四通道高速同步采集多次触发存储测试系统

设计了一种基于CPLD和单片机控制、FLASH MEMORY(闪速大容量存储器)存储的新型存储测试系统。利用FLASH MEMORY的大容量存储特性,系统可实现多通道的同步采集,而且可以完成多次记录一次读数的功能。多路同步、高速采集、多次触发以及工作参数可调节的功能特性,扩展了存储测试系统的适用性,可广泛用于爆炸场的各种压力及温度测试。     

典型FLASH存储器~(60)Coγ电离辐射效应测试与分析

通过测量卫星用FLASH存储器的内部存储数据逻辑状态出错(WW≠0)、电源电流、输出高低电平电压、输入漏电流以及交流参数随辐照剂量的变化情况,对FLASH存储器的电离辐射效应损伤规律、敏感参数进行了研究。研究结果表明,FLASH存储器的电离辐射效应损伤规律主要表现为随辐照剂量增加,存储数据逻辑状态出现错误,数据读取、数据擦除以及维持模式下的电源电流逐渐增大,这些参数可以作为辐照敏感参数;动态辐照偏置下存储数据逻辑状态出错时的剂量阈值比静态辐照偏置和不加电辐照偏置条件下大一个数量级以上。     

闪存阵列的数据存储与无效块管理方法

针对单片闪速存储器NAND FLASH容量相对小、存储速度相对低且存在随机无效块等问题,提出一种由单片NAND FLASH构建大容量高速存储阵列并根据阵列的结构特点管理无效块的方法.深入分析阵列存储方式及位扩展、时分多路复用等关键技术,针对复杂的阵列组成提出四种无效块管理机制:全相关、全独立、行相关、列相关等.各相关模...     

小型多通道数据采集存储系统设计

设计了一种小型多通道的数据采集存储系统。该系统主控核心采用以FPGA为载体的SOPC系统,采集模块通过时分复用分频技术进行通道拓展,可达到128通道,存储模块选用NAND FLASH存储芯片,数据存储采用DMA技术对NAND FLASH进行流水线操作,使得存储速度达到最大。测试结果表明,系统采集通道数在1~128灵活改变,每个通道的采集频率也可以灵活改变。     

结合队列调度的共享存储交换结构

提出了一种结合队列调度的共享存储交换结构。在单块存储器带宽为B/M的条件下,通过在输出端进行队列调度,采用M块存储器实现总带宽B的交换要求,避免了因单块存储器带宽不够而引起的存储器低利用率问题。还仿真了不同调度算法下结构的性能,与IBM Q-64G进行了比较。     

基于TMS320F2812DSP和FT245R USB的数据采集系统设计

设计了一种基于TMS320F2812 DSP、外扩存储器及USB的新型存储测试系统.利用TMS320F2812 DSP高速的运算能力、强大的实时处理能力及丰富的片上外设单元,系统可实现对信号的快速采集和实时处理,解决了基于单片机和CPLD的传统存储测试系统处理器速度慢、实时处理能力差的问题.     

诊断中性束电源的数据采集与处理系统

文中介绍了一种用于诊断中性束电源系统的数据采集与处理系统(DPAS).在电源系统的运行过程中,系统需要对18路电流/电压信号进行实时采集.DPAS采用网络技术以客户端/服务器模式进行开发.系统引进了一种高效的压缩算法从而大量地节约了数据存储所需的磁盘空间.系统所采用的数据存储格式与EastScope软件(一款用于查看实验数据的软件)兼容,从而使实验操作人员可以很容易对实验结果进行分析和总结.     

FLASH放射生物学机制及治疗计划研究进展

近年来，一项被称为FLASH放疗的新技术具有将辐射的治疗增益比推向一个新高度的潜力。FLASH放疗是一种以超高剂量率照射为主要特征的放疗技术，能显著减轻辐射对正常组织的损伤，同时保留辐射对肿瘤的杀伤能力。一方面，作为一种新兴的放疗技术，FLASH放疗的生物学机制尚未被阐明，这阻碍了其临床转化；另一方面，超高剂量率照射技术的临床应用也存在许多技术困难。本综述通过归纳FLASH放射生物学机制的研究进展，总结FLASH放疗治疗计划所面临的困难及可能的解决方案，旨在为后续FLASH放疗的临床转化提供参考。     

TMS320VC5502外扩FLASH自举引导方法的设计与实现

阐述了基于TMS320VC5502的FLASH自举引导的实现方法,给出了引导表的生成过程、系统硬件连接图以及FLASH的烧写步骤.该系统是以EMIF的并行引导方式进行自举引导,实现程序从FLASH向片内RAM的自动装载.同时采用在线FLASH编程方法完成FLASH的烧写任务,经验证表明这种方法简单方便节省资源.     

重离子辐照效应检测系统的研制

为进行静态随机存储器芯片和可编程外围接口芯片的单粒子效应研究,研发了重离子辐照效应检测系统.系统特点是人机界面友好,操作方便、直观,实现了可靠的控制与数据采集.在HI-13串列加速器上,利用此系统对静态随机存储器HM1-65642(SRAM 8K×8bit)和可编程外围接口电路ID82C55A的单粒子翻转效应和单粒子锁定效应成功地进行了试验研究,完成两种器件5种离子16O、35Cl、55Fe、79Br、127I及反冲197Au的单粒子效应的测量.