应用细胞化学法与X-射线能谱仪对深低温停循环后脑神经细胞中Ca++浓度的定量研究

用草酸－焦锑酸钾细胞化学法显示深低温（１８℃）停循环（ＤＨＣＡ）１２０ｍｉｎ后脑神经细胞内Ｃａ＋＋的分布及超微结构改变，同时利用Ｘ－射线能谱仪测量细胞内Ｃａ＋＋浓度以及停循环时应用１．６－二磷酸果糖（ＦＤＰ）保护液后细胞内Ｃａ＋＋浓度的变化。结果显示：（ＤＨＣＡ）１２０ｍｉｎ后脑神经细胞超微结构破坏严重，细胞内Ｃａ＋＋浓度明显增加。但在（ＤＨＣＡ）期间应用（ＦＤＰ）脑保护液后可以明显减轻术后神经细胞内Ｃａ＋＋聚积与脑损伤，是（ＤＨＣＡ）下脑保护的可行方法。     

离子注入半绝缘GaAs电激活效率与电激活均匀性的研究

研究了Ｓｉ＾＋和Ｓｉ＾＋／Ａｓ＾＋注入到Ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ Ｂｒｉｄｇｍａｎ（ＨＢ）和Ｌｉｑｕｉｄ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｅｄ Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ（ＬＥＣ）方法制备的半绝缘ＧａＡｓ衬底电激活效率与均匀性。结果发现：在相同条件下（注入与退火）,不同生长方法的半绝缘ＧａＡｓ衬底电激活不同,通常电激活ＨＢ〉ＬＥＣ,ＨＢ ＳＩ－－ＧａＡｓ（Ｃｒ）（１００）Ａ面〉（１００）Ｂ面,Ｓｉ＾＋／Ａｓ＾＋双离子     

掺OH^—稳定的F^＋2型心的激光振荡

利用我所研制的掺质均匀、色心稳定性好的ＮａＣｌ（ＯＨ＾－）：（Ｆ＾＋２）Ｈ和ＫＣｌ（Ｎａ＾＋，ＯＨ＾－）：（Ｆ＾＋２）ＡＨ色心晶体，我们实现了＞２５０ｍＷ的１．５７μｍ和＞４０ｍＷ的１．８８μｍ色心激光输出。本文报道其实验结果。     

HFC网络中上行信道三种协议的比较

讨论了基于ＨＦＣ（混合光纤同轴电缆）网络上行多址接入信道的数据通信，比较了几种适于ＨＦＣ中ＭＡＣ（媒体输入控制）层上行数据流的协议，包括分布式协议Ｒ－ＡＬＯＨＡ，集中式协议Ｕ－ｎｉＬＮＫ以及一种新的协议ＰＣＵＰ（流水线循环上行流协议）最后得出ＰＣＵＰ协议比较适合ＨＦＣ网中的双向交互式业务的结论。     

小鼠精子附睾成熟过程中Ca^2＋及Ca^2＋—ATPase的研究

利用焦锑酸钾方法和电镜酶组织化学定位方法，研究了小鼠精子在附睾成熟过程中的Ｃａ＾２＋及Ｃａ＾２＋－ＡＴＰａｓｅ变化。结果发现：附睾头中的精子内元Ｃａ＾２＋或极低，而Ｃａ＾２＋－ＡＴＰａｓｅ活性极强，可能是由于Ｃａ＾２＋－ＡＴＰａｓｅ的作用将Ｃａ＾２＋从精子内排出了精子外；在附睾体中，精子Ｃａ＾２＋－ＡＴＰａｓｅ活性降低，而Ｃａ＾２＋浓度迅速上升，并且发现Ｃａ＾２＋来自于附睾管细胞；到了附睾尾部，精     

NaCl（OH^—或O^—2）：F^＋2）H色心激光研究的进展

文中介绍了近几年来ＮａＣｌ（ＯＨ＾－２或Ｏ＾－２）：（Ｆ＾＋２）Ｈ色心激光研究的进展，简要说明了它的应用前景。     

HEMT器件的非线性模型分析

本文提出了一种新的ＨＥＭＴ器件非线性ＣＡＤ模拟方法，即可以利用ＰＳＰＩＣＥ程序中ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的非线性ＣＡＤ模型（Ｓｔａｔｚ模型）对ＨＥＭＴ器件进行非线性模拟，并用实验验证了这种方法的正确性。     

高性能单片机ADuC824的特点及应用

ＡＤｕＣ８２４是ＡＤ公司新的集成了２４位∑－△Ａ／Ｄ的高性能单片机,它将８０５１内核、两路２４位＋１６位∑－△Ａ／Ｄ、１２位Ｄ／Ａ、ＦＬＡＳＨ、ＷＤＴ、μＰ临控电路、温度传感器、ＳＰＩ和Ｉ＾２Ｃ总线接口等资源全部集成在一个芯片内,体积小,功砂低,因而在一定程度上代表了单片机今后的发展趋势,文中介绍了它的特点和功能,并给出了ＡＤｕＣ８２４在ＨＡＲＴ智能变送器中的应用实例。     

低压MOCVD外延生长InGaAsP／InP应变量子阱材料与器件应用

本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）外延生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变量子阶材料，材料参数与外延条件的关系，量子阱器件的结构设计及其器件应用．用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于４００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值７～１２ｍＡ的１．３μｍ量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于６００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值９～１５ｍＡ的１．５５μｍ量子阶激光器以及高功率１．３μｍ量子阱发光二极管和ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电探测器．     

PECVDSiN及其在GaAsMESFET中的应用第Ⅱ部分：PECVDSiN的性质及其对GaAs器件性能的影响

ＰＥＣＶＤＳｉＮ及其在ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ中的应用第Ⅱ部分：ＰＥＣＶＤＳｉＮ的性质及其对ＧａＡｓ器件性能的影响罗海云（电子部第１３研究所，石家庄，０５００５１）ＰＥＣＶＤＳｉＮａｎｄＩｔｓＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｉｎＧａＡｓＭＥＳＦＥＴＰａｒｔⅡ：Ｐｒ...     

空间电荷限制电流法对a—Si：H隙态密度的测量

本文介绍了用于测量ａ－Ｓｉ：Ｈ隙态密度的空间电荷限制电流（ＳＣＬＣ）法，并报道了采用此方法对ＰＥＣＶＤ方法制备的ａ—Ｓｉ：Ｈ材料隙态密度的测量结果。对ｎ＋ａ—Ｓｉ：Ｈ／ａ—Ｓｉ１Ｈ／ｎ＋ａ—Ｓｉ：Ｈ结构的样品，测量得到费米能级上０．１６ｅＶ间的欧态密度分布为１０１５～１０１８（ｃｍ－３ｅＶ－１）。     

兼容机486DX2特殊故障维修一例

兼容机４８６ＤＸ２特殊故障维修一例杭州电子工业学院（３１００３７）徐志江关玉华一台ＣＸ４８６ＤＸ２－４兼容机，其配置为４Ｍ内存，２５６ＫＢＣＡＣＨＥＭＥＭＯＲＹ（高速缓冲ＳＰＡＭ），８０ＭＨｚＣＵＰ，宏基绿色节能母板，１２０Ｍ硬盘等，故障现象如下：１...     

红宝石激光晶体零场分裂及其光谱精细结构研究

推导了ｄ＾３（Ｃ＾＊３ｖ）组态离子的中间场能量矩阵，建立了红宝石（Ｃｒ＾３＋：Ａｌ２Ｏ３）晶体基态＾４Ａ２零场分裂（ＺＦＳ）参量Ｄ及＾２Ｅ态分裂△Ｅ（＾２Ｅ）与晶体结构之间的定量关系；假设晶格畸变的基础上，统一地计算了Ｃｒ＾３＋：Ａｌ２Ｏ３晶体的ＺＦＳ参量Ｄ、Ｚｅｅｍａｎｇ因子、精细光谱及＾２Ｅ态的分裂△Ｅ（＾２Ｅ），计算结果与实验观测十分吻合，定量的研究结果表明：当Ｃｒ＾３＋离子掺入Ａｌ２Ｏ３晶     

BaO－P_2O_5和R_2O－BaO－P_2O_5系统磷酸盐激光玻璃RAP法除

研究了熔炼温度和气相反应剂（ＣＣｌ４，ＳＯＣｌ２和ＰＯＣｌ３）对ＢａＯ－Ｐ２Ｏ５（Ｎ２１）和Ｒ２Ｏ－ＢａＯ－Ｐ２Ｏ５（ＨＬＣ－５）系统磷酸盐激光玻璃ＲＡＰ法除水速率的影响．讨论了Ｎ２１和ＨＬＣ－５型玻璃中Ｎｄ３＋的荧光寿命与ＯＨ基含量的关系，井对除水前后玻璃的激光性能和物理性质进行了比较。     

小鼠精子获能及顶体反应过程中Ca^2＋及Ca^2＋—ATPase的研究

利用焦锑酸钾电镜定位Ｃａ＾２＋的技术，及铅捕获法定位细胞Ｃａ＾２＋－ＡＴＰａｓｅ的技术，研究小鼠了获能及顶体反应过程中Ｃａ＾２＋及Ｃａ＾２＋－ＡＴＰａｓｅ的变化，结果表明，获能前精子顶体囊外缘有Ｃａ＾２＋分布，顶体膨胀时，Ｃａ＾２＋消失，开始顶体反应时，顶体外膜，顶体囊泡及顶体后区有Ｃａ＾２＋分布，顶体反应后，仅顶体后区有Ｃａ＾２＋分布精子尾部线粒体及轴丝始终有Ｃａ＾２＋分布。     

功率控制对S-CDMA-HFC系统上行信道Erlang容量的影响

同步ＣＤＭＡ（Ｓ－ＣＤＭＡ）解决了双向ＨＦＣ系统的上行信道噪声和容量问题,基于Ｓ－ＣＤＭＡ的ＨＦＣ是新一代ＨＦＣ系统。从系统实现的角度来看,非理想功率控制会明显降低系统业务容量。本文简单介绍了Ｓ－ＣＤＭＡ－ＨＦＣ系统模型和上行信道概况,分析了非理想功率控制对Ｓ－ＣＤＭＡ－ＨＦＣ系统上行信道Ｅｒｌａｎｇ容量的影响,并给出了数值结果与结论。     

Coupler WDM智能制造系统投入商用

Ｃｏｕｐｌｅｒ（光分路器）和ＷＤＭ（光波分复用器）智能制造系统目前在上海交大问世,并于上海嘉慧光电子技术有限公司（ｈｔｔｐ／／ｗｗｗ．ｊｏｉｎｗｉｔ．ｃｏｍ．ｃｎ）投入批量生产。ＷＤＭ是光纤通信网络中的核心器件,是ＩＰｏｖｅｒＷＤＭ的基础。ＥＤＦＡ＋ＷＤＭ是光网扩容最经济有效的方案,在发达国家已得到广泛应用。Ｃｏｕｐｌｅｒ（光分路耦合器）则在ＳＤＨ＋ＰＯＮ、ＡＴＭ＋ＰＯＮ及光纤ＣＡＴＶ的ＨＦＣ网中发挥重要作用。嘉慧公司ＦＢＴ系统是以熔融拉锥方式制造全光纤器件,效率高,成本低,据悉为国内最先推出的…     

GaAs衬底层选择性腐蚀技术

本文在ＧａＡｓＧａＡｌＡｓ选择性腐蚀的基础上进行了腐蚀ＧａＡｓ衬底层获得ＧａＡ／ＧａＡｌＡｓ外延层薄膜的二次腐蚀技术。最终选用了Ｃ３Ｈ４（ＯＨ）（ＣＯＯＨ）３．Ｈ２Ｏ－Ｈ２Ｏ２系选择性腐蚀液和Ｈ２ＳＯ４－Ｈ２Ｏ２系腐蚀液，获得了快速，可控制，重复性好的可全部可局部去除衬底的腐蚀方法。     

HEMT器件在非线性模型分析

本文提出了一种新的ＨＥＭＴ器件非线性ＣＡＤ模拟方法，即可以利用ＰＳＰＩＣＥ程序中ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的非线性ＣＡＤ模型对ＨＥＭＴ器件进行非线性模拟，并用实验验证了这种方法的正确性。     

低噪声掺Pr^3＋氟化物光纤放大器

研制了用Ｎｄ－ＹＬＦ激光器泵浦的掺Ｐｒ＾３＋氟化物光纤放大器（ＰＤＦＡ）组件，其最大信号增益和噪声指数分别是２０ｄＢ和５ｄＢ。在输入信号功率１１．０ｄＢｍ时，得到１９．２ｄＢｍ的输出功率，试验结果证明：该ＰＤＦＡ组件用于副载波复用多信道ＡＭ－ＶＳＢ视频信号传输时，具有低噪声特性。