VLSI低温合金焊料气密封帽技术

一、概述由于环境条件的恶劣，用于宇宙空间、舰船雷达等领域的IC产品通常要求采用高可靠的气密封装形式。一般说来，气密封装可分为金属、陶瓷一金属和陶瓷一玻璃一陶瓷几大类。按其封帽方式又可分为突缘电阻焊、平行缝焊、激光焊接、冷压焊、低温玻璃封帽（俗称“黑瓷”）和低温合金焊封帽等几种。其中，突缘电阻焊主要用于TO封装系列；激光焊接用于大腔体外壳的混合电路封状；VLSI封装主要采用手行缝焊、黑瓷和低温合金焊料焊接几种方式。由于黑瓷封装是采用玻璃作为封接材料，机械强度不能满足军用要求；尽管平行缝焊有诸多优点，但…     

VLSI气密封帽成品率统计分析

一、概述随着VLSI技术的不断进步，封装形式日趋多样化，各种高密度封装形式如LCC、QFP、PGA、BGA纷纷出现，封装所需要费用越来越高。在VLSI的气密封装诸工序中，气密封帽是自动化程度相对较低的环节。这样，气密封帽的成品率就成为影响总的封装成品率的关健因素。因而，对气密封帽成品率进行统计分析，找出其影响因素并制定相应的改进措施，这对稳定和提高封帽成品率是非常重要的。二、封帽不合格品分类VLSI的气密封装主要有DIP、LCC、QFP和PGA等几种形式，由于密封工艺的不同，通常又可分为平行缝焊、低温玻璃封帽（俗称…     

低温玻璃高可靠气密密封

一、前言黑陶瓷低温玻璃封装工艺，它具有结构简单装配容易、气密性好、散热性能较好如图3（a））外引线电阻极易做到小于0．02Q（而多层陶瓷金属化外引线电阻要小于0．ZQ较困难）；覆铝外引线与硅铝丝键合可形成单金属互连，避免了All－Pll金属间化合物脆性相的产生和危害；还能满足集成电路对光的屏蔽’“”’。封装的电路外形美观漂亮，一致性好，成品率高，成本低，适于大生产，在高可、＞性气密封装中“’（见图1）具有显著的优越性。外引线框在通有保护性氮气的链式炉或密封炉中与印刷好低温玻璃浆料的底板烧结上，再用耐高温绝缘胶…     

VLSI平行缝焊工艺技术

一、引言如图工，平行缝焊是利用脉冲大电流在电极和盖板。焊框接触处的高阻点产生的热量，使接触处盖板和下面焊框小区熔融、凝固后即形成一个焊点。电极不断向前滚动，通过调节脉冲电流（电压）大小、时间以及极运行速度，使一连串焊点适当交迭起来，从而形成气密焊缝。因采用一对锥形电极，形成平行的两条焊缝，故称平行缝焊。X、Y方向各焊一次即完成气密封帽。目前，国内用于大腔体集成电路的平行缝焊工艺，气密封帽成品率一直较低，包括引进设备。成品率一般在80％左右（101×10－7Pa·cm3／see，He）。旧设备、老工艺、国产管壳质量…     

玻璃封帽内部水汽控制技术

重点介绍采用黑瓷低温玻璃陶瓷外壳(CerQFP64)封装的集成电路水汽超标的原因。根据此种外壳的特殊性,通过采用特殊的高温烘烤处理措施,使采用黑瓷低温玻璃陶瓷外壳(尤其对超过保质期的外壳)封装的电路内部水汽由原来的5 000×10-6,降低到2 000×10-6以下。     

MEMS封装中的封帽工艺技术

MEMS封装技术大多是从集成电路封装技术继承和发展而来,但MEMS器件自身有其特殊性,对封装技术也提出了更高的要求,如低湿,高真空,高气密性等。本文介绍了五种用于MEMS封装的封帽工艺技术,即平行缝焊、钎焊、激光焊接、超声焊接和胶粘封帽。总结了不同封帽工艺的特点以及不同MEMS器件对封帽工艺的选择。本文还介绍了几种常用的吸附剂类型,针对吸附剂易于饱和问题,给出了封帽工艺解决方案,探讨了使用吸附剂、润滑剂控制封装内部环境的方法。     

电阻焊封帽机封帽工艺设计理论

本文着重论述了使用电阻焊封帽机封幔工艺设计理论,并通过应用该理论在汤姆森2400型电阻焊封帽机上封焊各种外形尺寸(最大封焊周长200mm)分立器件和厚薄膜集成电路的实例,证实了该理论的准确性.     

低温共烧玻璃陶瓷基板材料的研究

在多层互连基板中，基板材料的介电常数直接影响器件信号的传输速度。本文研究了低温共烧多层基板中玻璃陶瓷材料的填充介质及玻璃介质与基板介电常数以及烧结温度等性能的关系。     

HG7159封帽工艺及管帽牢固性检测实验

从现有的封帽设备出发，通过一系列的实验，摸索出了一组较好的封帽工艺参数，并建立了一种检测封帽牢固性的有效手段。     

封帽机同轴精度分析及结构改进

为了提高封帽机同轴精度,满足封焊产品性能要求,对封帽机同轴精度进行了分析,并对封帽机烘箱容积、焊接系统结构、上下料方式、手套箱结构等进行了改进,通过分析和改进,提高了封帽机同轴精度,满足了封焊产品性能,保证了设备运行稳定性,提高了生产效率。     

玻璃金属多针封接件的过渡环封研究

"14针密排"玻璃-金属封接件在生产及应用过程中常会出现玻璃炸裂,继而引起元件封接强度、气密性、热稳定性及耐冲压性等综合性能降低甚至报废。结合其特殊的导电性能和气密性设计要求,分析认为玻璃产生微裂纹的原因是封接元件膨胀系数不相匹配。利用"环封"工艺逐级过渡玻璃和金属之间的膨胀系数差异,同时结合玻璃抗压不抗拉的特性,达到"匹配封接",彻底解决普遍存在于该类元器件中的致命问题。     

MEMS器件封装的低温玻璃浆料键合工艺研究

玻璃浆料是一种常用于MEMS器件封装的密封材料.系统研究了MEMS器件在低温下使用玻璃浆料键合硅和玻璃的过程.与大多数MEMS器件采用的玻璃浆料相比(烧结温度400℃以上),此工艺(烧结温度350℃)在键合完成后所形成的封装结构同样具有较高的剪切强度(封装器件剪切强度大于360 kPa),同时具有较好的气密性(合格率达到93.3%),漏率测试结果符合相关标准.结果表明,在保证MEMS器件封装剪切强度和气密性的同时,降低键合温度条件是可以实现的.     

镀金引线低温玻璃密封失效分析及其改进措施

气密性封装产品的气密性和气密可靠性对产品的长期使用寿命和可靠性是至关重要的.主要分析了镀金引线低温玻璃密封失效的原因,并针对分析中发现的引线与玻璃之间存在微裂纹现象进行了结构优化和验证,解决了产品密封的一致性和可靠性问题,并为相同结构封装的密封可靠性水平的提高提供了一定的参考.