Cu-Al25合金中小Frank位错环的TEM分析

Ａｌ２Ｏ３颗粒弥散强化的Ｃｕ－Ａｌ２５合金是用于国际核聚变反应堆高热流材料的重要侯选材料。它的辐照损伤微观结构机理研究倍受国际学术界关注。本工作对其进行了３００ｋｅＶＣｕ＋离子辐照，以模拟１４ＭｅＶ中子辐照产生的高能初级离位原子（ＰＫＡ）及其在材料中...     

淬火态Al-Zn-Mg-Cu合金中位错环的形成机理研究

采用透射电子显微镜和原位拉伸实验,研究了淬火态Al-Zn-Mg-Cu合金中三种不同组态的位错环及其形成机理。包括因Al₃Zr析出相颗粒与Al基体晶格失配及热膨胀系数差异在Al₃Zr颗粒周围形成的位错环;蜷线位错分解形成的位错环;以及因微区成分不均匀或局部缺陷导致的滑移带前端位错绕过或交滑移形成的位错环。研究表明,通过对纳米析出相在Al基体中微观组态的控制和高温淬火处理,可以调控Al合金中位错环的尺寸和三维空间分布。     

形变铜中位错组态的电镜分析

本文用ＴＥＭ衍射成像技术观察在室温下形变铜中位错胞结构的产生与发展，测定了胞壁厚及位错环尺寸等应变的变化规律，并探讨了胞尺寸与位错密度，流变应力之间定量关系的存在。     

Cu—Zn—Al合金贝氏体的三个生长阶段及其精细结构研究

利用透射镜研究了Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ合金贝氏体α１相在相变过程中的精细结构变化，发现贝氏体的生长经历三个阶段：初生态、中间态和退化态。初生贝氏体内不含层错亚结构，α１依台阶机制长大到一定程度后，内部出现层错；随转变进一步进行，α１内的层错结构逐渐消失，发生“过退火”，最终向平衡相转变。     

Cu—Zn—Al合金中贝氏体的扫描隧道显微镜分析

本文用扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）在大气中研究了Ｃｕ－２７．２ｗｔ．％Ｚｎ－４．７ｗｔ．％Ａｌ合金中的贝氏体的精细结构，并与透射电镜（ＴＥＭ）及扫描电镜（ＳＥＭ）下的形态进行了比较，发现Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ合金中虫氏体是由亚片条或亚单元组成，亚单元由超亚单元构成，进而为贝氏相变机制的再认识提供了重要的实验基础，并在此基础上提出Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ合金中贝氏体的形成模型。     

Al—Cu—Fe准晶中位错引起的HOLZ线的位移与分裂

随着准晶研究的深入,准晶中的位错也引起了人们的关注。我们用会聚束电子衍射(CBED)高阶Laue带(HOLZ)线实验方法,结合衍衬象技术,在EM420电镜上,对Al-Cu-Fe准晶二十面体相中的位错进行了初步研究。图1是含有位错的Al-Cu-Fe准晶二十面体相的明场象,箭头指出所研究的位错。由使此位错线不可见的两个衍射矢量,可以初步判断其Burgers矢最b致平行于[110000](二次轴),与文献[1]的结论一致。当直径为4nm的电子束聚焦在该位错线上时,一些HOLZ线发生分裂。本     

在c面蓝宝石上生长的InN外延薄膜中位错与极性的TEM研究

有关GaN和富Ga的InGaN薄膜中的位错和极性已有TEM研究，而InN和富In的InGaN薄膜却少见报道。研究InN薄膜中的缺陷和极性对生长高质量的InN薄膜很有意义。本文用TEM研究在c面蓝宝石上分子束外延生长的InN（760nm）／GaN（245nm）／AlN（14nm）薄膜中的穿透位错和极性。     

电脉冲下TiC颗粒增强Ni-Cr合金中位错组态的变化

TiC颗粒增强Ni80Cr20合金经电脉冲处理后,位错组态发生规整化,平直化排列,位错堆积形成位错墙。这表明电脉冲处理具有类似于退火的回复作用,此外,电脉冲处理还可以起到强化TiC颗粒增强相与基体之间结合的作用。     

Si晶体中Cu和Fe杂质在Frank型位错上的不同沉淀行为

本文运用电子束感应电流技术和透射电子显微镜研究了直拉Ｓｉ单晶中Ｃｕ和Ｆｅ杂质在Ｆｒａｎｋ型位错上的沉淀行为．发现尽管在Ｓｉ中Ｃｕ杂质浓度远高于Ｆｅ杂质，但Ｃｕ杂质不沉淀在Ｆｒａｎｋ型位错上，而Ｆｅ杂质会沾污Ｆｒａｎｋ型位错．研究结果表明，样品中微小Ｐｕｎｃｈｅｄ－ｏｕｔ位错的存在和Ｃｕ杂质在Ｓｉ中的重复成核机制是Ｃｕ杂质不沉淀在Ｆｒａｎｋ型位错上的主要原因．     

关于Cu—Zn—Al贝氏体相变的阶段性—亚结构与体转变激活能

从Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ合金相变产物的形貌与亚结构的特征着手分析了贝氏体相变的阶段性。测定了贝氏体相变阶段的体转变激活能并讨论了贝氏体相变的性质。     

电脉冲下超硬铝合金中形成纳米铝的TEM观察与EDS分析

电脉冲作为一种重要的加热方法 ,是由Ａｖｒａｍｅｓｃｕ[1] 于 1939年首先提出的。由于这项工艺具有极短的加热周期和极少的热损失并伴有一些特殊的效应 ,如电致迁移、电致塑性和非晶晶化等 ,因而获得了大量非常有价值的科研成果。本文在单脉冲高密度电流处理的超硬铝合金中发现了纳米铝的形成 ,并作了一些机制上的探索。可见 ,电脉冲丰富了硬铝合金的微结构 ,这无疑会对合金的力学性能产生有利的影响[2 ] 。本文采用ＬＣ6超硬铝合金 ,名义成分为 (物质质量分数 ) :Ｚｎ 7 6～ 8 6ｗｔ.% ,Ｍｇ 2 5～ 3 2ｗｔ.% ,Ｃｕ 2 2～ 2 8ｗｔ % ,…     

Cu—Zn合金中贝氏体预相变的电镜研究

尽管对β黄铜中的贝氏体相变已经作了大量研究,但其相变机制仍不清楚,主要可分为扩散控制的台阶机制与切变机制这二种观点,而且其争论正越演越烈。最近有人认为在母相的晶界、夹杂等处存在着应力场,溶质原子在应力场中定向扩散,产生了溶质原子贫化区,     

TiAlSi合金γ相内位错网的电子衍衬分析

γ－ＴｉＡｌ中所观察到的位错主要有（１／２）〈１１０］普通位错，（１／２）〈１１２］和［０１１］超点阵位错。Ｋａｄ等研究了ＴｉＡｌ合金层状组织层片界面的位错结构［１］，表明由于非１８０°旋转孪晶界面两侧晶体在界面处的非严格匹配而形成剪切边界，其中一类...     

碲锌镉晶片中位错与Te沉淀的透射电子显微分析

采用透射电子显微镜对碲锌镉晶体材料的缺陷特性进行了分析，观察并研究了碲锌镉晶体中Te沉淀相形貌和Te沉淀周围的棱柱位错环. 认为棱柱位错的形成是由Te沉淀相的析出引起的，而沉淀相在基体中的析出与基体形成错配应力，又造成位错的增殖. Te沉淀与棱柱位错两种缺陷是相互依存的.     

碲锌镉晶片中位错与Te沉淀的透射电子显微分析

采用透射电子显微镜对碲锌镉晶体材料的缺陷特性进行了分析,观察并研究了碲锌镉晶体中Te沉淀相形貌和Te沉淀周围的棱柱位错环.认为棱柱位错的形成是由Te沉淀相的析出引起的,而沉淀相在基体中的析出与基体形成错配应力,又造成位错的增殖.Te沉淀与棱柱位错两种缺陷是相互依存的.     

含稀土Gd的Ni53.4Mn20.0Ga25.6Gd1.0合金TEM分析

Ni-Mn-Ga合金具有形状记忆效应与巨磁热效应特征,是一种具有良好应用前景的新型磁性功能材料.稀土元素Gd的加入不仅可以改善合金的机械性能,而且还能保持该合金的磁性能.本文主要采用TEM分析方法,研究Ni53.4Mn20.0Ga25.6Gd1.0合金的微观组织结构.结果表明该合金的室温组织比较复杂,以无调制马氏体相为主,部分区域具有七层与十层调制结构的马氏体.稀土元素Gd部分溶入基体,部分以多元相的形式析出.