VLSI低温合金焊料气密封帽技术

一、概述由于环境条件的恶劣，用于宇宙空间、舰船雷达等领域的IC产品通常要求采用高可靠的气密封装形式。一般说来，气密封装可分为金属、陶瓷一金属和陶瓷一玻璃一陶瓷几大类。按其封帽方式又可分为突缘电阻焊、平行缝焊、激光焊接、冷压焊、低温玻璃封帽（俗称“黑瓷”）和低温合金焊封帽等几种。其中，突缘电阻焊主要用于TO封装系列；激光焊接用于大腔体外壳的混合电路封状；VLSI封装主要采用手行缝焊、黑瓷和低温合金焊料焊接几种方式。由于黑瓷封装是采用玻璃作为封接材料，机械强度不能满足军用要求；尽管平行缝焊有诸多优点，但…     

陶瓷外壳封装的高引线数(VLSI的自动铝丝楔焊键合)

一引言随着集成电路芯片设计技术和制造技术的不断进步，使集成电路的复杂程度不断增加。同时，给集成电路的引线键合工作也增加了相当大的难度。目前国内的VLSI需键合的引线数一般达68～84根（国外最多的达500根引线以上）。由于集成电路的I／O数多，常规的DIP外壳已不能满足封装应用要求，而需采用高密度陶瓷外壳，如LCC、PGA、QFP等（国外已有uPGA、BGA等）。对于用LCC、PGA、QFP这类高密度陶瓷外壳封装的VLSI的引线键合，传统的手工键合已不能满足应用的要求，而必须采用半自动或自动引线键合技术。由于陶瓷外封装集成电…     

密封胶粘剂在高可靠微电子封装中的应用

阐述了高可靠微电子封装对密封胶粘剂的性能要求.通过试验优选出一种能实现高可靠、高气密粘接封帽的环氧树脂胶粘剂,用该胶粘剂封帽的外壳通过了严苛的可靠性考核.详细介绍了胶粘封帽工艺过程,并对影响封帽质量及可靠性的因素进行了探讨.     

真空炉金锡封焊

文章在介绍半导体金锡焊料封装工艺的基础上,重点对金锡焊料、炉温曲线设置等工艺技术问题进行了深入研究。基于大量的金锡焊料真空焊接封装实验及理论分析,研究了器件气密封装技术。讨论了封焊夹具、管帽镀层、合金状态、封接面表面、压块、焊料厚度以及加热程序对焊接质量的影响。密封后的产品在经过环境试验和机械试验考核后,封装气密性能很好地满足要求。并且结合应用背景证明了所采用的合金及封装工艺的可行性。     

微电子器件精密金属封装技术研究

文章重点讨论了影响金属器件封装的各种因素。同时对如封焊电流、压力、基座、盖板材料及封焊电极等影响气密封装结果的各种因素做了详细的分析。这些因素为保证器件的气密金属封装提供了可靠的工艺参考，     

MEMS封装中的封帽工艺技术

MEMS封装技术大多是从集成电路封装技术继承和发展而来,但MEMS器件自身有其特殊性,对封装技术也提出了更高的要求,如低湿,高真空,高气密性等。本文介绍了五种用于MEMS封装的封帽工艺技术,即平行缝焊、钎焊、激光焊接、超声焊接和胶粘封帽。总结了不同封帽工艺的特点以及不同MEMS器件对封帽工艺的选择。本文还介绍了几种常用的吸附剂类型,针对吸附剂易于饱和问题,给出了封帽工艺解决方案,探讨了使用吸附剂、润滑剂控制封装内部环境的方法。     

VLSI平行缝焊工艺技术

一、引言如图工，平行缝焊是利用脉冲大电流在电极和盖板。焊框接触处的高阻点产生的热量，使接触处盖板和下面焊框小区熔融、凝固后即形成一个焊点。电极不断向前滚动，通过调节脉冲电流（电压）大小、时间以及极运行速度，使一连串焊点适当交迭起来，从而形成气密焊缝。因采用一对锥形电极，形成平行的两条焊缝，故称平行缝焊。X、Y方向各焊一次即完成气密封帽。目前，国内用于大腔体集成电路的平行缝焊工艺，气密封帽成品率一直较低，包括引进设备。成品率一般在80％左右（101×10－7Pa·cm3／see，He）。旧设备、老工艺、国产管壳质量…     

微电子组件封装和封接技术的分析和最新进展

本文比较分析了集成电路,混合微电路和多芯片组件用的封装和封接方法,探讨最佳气密封装和高成品率熔焊以及其它传统的封接方法和焊料封接,玻璃封接和塑料封接,并着重强调了所用的材料和工艺方法,也简述了新出现的技术以及用于具体应用要求中的正确技术和材料的选择。     

密封微电子器件真空烘烤工艺研究

重点讨论气密封装微电子器件真空烘烤工艺,首先介绍了影响气密封装微电子器件内部气氛的主要因素,这些因素形成的原因以及对气密封装微电子器件的危害。影响气密封装微电子器件可靠性及稳定性的内部因素主要是水汽。分析消除气密封装微电子器件内部水汽及污染物的原理及方法,并详细分析如何通过选择温度、真空度、氮气、烘烤时间以及循环次数等工艺参数,在封装之前对气密封装微电子器件(在-55~125℃范围内释气)进行真空烘烤循环工艺处理,来消除器件内部的水汽及表面吸附的污染物。     

MEMS封装技术及标准工艺研究

分析了MEMS的特点及封装工艺对MEMS的影响,给出了对MEMS封装的基本要求.研究了MEMS封装工艺中的一些关键技术,即硅-硅和硅-玻璃键合技术、清洗与引线键合技术、焊料贴片和胶粘技术以及气密封帽技术等,并给出了一些重要的研究结果.同时也介绍对几种MEMS惯性器件的封装要求及封装方法.     

MCM-C金属气密封装技术

在介绍MCM-C常用金属气密封装方法的基础上,重点对MCM-C封装中工程实用性强、应用较多的平行缝焊密封工艺技术、链式炉钎焊密封工艺技术以及密封前的真空烘烤技术进行了较深入的研讨。实验结果表明,采用文中所述的MCM-C金属气密封装技术所封装的金属外壳封装MCM-C、一体化PGA封装MCM-C产品,在经受规定的环境试验、机械试验后,其结构完整性、电学有效性、机械牢固性、封装气密性均能很好地满足要求。     

2004年度电子封装科研开发与人才培养机构调研报告

1、电子封装科研院所 1.1总体情况 我国科研院所从事电子封装技术研究是与电子元器件的研制同时起步的,随着电子元器件技术的发展,电子封装技术也同步发展.特别是集成电路技术的发展,促进了电子封装技术日新月异的变化.封装形式从DIP、SOP到LCC、BGA、QFP等,管脚数从8条腿到280条都可以进行封装.     

HTCC产品气密性封装的平行缝焊工艺研究

平行缝焊作为气密性封装的一种重要封装形式,以其适用范围广、可靠性高等优势被广泛应用。在高温共烧陶瓷(High Temperature Co-fired Ceramics, HTCC)产品气密性封装应用时,有诸多因素可能会引起产品密封不合格,导致电路失效。从产品盖板和底座的清洁度、预焊过程控制、封装夹具制作及封装参数的设置4个方面研究了平行缝焊工艺对HTCC产品气密性封装效果的影响。研究结果显示,为减少平行缝焊时陶瓷管壳所受到的热冲击,在脉冲周期内脉冲宽度要短,焊封能量应尽可能小,同时平行缝焊工艺中非封装参数影响的焊道质量也会影响HTCC产品气密性封装的效果。     

QFP接地失效研究

SMT技术的发展促进了电子制造业的繁荣，芯片封装技术得到前所未有的发展，作为一种常规的封装形式，通过QFP封装技术（Plastic Quad Flat Pockage）实现的CPU技术蓟装操作方便，寄生参数减小，适合高频应用，基于QFP封装的以上特点，QFP的可制造性及产品的焊接可靠性要求也越来越高，根据业界各大厂商的提供的资料，焊脚的平面和接地焊盘的平面有0．05-0．15mm不等的间距，焊接的难点主要出现在接地不良以及I／O开路，为了提高制造良率，必须详细探讨QFP的结构特点，以便更好地提高整机焊接的可靠性。     

我国半导体封装业面临的形势和思考

半导体封装形态已由常规的SIP（单列直插式封装）到DIP（塑封双列直插式封装）等低价封装形式向小型化的SOP、PLCC、QFP、PGA方向发展，再向SSOP、TSOP、QFN、TQFP、WBBGA、MCM发展、再向CSP、WLCSP、PKG、3D、QFN／SON、SiP-BGA、3D-SiP等发展。也就是说：半导体IC、TR产品的封装形式向轻、薄、短、小发展，引线脚由低脚数的DIP、SO等逐渐转向UBGA及FC-CSP等CSP类型封装、     

集成电路采用银铜锡合金进行气密封装

引言 集成电路气密封装是电路生产中最后一道关键性的工序,为了得到长寿命、高可靠性、特别是国防工程上使用的电路器件,必须进行金属气密封装,即要求电路封装后不漏气。我国因气密封装技术未及时解决,过去曾有不少电路产品,在存放和使用过程中,由于漏气而性能变化损坏,甚至影响使用这些器件的军工项目的进行。     

产学研齐聚,共话封装水汽含量解决方案

由中国电子学会生产技术学分会电子封装专委会主办、环宇企业集团北京华天创业微电子有限公司协办“的解决电子元器件封装水汽含量问题”的技术交流会于2006年11月1日在北京召开。会议以“展示科研成果,提倡交流合作,促进行业发展”为主旨,汇聚了电子封装行业众多专业人士。交流会上,来自英国Hi-Rel Lids Ltd公司总经理Stuart Norris、美国Johnson Matthey公司总经理SteveCatchpole及国内有关专家分别就吸收水汽盖板技术、吸气剂技术、气密封装技术研究与发展、气密封装工艺存在问题和发展需求、平行缝焊盖板设计技术作了精彩演讲。对封…     

HG7159封帽工艺及管帽牢固性检测实验

从现有的封帽设备出发，通过一系列的实验，摸索出了一组较好的封帽工艺参数，并建立了一种检测封帽牢固性的有效手段。     

微小型一体化管壳气密封装技术

微小型一体化管壳将基板和外壳构成一个封装整体,可以较好地解决高密度集成微电路的封装难题。平行缝焊技术是微小型一体化管壳气密封装的主要形式,平行缝焊的热应力是造成微小型一体化管壳气密封装失效的主要原因。文章用有限元法计算了微小型一体化管壳的热应力分布,并在此基础上优化了平行缝焊参数,保证获得最佳的焊接效果。     

用于集成电路扁平封装的平行缝焊技术

随着半导体集成电路封装技术的迅速发展,国内扁平管壳和双列直插式管壳已先后试制成功并逐步采用。这些管壳本身结构虽属气密性的,但由于封帽问题未彻底解决,封装的气密性最终仍难得到保证。目前扁平封装最终达到气密封接的主要途径,一种是采用低温合金焊料,另一种是电阻熔焊技术。比较这两种封接方法其优缺点如下: