封装技术现状及发展趋势

综述了对半导体集成电路发展有深刻影响的微电子封装技术的现状 ,指出了适用于高密度封装的载带封装 (TCP)、球栅阵列封装 (BGA)、倒装片 (FCT)、芯片规模封装 (CSP)、多芯片组件 (MCM)、三维封装等关键技术及其发展趋势     

圆片级封装

<正> 1 引言圆片级封装(WLP)是一种先进的封装技术,它的芯片互连与测试都是在圆片上完成的,之后再切片,进行倒装芯片组装。多年来,引线键合技术一直是在电路板或衬底上粘接集成电路的一种特殊手段。WLP 是采用引线链合的最新一代生产技术。WLP 正在取代某些高密度引线键合手段,近年内有望成为一种低成本标准技术。此外,由于倒装芯片互连具有极佳的电性能,因此它将是高密度系统的     

微组装中的LTCC基板制造技术

微组装是指在高密度多层电路基板上,采用微焊接和封装工艺将构成电路的各种半导体集成电路芯片或微型器件组装起来,形成高密度、高可靠的立体结构.通过对微电子组装及LTCC基板制造技术国内外发展、应用概况介绍,分析了LTCC基板材料技术、低温共烧技术等关键技术的发展方向.     

叠层芯片引线键合技术在陶瓷封装中的应用

随着集成电路封装技术朝着高密度封装方向发展,同时基于系统产品不断多功能化的需求,出现了叠层封装技术。介绍了芯片叠层封装的传统引线封装结构,详细阐述了一种新型的芯片十字交叉型叠层封装结构,并结合这种封装结构在陶瓷封装工艺中的应用进行了具体实施与探讨,并进行了引线键合可靠性考核试验。通过试验研究表明叠层芯片引线键合技术也可广泛应用于陶瓷封装产品中。     

立足先进技术 打造国际领先封装企业

<正>江苏长电科技股份有限公司(简称长电科技)是集成电路封测产业链技术创新战略联盟理事长单位,中国领先的半导体封装测试生产基地,为客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案,荣获国家重点高新技术企业、中国电子百强企业、中国半导体十大领军企业等称号,拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站和我国第一家高密度