Cu88Co12合金的巨磁电阻及其微结构的研究

本文利用场离子显微镜－原子探针及电镜研究了具有巨磁电阻效应的甩带Ｃｕ８８Ｃ ｏ１２合金的微结构。Ｃｕ８８Ｃｏ１２合金经４５０℃退火半小时后发邓有明显的巨磁电阻。     

Ge—Au合金膜的微结构及电子束诱导晶化

ＧｅＡｕ体系是典型的二元共晶系，在室温平衡状态下，二者不相溶。在蒸发沉积制成的薄膜样品中，其非平衡结构对沉积条件敏感，低金属含量和低衬底温度，促进沉积形成非晶薄膜。通过研究不同条件下沉积的合金膜的微结构，可以了解成膜机理；利用电子束诱导晶化，可以为研究晶化动力学过程提供实时观察，并且在ＧｅＡｕ非晶薄膜中实现微区晶化，为其在微电子和信息领域提供应用的可能     

熔体旋淬非晶态Fe—Sm—B合金的磁性研究

研究采用了熔体旋淬技术制备的非晶态Ｆｅ８０－ｘＳｍｘＢ２０合金在温度范围４－３００Ｋ，磁场Ｈ〈１６ＫＯｅ情况下的磁化现象和磁性能，这里Ｏ≤Ｘ≤１６。随着Ｓｍ含量增大，４Ｋ时的磁矩和居里温度降低。Ｓｎ的有效磁矩约为０．３μＢ。我们根据不规则磁各向异性模型分析了４Ｋ时的结果，并由矫顶力的分析得到局部不规则各向异性常数ＫＬ。     

非晶态磁性合金及其应用

本文阐述了非晶态磁性合金的特性及提高磁性能的基本途径,介绍了非晶合金的应用,分析了应用中存在的问题及解决方法。     

Ni80F20／Cu基磁性多层 自旋阀的微结构

用高分辨电子显微学及平行电子能量损失谱方法研究了Ｎｉ８０ｅ２０／Ｃｕ基磁性多层膜和自旋阀的显微结构。高分辨像显示,磁性我层膜及自旋阀均具有沿薄膜生长方向的柱晶结构。Ｎｉ,Ｆｅ,Ｃｕ和Ｍｎ元素的成分分布图显示,柱晶内仍保持完整的层状结构。沿薄膜生长方向的自旋阀元素分布曲线分析表明,ＮｉＦｅ层中的Ｎｉ元素沿柱晶晶界向相邻Ｃｕ层扩散。讨论了这些低维磁电子学材料的显微结构对磁输运性能的影响。     

硅基多孔氧化铝薄膜微结构的TEM研究

阳极氧化多孔氧化铝薄膜(anodicporousaluminafilm,APA)作为模板的应用已引起广泛关注。它的优点在于其主要的特征参数如孔径(1～300nm)、孔长(10～3000nm)及孔密度(108～1011cm-2)都可以用选择不同腐蚀电压的方法来加以控制,孔的长度直径比可达1000以上[1],而且在理想的APA膜中,孔阵列规则排列为蜂巢状六方结构[2]。这一特点为大面积原位合成规则排列纳米量子点/线材料提供了重要保证。考虑到和当前主流硅集成半导体工业相匹配,硅基多孔氧化铝薄膜(Si-basedanodicporousaluminafilm,APA/Si)的应用已见报道[3,4]。我们研究发现当孔径小…     

微量钴对NiCuZn铁氧体磁性能的影响

为了降低烧结温度,增大电阻率,掺杂了适量PbO,Bi2O3与TiO2。利用SEM、XRD、高精度LCR分析仪及振动样品磁强计等,研究了添加的微量钴对NiCuZn铁氧体微结构及磁性能的影响。结果表明:钴对铁氧体的tC、μi、Hc、ρ及Pcv均有明显的影响,当微量钴加入量为0.02时(摩尔比),μi的高频性能下降。     

Ni-Co合金包覆碳纳米管的研究

利用化学镀方法在碳纳米管表面包覆磁性金属镍－钴合金,得到一维纳米复合材料。研究表明,反应温度和溶液ＰＨ值对镀层质量有较大影响。退火处理将大大改善包覆层质量。磁学性质的测量表明,矫顽力较之块状合金有大的增加,可望在高密度磁记录材料中得到应用。     

CoFe_2O_4薄膜厚度对其微结构和磁性能的影响

以铁和钴的硝酸盐为主要原料,采用sol-gel旋涂法在Si(001)基片上制备了不同厚度的CoFe2O4(CFO)薄膜。研究了薄膜厚度对其结构、形貌及磁性能的影响。结果表明:随着其厚度的增大,薄膜的结晶度变好,薄膜晶粒度逐渐增大到70nm。Ms随着薄膜厚度的增大先增大后减小;Hc的变化规律和Ms相反。当薄膜厚度为800nm时,Ms达到最大值59.2A·m2/kg,此时Hc最小为106.7kA/m。该薄膜具有高度的平行各向异性。     

Ni2FeGa Heusler合金的微结构与低温相变研究

具有体心有序结构的Ni2FeGa合金作为铁磁记忆材料在近期研究中得到了广泛关注。电子显微镜观察分析表明，在急冷条件下制成的带状材料有着丰富的微结构，如图1所示。在低温下，晶体发生马氏体相变，原位电子衍射观察直接显示出由立方结构向单斜结构的转变过程，并且有7倍或者5倍的超结的出现。     

Ni—Co合金覆碳纳米管的研究

利用化学镀方法在镀方法在碳纳米管表面包覆磁性金属镍－钴合金，得到一维纳米复合材料。研究表明，反应温度和溶溶液ＰＨ值对镀层质量有较大影响。退火处理将大大改善包覆层质量。磁学性质的测量表明，矫顽力较之块状合金有大的增加，可望在高密芳磁记录材料中得到应用。     

SOI材料微结构的TEM分析

SOI晶圆材料正在成为制备IC芯片的主要原材料.SOI材料的质量很大程度上取决于顶层硅及埋层的结构.利用TEM,系统地研究了3种实验条件下的SOI材料的微结构,对其顶层硅及埋层的厚度、厚度的均匀性进行了定量分析,对高剂量SIMOX样品中存在的硅岛密度进行了估算,并对顶层硅中的结构缺陷进行了观察分析.     

使用METGLAS非晶态合金2174A设计高频磁性放大输出调节器

使用ＭＥＴＧＬＡＳ非晶态合金２１７４Ａ设计高频磁性放大输出调节器最近几年，磁性放大输出调节器被普遍地用于转换供电的多输出调节。这些调节器能够极其精确地调节每一个独立的输出，效率高，简单，而且非常可靠。磁放大器尤其适用于输出为一至几十安培的电流，但也用...     

柔性仿生磁性微结构的制备与驱动

根据自然界中一些在黏性介质中游动的生物的运动原理,制备了一种由磁性头部和无磁性尾部构成的柔性仿生微结构,可通过均匀振荡磁场驱动。结合振荡磁场的产生原理建立运动学模型,以分析磁性微结构在振荡磁场驱动下的振荡特性。在驱动过程中分别设置磁场的振荡角为60°、90°和120°,微结构的游动速度随着磁场振荡角的增大而增加。通过研究微结构在驱动过程中的频率响应,确定了微结构在振荡角为60°、失步频率为15 Hz时,获得的最大游动速度为105μm/s,而当振荡角为90°和120°、失步频率为25 Hz时,获得的最大游动速度分别为117和179μm/s。低于失步频率时,游动速度随着频率的增加而增大,但是高于失步频率后,游动速度随之降低。结合微结构的振荡模型,分析了失步的原因,并论证了微结构的振荡角和振荡频率在频率响应中的作用机制。     

退火温度对Cu膜微结构与电阻率的影响

采用磁控溅射方法在玻璃衬底上淀积500 nm厚Cu膜,在不同温度下进行原位退火处理.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)及四探针测试仪分析了薄膜微结构与电阻率.随着t增加,应变能与表面能的竞争导致Cu(220)取向晶粒组成不断增加;薄膜晶粒不断长大且其几何形态在t＞500 ℃时由柱状晶向等轴晶结构转变;当t＜500 ℃时,随着薄膜电阻率ρ与表面粗糙度Rrms显著减小,而t＞500 ℃时,Rrms呈现增加趋势,而ρ变化不明显.     

反胶束法制备金属及磁性合金纳米颗粒

反胶束(Reverse Micelle)是水溶液同含有适量表面活性剂的有机溶液相混合后由自组装形成的一种油包水的溶液结构。我们在混合前的水溶液中加入金属离子，通过溶液混合使该金属离子被表面活性剂转移到反胶束中，然后往混合液中加入还原剂，从而使金属离子在反胶束内被还原，得到所需的金