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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
我们在具有Y稳定的ZrO_2(YSZ)层的蓝宝石上获得高质量的YBa_2Cu_3O_7(YBCO)高温超导薄膜。在零磁场下,77k时,其临界电流密度达到1.6×10 ̄6A/cm ̄2。本文确定了多层膜超导材料的取向关系。YBCO膜的(001)面平行于YSZ过渡层的(100)表面。YSZ层厚为20nm。并且,由于Ba自YBCO层的外扩散,YSZ层含有Ba。尽管蓝宝石与YSZ层间的晶格铅配很大,由于YSZ层具有[100]择优取向,仍能获得准单晶的YBCO薄膜。在YBCO薄膜中,观察到均匀分布的、微小尺寸的Y_2BaCuO_5(211相)沉淀粒子,它们也有利于提高临界电流密度。  相似文献   

2.
用低压化学汽相淀积制备TiO_2薄膜=ThinTiO_2filmspreparedbylowpressurechemicalvapordeposition[刊,英]/Rausch,N.…J.Elec-trochem.Soc.-1993,140(1)....  相似文献   

3.
合成了配合物[{Ni(mnt)_2}2][Na_2(benzo-15-crown-5)_3(H_2O)_2],并且测试了 这种配合物的非线性吸收系数β=2.4 cm/GW; 探讨了非线性吸收产生的机理为双光子吸 收.  相似文献   

4.
(Pb0.5Sr0.3Cu0.2)Sr2(Ca0.6Sr0.4)2Cu3Oy(简称“Pb”-1223)是一维无公度调制结构[1],超空间群是Pmmm(ν01/2)[2]。其基本结构的晶胞参数a=b=0.382nm,c=1.53nm,调制波矢为:q=0...  相似文献   

5.
本文介绍的是一种家用网的用户接口。此用户接口易被用户接受,适用灵活,以家用网络为基础,也适用于其它家用系统,如欧洲的ESPRIT HOME SYSTEM [EHSA92],美国的Consumer Electronics Bus(CEBus)[EIAU92]以及日本的HOME BUS SYSTEM(HBS)[EIAJ86]。  相似文献   

6.
溶胶半导化工艺制备(Sr,Pb)TiO3系热敏电阻材料   总被引:1,自引:0,他引:1  
用溶胶-凝胶法制取了钇(Y)掺杂剂溶胶。利用Y溶胶添加剂对钛酸锶铅V型正温度系数材料进行了半导化。为便于比较,制备了具有不同含量Y溶胶添加剂及Y2O3固相氧化物的(Sr0.5,Pb0.5)TiO3样品。实验结果表明,Y溶胶作为半导化添加剂优于Y2O3固相氧化物,它能改善(Sr,Pb)TiO3系陶瓷的各项性能。通过Y溶胶添加剂所制备的(Sr0.5,Pb0.5)TiO3样品的最小电阻率为2.90×102Ω·cm,其Y溶胶引入量r(Y)为0.45%。  相似文献   

7.
新型准分子O2(Δg)二聚物激光振荡研究高惠德(哈尔滨工业大学,哈尔滨150001)项目批准号:69188008本课题在国际上首次提出[O2(Δg)]*2具有六类简正振荡模式,从理论和实验两方面系统地全面地探讨[O2(Δg)]*2—同核双原子分...  相似文献   

8.
Nd: Ca_4YO(BO_3)_3单晶研制成功并实现基频和自倍频激光运转   总被引:1,自引:0,他引:1  
近年来,新型激光自倍频晶体NdCa4YO(BO3)3(简称NdYCOB)受到学术界密切关注,并成为新型激光工作物质研究的一个热点[1~3]。1998年2月,我们用Czochralski法成功生长出NdYCOB晶体,掺Nd量为5at-%。测定了晶体的吸...  相似文献   

9.
YBaCuO超导材料的扫描电镜及能谱研究黎晓华郑军(兵器工业西北理化测试中心,西安710043)熔融织构法(MTG)[1]能制出高Jc的YBaCu氧化体材料,为其他制法所不及,将混合的YBaCu3Oδ-7(123)粉末加热熔化靠温度梯度通过定向凝固获...  相似文献   

10.
研究了半导化元素Y和第二相添加剂SiO2对PTCR型(Sr,Pb)TiO3陶瓷材料电学性能的影响。结果表明,Y和SiO2的含量对材料的半导化性能影响显著,它们的较佳的含量(摩尔分数)分别在0.1%~0.6%和0.2%~0.5%之间,最低电阻率可达10Ω·cm。借助复平面阻抗分析发现,无论是SiO2添加剂还是半导化元素Y都主要是通过影响材料的晶界行为而控制材料的宏观电学性能的。  相似文献   

11.
刘维  吴源  陈烈  李林 《电子显微学报》1998,17(5):525-526
YBCO薄膜截面样品的高分辨电子显微镜(XHREM)研究已有报导[1,2]。它能给出薄膜与衬底之间的界面结构,薄膜的取向和缺陷等结构特征,为制备高质量的薄膜提供依据。与之相比,YBCO平面样品的高分辨电子显微镜(PHREM)研究则能给出较大区域的薄膜...  相似文献   

12.
用于1.2μmCMOS70MS/sADC阵列中的一种10位5MS/s逐次逼近ADC单元=A10-bit5MS/ssuccessiveapproximationADCcellusedina70MS/sADCarrayin1.2μmCMOS[刊,英]/Y...  相似文献   

13.
极薄SOIMOSFET的2维解析模型=Two-dimensionalanalyticmodelingofverythinSOIMOSFET's/[刊,英]/Jason,C.S…∥IEEETrans.ElectronDev-1990.37(9).-19...  相似文献   

14.
高T_cPTC陶瓷材料的配方研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
选用国产原材料,在(Ba0.3Pb0.7)TiO3+4%AST+0.08%Mn(NO3)2材料中,添加(0.2~0.4)%(Nb2O5+Y2O3)+0.2%BN+(3~5)%CaTiO3(全为摩尔比)。采用传统陶瓷工艺,经1150℃适当烧结,可获得ρ25c≤104Ω·cm,Tc≥380℃,ρmax/ρmin≥103,Vb≥650V的实用高TcPTC陶瓷材料。  相似文献   

15.
耗尽态SIMOXMOS晶体管的低频噪声=Low-frequencynoiseindepletion-modeSIMOXMOStransistors[刊.英]/Elewa,T.…∥IEEETrans.ElectronDev.-1991.38(2).-3...  相似文献   

16.
赋DOS键新功能●胡西川ANSI、SYS是以美国国家标准研究机构的ANSI标准为规范的终端驱动程序,它可通过运行CONFIG、SYS文件安装。这需要在CONFIG.SYS文件中做如下设置:DEVICE=[路径名]ANSI.SYS[/X][/K]其中:...  相似文献   

17.
采用聚焦离子束注入和反应离子刻蚀SiO_2的干法光刻DrylithographyusingfocusedionbeamimplantationandreactiveionetchingofSiO_2[刊,英]/Choquette,K.D.… ∥App...  相似文献   

18.
本文综述了近十年来联合研究组采用激光增强电离(LEI)光谱、共振电离光谱(RIS)和激光感生荧光(LIF)光谱方法对稀土元素、稀贵金属元素,ⅢA族元素、碱土金属等28种元素几百条LEI光谱线进行了测量,激光光谱的测量系统是一个典型的光电子系统。对样品的原子化、原子的激发过程、高激发态和电离过程进行了研究[1][2],确定了与LEI光谱线对应的原子能位、电子组态,谱项和检出限。首次研究了稀土铕(Eu)[2]、钐(Sm)[3]、铈(ce)、镥(Lu)[2]、钬(Ho)和稀有金属锇(Os)、钌(Ru)、铪(Hf)、铱(Ir)、铂(Pt)的LEI光谱。  相似文献   

19.
NH_3-氮化N_2O ̄-生长氧化物的MOS特性=MOScharacteristicsofNH_3nitridedN_2O ̄-grownoxides[刊,英]/Yoon,G,W.…//IEEEElec-tronDeviceLetters.1993,1...  相似文献   

20.
CMOSIC中浮置栅缺陷的电气模型:I_(DDQ)测试的意义=ElectricalmodelofthefloatinggatedefectinCMOSIC's:implicationsonI_(DDQ)testing[刊,英]/ChampecV.H....  相似文献   

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