VLSI气密封帽成品率统计分析

一、概述随着VLSI技术的不断进步，封装形式日趋多样化，各种高密度封装形式如LCC、QFP、PGA、BGA纷纷出现，封装所需要费用越来越高。在VLSI的气密封装诸工序中，气密封帽是自动化程度相对较低的环节。这样，气密封帽的成品率就成为影响总的封装成品率的关健因素。因而，对气密封帽成品率进行统计分析，找出其影响因素并制定相应的改进措施，这对稳定和提高封帽成品率是非常重要的。二、封帽不合格品分类VLSI的气密封装主要有DIP、LCC、QFP和PGA等几种形式，由于密封工艺的不同，通常又可分为平行缝焊、低温玻璃封帽（俗称…     

合金焊料盖板选择与质量控制

在平行缝焊、储能焊、玻璃熔封、激光焊、合金焊料熔封等密封工艺中,合金焊料密封是高可靠密封的优选工艺。文章针对合金焊料密封工艺中常遇到的密封强度、密封内部气氛、焊缝及盖板耐腐蚀、薄形封装易短路等问题,介绍了通过合金焊料盖板的选择,从而控制密封强度、密封内部气氛、耐蚀性能和电性能等的质量。     

MEMS封装中的封帽工艺技术

MEMS封装技术大多是从集成电路封装技术继承和发展而来,但MEMS器件自身有其特殊性,对封装技术也提出了更高的要求,如低湿,高真空,高气密性等。本文介绍了五种用于MEMS封装的封帽工艺技术,即平行缝焊、钎焊、激光焊接、超声焊接和胶粘封帽。总结了不同封帽工艺的特点以及不同MEMS器件对封帽工艺的选择。本文还介绍了几种常用的吸附剂类型,针对吸附剂易于饱和问题,给出了封帽工艺解决方案,探讨了使用吸附剂、润滑剂控制封装内部环境的方法。     

微小型一体化管壳气密封装技术

微小型一体化管壳将基板和外壳构成一个封装整体,可以较好地解决高密度集成微电路的封装难题。平行缝焊技术是微小型一体化管壳气密封装的主要形式,平行缝焊的热应力是造成微小型一体化管壳气密封装失效的主要原因。文章用有限元法计算了微小型一体化管壳的热应力分布,并在此基础上优化了平行缝焊参数,保证获得最佳的焊接效果。     

真空炉金锡封焊

文章在介绍半导体金锡焊料封装工艺的基础上,重点对金锡焊料、炉温曲线设置等工艺技术问题进行了深入研究。基于大量的金锡焊料真空焊接封装实验及理论分析,研究了器件气密封装技术。讨论了封焊夹具、管帽镀层、合金状态、封接面表面、压块、焊料厚度以及加热程序对焊接质量的影响。密封后的产品在经过环境试验和机械试验考核后,封装气密性能很好地满足要求。并且结合应用背景证明了所采用的合金及封装工艺的可行性。     

HTCC产品气密性封装的平行缝焊工艺研究

平行缝焊作为气密性封装的一种重要封装形式,以其适用范围广、可靠性高等优势被广泛应用。在高温共烧陶瓷(High Temperature Co-fired Ceramics, HTCC)产品气密性封装应用时,有诸多因素可能会引起产品密封不合格,导致电路失效。从产品盖板和底座的清洁度、预焊过程控制、封装夹具制作及封装参数的设置4个方面研究了平行缝焊工艺对HTCC产品气密性封装效果的影响。研究结果显示,为减少平行缝焊时陶瓷管壳所受到的热冲击,在脉冲周期内脉冲宽度要短,焊封能量应尽可能小,同时平行缝焊工艺中非封装参数影响的焊道质量也会影响HTCC产品气密性封装的效果。     

气密性平行缝焊技术与工艺

气密性封焊的产品因其杰出的可靠性被广泛应用于军事应用。与储能焊、激光焊相比,平行缝焊具有可靠性高、密封性能优越、运行成本低及生产率高等特点,是微电子器件最常用的气密性封装方法之一。主要阐述了气密性平行缝焊技术与工艺,并对焊接工艺参数进行了详细分析,同时给出了气密性检测要求及针对性措施。     

半自动平行缝焊机的研制

平行缝焊技术是一种安全、高效、可靠的焊接方法。论述了平行缝焊设备的研制及总体设计方案,介绍了机体、电源系统、机械系统、控制系统及其相互配合。该设备已应用于金属、陶瓷管壳封装技术及其相关工艺的研究。     

平行缝焊焊缝质量的评判

平行缝焊是微电子单片集成电路及混合电路气密封装的一种关键密封工艺,其中焊缝质量的优劣对平行缝焊产品的密封质量、可靠性影响较大。虽然平行缝焊只是在盖板边缘进行局部加温,对外壳的整体升温比较低,但如果工艺控制不当的话,缝焊过程中同样会引入较大的热应力,导致焊环与陶瓷结合部位开裂,最终造成筛选、鉴定试验过程中的气密性失效。针对平行缝焊工艺中焊点、焊缝质量的评判方法进行了讨论。     

VLSI平行缝焊工艺技术

一、引言如图工，平行缝焊是利用脉冲大电流在电极和盖板。焊框接触处的高阻点产生的热量，使接触处盖板和下面焊框小区熔融、凝固后即形成一个焊点。电极不断向前滚动，通过调节脉冲电流（电压）大小、时间以及极运行速度，使一连串焊点适当交迭起来，从而形成气密焊缝。因采用一对锥形电极，形成平行的两条焊缝，故称平行缝焊。X、Y方向各焊一次即完成气密封帽。目前，国内用于大腔体集成电路的平行缝焊工艺，气密封帽成品率一直较低，包括引进设备。成品率一般在80％左右（101×10－7Pa·cm3／see，He）。旧设备、老工艺、国产管壳质量…     

用于集成电路扁平封装的平行缝焊技术

随着半导体集成电路封装技术的迅速发展,国内扁平管壳和双列直插式管壳已先后试制成功并逐步采用。这些管壳本身结构虽属气密性的,但由于封帽问题未彻底解决,封装的气密性最终仍难得到保证。目前扁平封装最终达到气密封接的主要途径,一种是采用低温合金焊料,另一种是电阻熔焊技术。比较这两种封接方法其优缺点如下:     

提高多芯片微波模块气密性的研究

伴随着现代微电子技术的高速发展,在一些特殊环境条件下使用的各种微波模块,需要进行密封封装,以防止器件中的电路因潮气、大气中的离子、腐蚀气氛的浸蚀等引起失效,采用气密性封装以延长器件的使用时间。密封的实现方式根据具体要求采取不同的措施,对于密封要求相对较低,可以采用锡封的方式实现;对于密封要求相对较高的,可以采用平行封焊的方式实现。影响平行缝焊质量的有诸多因素,盖板与平行缝焊的关系是相当重要的,在壳体性能稳定的情况下,盖板质量的好坏直接影响着器件的气密性,盖板和管壳之间的匹配、工艺参数的设置、电极表面的状态等对平行缝焊的质量都起着重要的作用。     

微电子器件精密金属封装技术研究

文章重点讨论了影响金属器件封装的各种因素。同时对如封焊电流、压力、基座、盖板材料及封焊电极等影响气密封装结果的各种因素做了详细的分析。这些因素为保证器件的气密金属封装提供了可靠的工艺参考,     

倒装焊器件封装结构设计

倒装焊是今后高集成度半导体的主要发展方向之一。倒装焊器件封装结构主要由外壳、芯片、引脚(焊球、焊柱、针)、盖板(气密性封装)或散热片(非气密性封装)等组成。文章分别介绍外壳材料、倒装焊区、频率、气密性、功率等方面对倒装焊封装结构的影响。低温共烧陶瓷(LTCC)适合于高频、大面积的倒装焊芯片。大功率倒装焊散热结构主要跟功率、导热界面材料、散热材料及气密性等有关系。倒装焊器件气密性封装主要有平行缝焊或低温合金熔封工艺。     

激光在混合微电路外壳封焊中的应用

本文概述了激光在微电子器件和电路外壳封装焊接中的应用特点，介绍了一种用于外壳封焊的激光设备的基本性能。针对某种多芯片混合集成电路的78X68毫米大型可伐合金外壳封焊的要求，初步地探讨了激光辐射特性对焊缝成型的影响以及焊接工艺参数和规范的选择。最后，还对可伐合金焊缝中易产生的缺陷及其防止方法进行了分析和讨论。     

产学研齐聚,共话封装水汽含量解决方案

由中国电子学会生产技术学分会电子封装专委会主办、环宇企业集团北京华天创业微电子有限公司协办“的解决电子元器件封装水汽含量问题”的技术交流会于2006年11月1日在北京召开。会议以“展示科研成果,提倡交流合作,促进行业发展”为主旨,汇聚了电子封装行业众多专业人士。交流会上,来自英国Hi-Rel Lids Ltd公司总经理Stuart Norris、美国Johnson Matthey公司总经理SteveCatchpole及国内有关专家分别就吸收水汽盖板技术、吸气剂技术、气密封装技术研究与发展、气密封装工艺存在问题和发展需求、平行缝焊盖板设计技术作了精彩演讲。对封…     

黑瓷封装烧结工艺调节

文章介绍了低温玻璃熔封的基本原理,分析了黑瓷封装器件在封装过程中缺陷产生的原因。以日本801型链式烧结炉为例,通过烧结工艺及过程,论述了预烘、烧结气氛、封盖温度、保温时间、升降温速率以及其他因素对黑瓷封装熔封工艺的影响,根据这些影响黑瓷封装熔封工艺的因素进行细化工艺。最后,总结出器件缺陷产生的几种常见形式,并针对性地提出了具体调节黑瓷封装熔封工艺的一些技,亍和方法,以及这些技巧和方法的适用范围,以便掌握黑瓷封盖的基本规律,在以后生产中提高产品可靠性和合格率。     

影响平行缝焊效果的各工艺参数的分析

平行缝焊是对集成电路管壳进行气密性封装的一种手段,这是一种低热应力、高可靠性的气密封装。平行缝焊最佳效果是管壳回流区域连续无孔隙,且管壳温度又不过高。文章主要以如何能够使平行缝焊效果达到最佳为主体,从平行缝焊的工作原理出发,对平行缝焊过程的主要工艺参数进行分析,并叙述了每个参数的变化对平行缝焊热量的影响以及各工艺参数间如何相互配合,才能获得平行缝焊最佳效果。最后,通过具体事例来说明怎样设置各参数才能获得最佳效果。因此,在平行缝焊过程中一定要注重缝焊参数的选择,保证获得最佳缝焊效果。     

低温玻璃高可靠气密密封

一、前言黑陶瓷低温玻璃封装工艺，它具有结构简单装配容易、气密性好、散热性能较好如图3（a））外引线电阻极易做到小于0．02Q（而多层陶瓷金属化外引线电阻要小于0．ZQ较困难）；覆铝外引线与硅铝丝键合可形成单金属互连，避免了All－Pll金属间化合物脆性相的产生和危害；还能满足集成电路对光的屏蔽’“”’。封装的电路外形美观漂亮，一致性好，成品率高，成本低，适于大生产，在高可、＞性气密封装中“’（见图1）具有显著的优越性。外引线框在通有保护性氮气的链式炉或密封炉中与印刷好低温玻璃浆料的底板烧结上，再用耐高温绝缘胶…     

MCM-C金属气密封装技术

在介绍MCM-C常用金属气密封装方法的基础上,重点对MCM-C封装中工程实用性强、应用较多的平行缝焊密封工艺技术、链式炉钎焊密封工艺技术以及密封前的真空烘烤技术进行了较深入的研讨。实验结果表明,采用文中所述的MCM-C金属气密封装技术所封装的金属外壳封装MCM-C、一体化PGA封装MCM-C产品,在经受规定的环境试验、机械试验后,其结构完整性、电学有效性、机械牢固性、封装气密性均能很好地满足要求。