首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到11条相似文献,搜索用时 45 毫秒
1.
无冷冻防护剂保护的生物组织快速冷冻研究   总被引:2,自引:1,他引:2  
无冷冻防护剂保护的生物组织快速冷冻研究杨勇骥,郑尊,夏愿耀,吴越,邵晓良(第二军医大学中心实验室,第二军医大学中心电镜室,上海200433)超低温快速冷冻固定以极高的冷冻降温速率(大于10000k/s)对生物组织进行固定。理论上认为,在冷冻降温速率大...  相似文献   

2.
无冷冻防护剂保护时的心,肾组织快速冷冻研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
无冷冻防护剂保护时的心、肾组织快速冷冻研究**本研究为国家自然基金资助项目内容之一,批准号:39570354。杨勇骥郑尊邵晓良吴越夏愿耀夏金辉(第二军医大学生物物理教研室,上海200433)超低温快速冷冻以极高的冷冻降温速率(理论上认为应大于1000...  相似文献   

3.
超低温快速冷冻固定以极高的冷冻速率对生物样品进行固定,可使生物组织结构、组织内可溶性离子及游离性物质得到保存,使被固定后的生物组织仍旧保持于最接近原自然状态。作者对肾组织的超低温快速冷冻固定及冷冻损伤进行了探讨。取雄性大鼠肾皮质用振动切片机切成150~200/μm厚的薄片,采用Reichert-Jung KF-80弹射式快速冷冻仪将切片快速插入经液氮冷冻至-175℃的冷冻剂F22中,再迅速转移到置换液丙酮中,并保持温度在-80℃(34小时);-60℃(48小时);-20℃(12小时)和-4℃(1小时),缓慢升至室温。常规包埋切片并观察。电镜下,从肾皮质表层到30μm深的范围内,组织超微结构保存良好,细胞核、核仁和微绒毛等结构清晰显  相似文献   

4.
生物组织的快速冷冻及冷冻置换技术已被用于生物X射线能量色散谱分析的样品制备。快速冷冻能够较好地保持生物组织的结构形态,减少组织移位和组织内元素或离子的丢失、移位、重分布,使生物EDX定量微区分析结果更精确。本文主要探讨了心肌组织及一些细胞器在快速冷冻中的冷冻损伤机理,对心肌组织、细胞间隙、线粒体、细胞核和质膜的冷冻损伤作了较全面的探讨。  相似文献   

5.
长期以来,低温电子显微学被视为生物电子显微术中最有希望得到生物自然结构的手段。八十年代由Ad-rina等(1984)实现并迅速开展于世界许多著名实验室的在微筛支持膜上制备玻璃态含水生物材料的方法推动了生物大分子结构电子显微学研究接近原子分辨水平。利用这种制样方法,加一套减少电子辐射损伤的电镜技术和相位衬度成像方法,可获得较高分辨率的生物大分子结构像和晶体衍射花纹。若干报导冰包埋蛋白质晶体样品的电子衍射可记录到近3埃的信息。此种制样方法已广泛地用于蛋白质、核酸以及蛋白质一核酸复合体的单体、薄晶的形态结构研究中(Dubochet J.等1988)。  相似文献   

6.
应用蛋白质电子晶体蛋白质晶体高分辨结构时,常采用冷冻水合技术,但在通常的透射电镜中,低温冰冻条件下,样品往往在短时间内便被严重污染,为克服这个困难,本文介绍作者所进行的防污染系统改装及其改装后的效果。  相似文献   

7.
一种简单的快速冷冻固定和冷冻置换制备生物样品的方法马淑芳,傅宏兰(北京大学生物系北京100871)本文介绍一种简易的快速冷冻固定,冷冻置换制备生物样品的方法,简单易行,效果颇佳。与常规的化学固定方法制备的样品相比较,其组织的超微结构可以得到良好的固定...  相似文献   

8.
高分子材料一般质地较软,有很大韧性,常规的冲击断裂断口观察主要用于扫描电镜,而透射电镜(TEM)观察要求样品厚度在100 nm以下,因而对高分子材料需经过前处理,而冷冻超薄切片适用于高分子材料的前处理,是一种有效的透射电镜制样方法.不同的高分子材料其厚度、强度、韧性、玻璃化转变温度以及吸水性都有所差别,因此材料的前处理...  相似文献   

9.
本文报道了以红外线技术和计算机控制的电刺激 -超低温快速冷冻固定同步技术 ,研究骨骼肌组织被电刺激后 ,与骨骼肌组织的生理变化 (即兴奋 -收缩偶联发生的瞬间 )同步 ,在骨骼肌组织结构发生变化的同时 ,对其超低温快速冷冻固定 ,从毫秒级变化的水平获得骨骼肌组织在兴奋-收缩偶联发生时的细胞超微结构形态变化。材料与方法 双向红外探测器由两对透射型红外光电开关管及相应的信号处理及脉冲整形输出线路构成。透射型红外光电开关管的响应时间小于 1 0 μs,可满足毫秒级分析要求。脉冲整形输出线路将透射型红外光电开关管接收的信号转换成…  相似文献   

10.
目前,气保护下无钎剂普通铝板钎焊已有应用,但由于钎焊接头往往难以形成良好的外形(钎焊圆角),应用范围受到限制。本文为此试图利用接触反应和镁的作用,实现接头良好成型,为普通型无钎剂气保护铝钎焊探索新途径。  相似文献   

11.
使用高分辨像定量分析方法和像模拟技术,对外延生长的GaAs/InxGa1-xAs应变层超晶格的微观组态进行了详细的分析。用像模拟验证了成像位置与结构投影的对应关系。使用像点定位及畸变测量的分析方法,获得了晶格畸变位移分布图及畸变沿生长方向的分布曲线,扣除由四方畸变导致的点阵膨胀与收缩,得到了仅由In元素分布导致的点阵参数变化曲线。由晶格参数与In元素含量的线性对应关系,获得了超晶格中In元素沿生长方向的分布曲线。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号