国外简讯

1.3GHz的SAW器件美国康涅狄格州声子公司采用亚微米晶片光刻技术制成工作频率达1.3GHz的SAW器件.ID1300型色散延迟线中心频率为1.3GHz,带宽500MHz,色散时间达0.56μs,对线性FM信号的最大压缩脉冲输出响应为3ns.此器件未采用加权法,体积为15.2×5.6×19.1mm,器件为密封式,完全满足军品规范的要求.     

一种新型超宽带带通滤波器的设计与实现

传统的超宽带带通滤波器阻带较窄,不能有效抑制谐波.为了抑制超宽带系统中的高次谐波,进一步提高接收机的灵敏度,在分析叉指谐振器、半圆型缺陷地结构和阶梯阻抗并联枝节结构的基础上,设计了一种新颖的超宽带带通滤波器,该滤波器具有较好的阻带特性.最后使用Agilent N5230A矢量网络分析仪对其进行测试,测试结果表明该滤波器工作频带为3.1～10.6GHz,通带内插损小于1.5dB,上阻带的工作频率可以超过18GHz,抑制电平达到-10dB,能有效抑制谐波.     

纪念声表面波器件的奠基人——英国物理学家瑞利发现瑞利波100周年——声表面波器件的最新进展(三)

六、色散延迟线 1. 脉冲压缩系统 SAW色散延迟线的延时是输入信号的瞬时频率的非守恒函数。在历史上,色散延迟线是最先利用SAW技术的器件之一。至今,SAW器件在雷达中应用得最成功的是用于脉冲压缩系统。     

3.4GHz频率的S波段SAW滤波器

该文研制了一款频率3.4 GHz的S波段声表面波(SAW)滤波器。该滤波器采用一种由新型谐振器构成的阻抗元结构,能提升抗热释电静电损伤能力,用时可在一定程度上提升器件的功率承受能力。同时研制了尺寸为2.0 mm×1.6 mm的芯片级封装(CSP)基板。采用倒装焊工艺实现了芯片与CSP基板的电连接,降低了电磁寄生影响。结果表明,研制的SAW滤波器频率为3.408 GHz,插损为2.23 dB,8 GHz远端阻带大于30 dB,且实测的功率承受能力达到30 dBm。     

源区正面通孔电镀热沉结构的X、Ku波段功率GaAs MESFET

本文简述了采用源区正面通孔电渡热沉结构的三种器件(CX631、CX641、CX671)的设计要点和主要制作技术及性能。由于这种结构的FET的源区通过在极薄GaAs衬底上开凿的通孔和散热电极直接接地,使器件的源寄生电感和热阻大大下降,使得器件在X、Ku波段获得较高增益。CX631器件在12GHz下,P_0≥40mW,G_p≥10dB,较好器件P_0为58mW,G_p为11.6。CX641器件在18GHz下,P_0≥30mW、G_p≥5dB,载体装配器件G_p可达7dB。最好器件P_0可达50mW。CX671器件在12GHz下,P_0≥80mW,G_p≥9dB,最好器件输出功率可达140mW。     

158MHz GaAs声表面波固定延迟线的研制

报道了GaAs声表面波(SAW)固定延迟线的设计方法和SAW器件金属剥离制造新工艺.研制出GaAs SAW延迟线,典型参数为：中心频率158MHz,插入损耗低于55dB,延迟时间1.5μs.     

一种新型超宽带带通滤波器的设计

针对超宽带(UWB)系统易受无线网络信号干扰及传统的超宽带带通滤波器阻带较窄,不能有效抑制谐波的问题,提出了一种新型的UWB带通滤波器,该滤波器由两级交指梳状耦合谐振器级联组成,通过增加耦合指的个数来实现陷波特性,然后在两个交指谐振器的中间添加一个槽线锥形谐振器,使该滤波器具有抑制高次谐波特性,达到拓宽高阻带的效果,同时由于槽线谐振器的加入,陷波频段的抑制电平进一步提高.实验结果证明,所设计的滤波器既能保证3.1～10.6 GHz频段内的插入损耗小于3 dB,陷波频段为5.7～5.8 GHz,陷波频段的抑制电平高达-43 dB,同时又能拓宽高频阻带.     

V波段波导短截线带通滤波器设计

设计和分析了V波段E面波导短截线带通滤波器。利用E面波导短截线带阻滤波器的通带-阻带特性与矩形波导的高通特性相结合,将波导短截线带阻滤波器嵌入WR-15矩形波导中,设计具有高阻带抑制性能、过渡边带陡峭、宽阻带范围的V波段宽带带通滤波器。采用"场"、"路"相结合的方法设计的带通滤波器,仿真与测试结果吻合较好,验证了该设计方法的有效性。经测试实现了18%的1 dB带宽,在50.0～57.8 GHz通带内插入损耗≤1 dB,阻带频率58.9 GHz处抑制为43.6 dBc。     

基于一种改进型DMS结构的极窄带SAW滤波器

该文采用一种改进型双模声表面波(DMS)结构来设计1.5 GHz的极窄带声表面波(SAW)滤波器。DMS结构两端的反射器采用分布式多周期加权结构能够消除在声通道上传播的多种声反射模式。为灵活设计滤波器阻带抑制及带宽指标,在DMS结构的两个叉指换能器(IDT)之间加入反射器。结果表明,研制的极窄带SAW滤波器中心频率为1.5 GHz,实测带宽为878.75 kHz,插入损耗为5.8 dB,阻带抑制达到45 dB。     

基于开路T型结构的小型化超宽阻带滤波器设计

传统滤波器由于寄生通带的存在,其高频阻带性能较差。随着超宽带雷达系统和超宽带通信系统的发展,小型化宽阻带的滤波器已成为一项紧迫的技术课题。该文论述了一种普适性的基于开路T型结构的小型化超宽阻带滤波器结构,这种滤波器和传统滤波器相比,结构极为紧凑,5倍基频范围内的寄生通带均被抑制,而通带性能保持良好。基于此结构实际制作了一个截止频率为2.9 GHz的低通滤波器,测量得到的通带内平均插入损耗仅0.67 dB,带内平均驻波比为1.33,过渡带陡峭,40 dB矩形系数仅1.096,而所测得的阻带从3.23 GHz到10.30 GHz之内谐波抑制大于36 dB,从10.30 GHz到15 GHz之内谐波抑制大于27 dB;该滤波器的长度仅为传统的同类型滤波器的长度的37.1%,面积大大减小。仿真和测量结果表明该类型滤波器同时满足了小型化和宽阻带的性能需求。     

18–40-GHz Beam-Shaping/Steering Phased Antenna Array System Using Fermi Antenna

This paper concerns 18-40 GHz 1times 16 beam shaping and 1times 8 beam steering phased antenna arrays (PAAs) realized on a single low-cost printed circuit board substrate. The system consists of a wideband power divider with amplitude taper for sidelobe suppression, wideband microstrip-to-slotline transition, a low-cost true time piezoelectric transducer (PET)-controlled phase shifter, and wideband Fermi antennas with corrugations along the sides. A coplanar stripline is used under a PET-controlled phase shifter, which can generate 50% more phase shift compared to the perturbation on microstrip lines previously published. The systems are fabricated using electro-fine-forming microfabrication technology. Measured return loss is better than 10 dB from 18 to 40 GHz for both the beam-shaping and beam-steering PAAs. The beam-shaping PAA has a 12deg 3-dB beamwidth broadening range. The sidelobe ratios (SLRs) are 27, 23, and 20 dB at 20, 30, and 40 GHz, respectively, without perturbation. The SLRs are 20, 16, and 15 dB at 20, 30, and 40 GHz with maximum perturbation. The beam-steering PAA has a 36deg (-17deg to +19deg ) beam-scanning range measured at 30 GHz.     

一种具有陡峭边带的宽带带通滤波器设计

基于一种新型的多模谐振器设计了一款宽带带通滤波器,该多模谐振器由鱼骨形谐振器及中心加载倒T形谐振器构成。滤波器的中心频率位于2.47 GHz,相对带宽为100%。滤波器具有极高的频率选择性,其边带滚降速度分别为232 dB/GHz和168 dB/GHz。此外,滤波器还具有较低插入损耗0.4 dB,紧凑的电路尺寸以及宽阻带抑制能力。     

分布式宽带微波光纤传输幅相一致性技术

针对分布式宽带微波频率信号光纤传输的幅相一致性,本文设计了一种反馈控制方案.由于无法通过待传输宽带微波信号直接获取光纤传输时延信息,引入了一个点频参考信号.由于参考信号和待传输宽带微波信号在同一根光纤中波分复用传输,参考信号可以感知和反馈光纤传输时延及其波动.为了满足多路信号接收的幅相一致性,设计了基于光开关的轮询式多...     

一种便携SAW气体传感器的电路设计

该文采用信号处理技术,设计了一种振荡电路。该电路解决了双延迟线型声表面波(SAW)器件不易起振,频率跳变等问题。整个电路结构简单,对插损低于20 dB的器件有很好的起振效果,满足气体检测的需要。     

96 MHz锥形叉指宽带声表面波滤波器

介绍声表面波锥形叉指换能器的基本原理,采用折线电极锥形叉指换能器制作的TD-SCDMA制式用96MHz宽带滤波器,1dB带宽4.8MHz,15dB抑制小于6.4MHz,插入衰耗约12dB,封装为SMD(13.3mm×6.5mm)。     

80–360 GHz very wide band millimeter wave network analyzer

An extension to a 20 GHz HP8510C Network Analyzer has been built for wideband measurements between 80 and 360 GHz. Improvements relative to the first version [1], [2] include new harmonic mixers, and an active doubler. Dynamic ranges up to 60 dB in transmission and 50 dB in reflection are obtained up to 280 GHz, with more than 50 GHz instantaneous bandwidth using waveguide calibration. Detection with a 30 dB dynamic range is obtained at 320 – 360 GHz. Time domain measurements give spatial resolution down to 2 mm.     

MQW tuned semiconductor lasers with uniform frequency response

A tunable semiconductor laser with an intrinsically wideband uniform frequency response has been developed, using the quantum confined Stark effect in quantum well material as the tuning mechanism. A frequency response uniform within 3 dB from 20 kHz to 1.2 GHz was achieved, limited by the measuring system at low frequencies and by device capacitance at high frequencies. Analysis shows that with optimised tuning elements a uniform frequency response to over 50 GHz should be achievable with this technique     

Principles of creation of microwave delay lines based on nanoscale ferroelectric films

A principle of creating a miniature wideband microwave delay line based on ferroelectric films is considered. On the basis of the results of theoretical and experimental studies, it is shown that the use of films in the design of a delay line makes it possible to increase the range of operating frequencies up to 35 GHz, reduce direct loss to 3.0 dB, and set a delay time of 10 to 90 ns at a control voltage of 30 V /μm.     

Ka波段开关线型MEMS移相器的设计与研究

面向现代通信及相控阵雷达领域的需求,设计了一种移相间隔为22.5°的Ka波段4位开关线型射频MEMS移相器。主要对实现移相功能的四个移相单元进行了设计,采用台阶补偿技术优化移相单元上下通路分工选通,以提供最佳的阻抗匹配;采用直角转角结构,设计了可提高CPW直角性能的延迟线,并对应用该延迟线的4位开关线型移相器进行了总体设计。用HFSS进行建模仿真,结果表明,在0~40 GHz工作频段内,16个状态的插入损耗均小于2.15 dB,回波损耗均大于19.18 dB,驻波比均小于1.25,在40 GHz频点处的相移误差在1.57°以内,整体尺寸为10 mm²。     

基于声表面波技术的微波程控延迟线

国际通用的无线电高度计频段在4．3GHz，高度计校准和相应的目标模拟一般都采用同轴电缆延迟线或声体波微波延迟线。通过方案的对比，介绍了一种利用声表面波高频延迟线进行程控级联，并采用电路上下变频使其工作在微波频段上的微波程控延迟线，经过理论与实验分析，给出了测试结果，为SAWDL的应用提供了新的思路。