多晶硅薄膜疲劳特性片外测试方法

多晶硅是微机电系统(MEMS)表面制造工艺的主要结构材料,其疲劳特性是影响MEMS器件可靠性的一个重要因素,因而,研究多晶硅薄膜材料的疲劳特性具有广泛的实际意义.国外主要采用片上测试方法研究多晶硅薄膜的疲劳特性,本文发展了一种新型片外测试方法,利用压电驱动、电容位移检测和高精度CCD图像实时监控技术,全面测试了多晶硅薄膜的疲劳性能.并通过对实验数据的W e ibu ll方法处理,得到了拉伸状态下带缺口和不带缺口的多晶硅薄膜的应力-循环周次曲线.该方法大大降低了对试件制造工艺性的要求,能够有效地测量薄膜的疲劳性能.     

典型分解炉中硅烷分解沉积速率的研究

研究在典型硅烷分解炉中硅烷分解沉积多晶硅的沉积速率。硅烷分解沉积多晶硅实验在硅棒表面温度790～900℃、炉内气压5×10^4Pa条件下,探讨硅棒温度、硅烷流速与沉积速率的关系。结果显示：沉积反应活化能53．4kJ／mol。并与真空条件下沉积硅的过程进行对比,提出在典型硅烷分解炉中提高多晶硅沉积速率的可能途径。     

多晶硅制备方法及太阳能电池发展现状

为了降低太阳能级多晶硅生产成本,从而降低太阳能电池制造成本,促进太阳能光伏产业的发展．介绍了目前世界上多晶硅的制备方法及其优缺点,论述了多晶硅及太阳能电池的制备工艺方法和发展现状．国内生产表明,采用改良的西门子工艺技术生产的多晶硅纯度不高．根据中国太阳能电池产业发展中的问题,提出了多晶硅生产技术的发展趋势,即怎样改良技术进一步提高多晶硅纯度．     

定向凝固技术制备冶金法多晶硅的研究进展

冶金法多晶硅因其价格低廉、环境友好等优势逐渐成为制备硅基太阳能电池的主要原材料.定向凝固技术在多晶硅提纯和多晶硅晶体生长方面扮演着重要角色.本文主要综述近年来国内外采用定向凝固技术制备冶金法多晶硅的研究进展以及多晶硅铸锭缺陷等方面的研究,简要概述了近年来准单晶硅和高效多晶硅的研究进展.同时因其具有低成本、高转换效率的优势,二者都将是未来多晶硅的发展趋势.     

太阳能电池用铸造多晶硅的碳浓度分布研究

用傅里叶红外光谱仪(FTIR)测定定向凝固太阳能电池用多晶硅的轴向碳浓度分布.结果表明:实验样品的轴向碳浓度分布符合分凝规律.用经典分凝公式模拟该铸造多晶硅的轴向碳浓度分布,得到该铸造多晶硅的有效分凝系数为0.45.取硅熔点温度为定向凝固过程温度,通过BPS公式计算得到,碳在定向凝固过程中的扩散速度在4.72×10-8～4.72×10-7 cm/s的范围.     

半导体高温压力传感器的静电键合技术

分析了硅－玻璃静电键合机制，讨论了键合强度与玻璃表面、温度、键合电压的关系；通过缓慢降温等措施减小了键合后的残余应力。针对多晶硅高温压力传感器设计研制了一套装置，给出了其工作机制和键合电流－时间（I-t)关系。经大批量键合封接实验，键合的成品率达到95％以上，有效提高了多晶硅高温压力传感器的可靠性。     

国内硅烷法制备电子级区熔用多晶硅的进展

对硅烷热分解法制备多晶硅的工艺作了介绍,探讨了硅烷法制备电子级多晶硅的优势。硅烷CVD法所沉积的多晶硅,在电阻率、少子寿命、杂质含量等方面符合高纯多晶硅的要求,纯度不仅可以达到国标（GB/T 12963-2009）电子一级品的标准,还可以满足区熔用超高纯多晶硅的要求。合理控制反应条件、保持反应环境的高度洁净,能够得到均匀、致密的高纯多晶硅棒,可以作为区熔法生产单晶硅棒的原料。     

采用剥离技术的铝栅100位CCD模拟延迟线

本文提出一种以多晶硅为辅助层的剥离技术,运用该技术已研制成功铝栅100位CCD模拟延迟线.实验表明此项技术在长细线条、窄间距(2.5μm以下)、高集成度的金属化工艺中容易获得高的成品率.填在转移电极间隙的多晶硅层可以发挥度好的钝化作用.对于三相电极结构中互连“地道”的设计做了改进.     

高重频皮秒脉冲激光对多晶硅的损伤特性研究

为研究高重频皮秒脉冲激光对多晶硅的损伤特性,用不同重复频率的皮秒脉冲激光辐照多晶硅,用扫描电子显微镜对激光辐照后多晶硅的损伤形貌进行检测。探究了高重频皮秒脉冲激光与多晶硅相互作用的机理,得到了不同辐照时间和重频的皮秒激光对多晶硅的损伤规律。研究表明:多晶硅的损伤阈值随着皮秒激光重频的增加逐渐降低,当激光重频大于5k Hz时,多晶硅的损伤阈值达到一个"饱和"值,损伤阈值几乎不再随着重频的增加而发生变化。研究结果对低脉冲能量高重复频率激光加工具有借鉴意义。     

冶金方法在太阳能级多晶硅制造中的应用

多晶硅作为太阳能转换电能的基础材料,近年来受到广泛关注.本文综述了生产多晶硅的各种冶金方法,主要分析各种冶金方法的特点、发展趋势和可行性,并重点讨论了低成本生产太阳能级多晶硅的方法.     

Novel Formaldehyde Sensor based on Hydrogen Peroxide/Melamine Modulated Photoluminescence of Nitrogen-doped Graphene Quantum Dots

A modulated photoluminescence nanosensor was developed for the quantitative detection of formaldehyde with nitrogen-doped graphene quantum dots and melamine. The sensing system was based on the different activated effects of melamine and hydrogen peroxide on the photoluminescence intensity of nitrogendoped graphene quantum dots. Under the optimal conditions, the modulated photoluminescence sensing system can be used to detect formaldehyde with a good linear relationship between the nitrogen-doped graphene quantum dots photoluminescence difference and the concentration of formaldehyde. The novel sensing system provided new directions for the detection of formaldehyde with high selectivity and quick response.     

退火对nc-Si镶嵌复合薄膜结构及发光特性的影响

采用减压化学气相沉积方法，依靠纯N2稀释的SiH4气体的热分解反应，在玻璃表面生长了纳米硅
镶嵌的复合薄膜.实验研究了退火前后薄膜样品的结晶状态和光致发光特性.结果表明，未退火样品的光致
发光特性随沉积温度升高反而减弱.当退火温度＞600℃时，晶化趋势明显；当退火温度＜600℃时，对晶
化的影响不显著，但提高退火温度或延长退火时间可以增加光致发光谱(PL)强度.通过HRTEM分析证实了薄
膜为纳米硅镶嵌复合的特殊结构.并通过Raman、PL、HRTEM的比较分析，认为在退火前后分别有两种不同
的发光机制起主导作用.     

p型轻掺多孔硅的发光特性研究

采用阳极氧化法在p型轻掺硅片上制备多孔硅,研究了电解液配比、电流密度和反应时间对多孔硅发光性能的影响.实验研究发现多孔硅形貌随氢氟酸浓度而变化,电流密度、电化学腐蚀时间对多孔硅的发光均有影响.随着氢氟酸浓度和电流密度的增大,多孔硅的光致发光光谱强度先变大后减小;随反应时间的延长,多孔硅的光致发光光谱峰强度增强.氢氟酸浓度、电流密度和反应时间对傅立叶红外光谱中与Si-H、Si-H2键相关的振动峰具有明显影响,且与发光强度的变化相对应.结合多孔硅的成核理论、量子限制理论以及红外光谱中Si-H、Si-H2键红外振动峰的变化解释了上述现象.     

光致发光稀土-高分子配合物的研究进展

阐述了光致发光稀土有机配合物的发光机理，分析了影响发光强度的主要因素，重点综述了光致发光稀土-高分子配合物的研究进展，归纳总结了光致发光稀土-高分子配合物的几种主要制备方法．光致发光稀土-高分子配合物既具有优异的发光性能，又具有良好的成型加工性能，是一类新型荧光材料．制备键合型稀土-高分子且同时引入小分子配体是获得高性能光致发光稀土-高分子配合物的主要途径．     

光致发光稀土-高分子配合物的研究进展

阐述了光致发光稀土有机配合物的发光机理,分析了影响发光强度的主要因素,重点综述了光致发光稀土-高分子配合物的研究进展,归纳总结了光致发光稀土-高分子配合物的几种主要制备方法.光致发光稀土-高分子配合物既具有优异的发光性能,又具有良好的成型加工性能,是一类新型荧光材料.制备键合型稀土-高分子且同时引入小分子配体是获得高性能光致发光稀土-高分子配合物的主要途径.     

Photoluminescence properties of ZnO thin films prepared by DC magnetron sputtering

ZnO thin films were prepared by direct current（DC） reactive magnetron sputtering under different oxygen partial pressures And then the samples were annealed in vacuum at 450 ℃. The effects of the oxygen partial pressures and the treatment of annealing in vacuum on the photoluminescence and the concentration of six intrinsic defects in ZnO thin films such as oxygen vacancy（Vo）, zinc vacancy（VZn）, antisite oxygen（OZn）, antisite zinc（Zno）, interstitial oxygen（Oi） and interstitial zinc（Zni） were studied. The results show that a green photoluminescence peak at 520 nm can be observed in all the samples, whose intensity increases with increasing oxygen partial pressure; for the sample annealed in vacuum, the intensity of the green peak increases as well. The green photoluminescence peak observed in ZnO may be attributed to zinc vacancy, which probably originates from transitions between electrons in the conduction band and zinc vacancy levels, or from transitions between electrons in zinc vacancy levels and up valence band.     

LaPO4：Ce^3＋，Tb^3＋／YBO3纳米核／壳复合结构的制备与发光性能

采用水热法＋溶胶凝胶法两步合成工艺制备LaPO4：Ce^3＋,Tb^3＋／YBO3纳米核／壳复合结构,并利用X射线衍射、透射电子显微镜对样品的结构、形貌进行了表征。荧光光谱分析表明,该纳米复合结构大幅度提高了发光效率,可能是由于YBQ壳层材料降低了LAP纳米荧光粉的表面缺陷和表面复合,使得非辐射跃迁几率增加;同时核壳摩尔比对发光效率具有重要的影响,当核／壳摩尔比为6：1时,发光效率比LAP纳米荧光粉提高近58％。     

实时联合傅立叶变换相关识别在车牌字符识别中的应用

在光学联合傅立叶变换相关识别的基础上,将参考图像与车牌目标图像的联合变换功率谱及相关输出强度分布输入计算机进行处理,提取并量化谱面上有用的信息,依据相关输出图像相关峰及其锐度对相关程度进行实时量化评价,实验结果非常理想,且较其它方法操作简单.     

射频放电等离子体激励对激波/边界层干扰的控制效果

在空气静止、气压为12 kPa（对应超声速风洞试验段的气压）条件下,研究射频放电等离子体的光谱特性;在马赫数为2的超声速来流中,研究射频放电等离子体激励对激波/边界层干扰非定常性的控制效果. 实验结果表明：在相同的激励频率下,随着加载功率的增大,表征电子温度的相对光谱强度增大,而表征振动温度和电子密度的相对光谱强度基本保持不变;保持加载功率不变,随着激励频率的增大,表征电子温度的相对光谱强度先增大后减小,而表征振动温度和电子密度的相对光谱强度没有明显变化. 在未施加激励时,激波振荡的主导频率为低频;在施加射频放电等离子体激励后,激波低频振荡减弱,高频振荡增强,激波特征频率从低频转向高频,再附边界层出现高能量漩涡结构.     

Effects of Heat-treatment Temperature on Eu^3＋ and Li^＋ Co-doped ZnO Photoluminescence by Sol-gel Process

The photoluminescence （PL） characteristics of Eu^3＋ and Li^＋ co-doped ZnO PL materials against heat-treatment temperature were discussed. The PL xerogel and powder samples were prepared by solgel process. The emission spectra of all samples showed two broad bands peaking at 590 nm and 620 nm under UV-Vis excitation. But the relative intensity of red PL （620 nm） was much greater than that of green PL （590 nm） of the same sample, that s to say, the red color was the main luminescence. With heat-treatment temperature increase, the two kinds of colors PL intensity decreased, and both the red and green PL intensity of the xerogel samples was much greater than those of powder samples respectively. The XRD patterns revealed that Eu^3＋ ions were successfully incorporated in ZnO crystals in xerogel samples. When heat-treatment temperature reached 350 ℃, the Eu^3＋ began to separate out of the ZnO crystals and Eu2O3 crystals came into being. When the powder sample was subjected to UV-Vis excitation, the energy transfered from the host ZnO emission to Eu^3＋ became weaker than the xerogel sample.