应用于跨导放大器设计的线性度优化方法

 基于跨导放大器线性度理论和数学分析,提出了一种提高线性度的方法.该方法通过数学理论分析和模拟实验证实,双端输入双端输出结构的跨导器线性度优于单端输入单端输出的跨导器,且两个输入端信号满足一端是另一端幅度的4/3倍加1时,跨导器线性失真度最小.根据该优化方法设计了一种新型跨导器,仿真实验表明,跨导器无杂散动态范围为60.25dB,噪声平台达到-100dB.     

一种采用增益增强技术的全差分运放设计和实现

设计了一种采用增益增强技术并带有共模反馈的全差分运算放大器.该运算放大器主要由三个折叠式共源共栅结构的运放、一个偏置电路和一个共模反馈电路组成.运算放大器采用chartered 0.35 μm CMOS工艺实现,仿真结果表明运放开环增益为106.8 dB,单位增益带宽为58 MHz,相位裕度为79°(负载Cload=1 pF).对流片运放进行测试和分析,运算放大器测试指标和仿真指标基本接近,较好达到预先的设计要求.     

一种基于准浮栅技术的新型低压全差分运算放大器

讨论分析了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路。基于准浮栅 PMOS 晶体管,设计实现了全差分运算放大器。在 1.3V 的单电源电压下,运算放大器的最大开环增益为 63.7dB,相位裕度为 63°,单位增益带宽为26.1MHz。利用本文设计的准浮栅全差分运放,设计实现了增益可调的放大器。     

电流激励神经信号再生电路

介绍了一种电流激励神经信号再生电路,该电路由探测电路和激励电路组成。探测电路由全差分运算放大器和仪表放大器组成。全差分运算放大器从神经元上端探测并放大神经信号,仪表放大器对信号进一步放大。最后激励级的跨导放大器将电压线性的转化为电流。电路采用CSMC0.5μmCMOS工艺设计,芯片版图尺寸为0.93mm×0.60mm。芯片的仿真结果为：在±2.5V供电电压下,功耗为8.1mW,输出电流最高可达0.357mA,输出电阻为152kΩ,总谐波失真小于1.9%。     

一种降低高频噪声的前置全差分运算放大器

提出了一种降低高频噪声的前置全差分放大器.运放内部采用了两组偏置电路,一组用于单位增益缓冲器电路,一组用于放大电路.为了确保电路稳定性又不增加设计难度,将单位增益缓冲器电路与共模反馈回路结合起来.设计采用HHNEC 0.18μm BCD工艺,Cadence Spectre仿真表明,正常工作时共模反馈的环路增益84.93dB,单位增益带宽9.52MHz,相位裕度67.62°;启动时单位增益缓冲器电路的环路增益85.18dB,单位增益带宽8.93MHz,相位裕度67.2°;关断时,单位增益缓冲器电路的环路增益63.26dB,单位增益带宽2.28MHz,相位裕度88.66°.实测表明,设计降低了D类音频功放在开启和关断时的噪声.     

一种新型的0．5V全差分运放的设计

提出一种新型的工作在0．5V电源电压下两级低压全差分运放,该运放结构是带有共模反馈的密勒补偿运放,拥有更强的抗噪声能力和共模电源电压抑制能力,带宽更大,提高了系统的稳定性。输入信号由晶体管的栅极加入,这点与传统的电路结构相吻合,并采用衬底自偏置解决了阈值电压对电源电压降低的限制,更易于实现。该运放结构是基于SMIC0．18μm标准CMOS工艺,HSpice仿真结果表明,这种结构的开环增益可以达到76dB,单位增益带宽150MHz。     

一个对温度不敏感的高增益运算放大器设计

功率放大器是大功率器件,其自身会消耗大部分的功耗,并导致功率放大器芯片的温度在一个很大的范围内变化,因此功率放大器的控制电路需要对环境温度的变化不敏感。针对这一要求,设计出一个对温度不敏感的全差分CMOS运算放大器,该运算放大器采用TSMC 0.18μm工艺,选用折叠式共源共栅、宽摆幅偏置电路结构。在负载电容为10 pF条件下,最大直流增益达到115 dBm,相位裕度为70°;在整个温度范围内（-40~＋125℃）运算放大器的增益变化仅为1 dBm,相位裕度仅变化5°,满足设计要求。     

集成运放的非线性失真分析及电路应用

集成运放差分放大电路的非线性失真分析,可以用来对集成运放电路特性进行优化设计,抑制带内各次谐波的产生。对双集成运放AD8062的非线性参数分析,优化其外围电路的连接方式,减小共模输入电压,实现了集成运放的线性输出。AD8062的电路优化设计提高了ISM频段定位系统接收前端射频电路增益,有效抑制了各次谐波的产生,输出信号幅度满足后端A/D采样器的门限要求。     

驱动功率放大器微分叠加技术的分析与实现

本文提出了一种新的统一表达式,用于分析微分叠加技术在大信号和小信号时的效果。根据该表达式,微分叠加技术在大信号和小信号时有不同的优化方法。在0.13μm工艺下实现了一种用于可配置射频发射机的使用大信号微分叠加技术的驱动功率放大器。该驱动放大器兼容900 MHz频段的GSM信号和1.95 GHz频段的WCDMA信号,其增益范围可达44 dB,增益步长为2 dB。测试结果表明,该发射机的总体OIP3可达19 dBm,其输出1 dB压缩点可达7.5 dBm。     

高精密度、高稳定度的应变计测量差动放大电路

针对微应变片的高精密度、高线性度、高稳定度及较高增益的测量要求,采用仪用放大器AD625为核心器件,通过将精密匹配的电阻对安装于器件的恒温位置的巧妙设计,尽可能地消除电路中存在的共模电压,由于电路布局使匹配电阻的温度变化基本一致,也极大地降低了温度漂移的影响,从而获得了一种适用于微应变计测量的高性能差动放大电路,其增益的线性度达到约0.01%的水平,共模抑止比达到129dB。     

900MHz 低噪声功率放大器的仿真设计

低噪声放大器的特点是噪声系数小而输出功率较小,功率放大器的特点是输出功率较大而噪声系数较大。为了实现噪声系数小而输出功率较大的放大器,本文结合低噪放和功率放大器的设计方法,设计了一种用于谐波雷达发射机的低噪声功率放大器,该放大器由两级放大器组成,前级主要实现低噪声功能,后级主要实现功率增益。通过优化仿真设计,该放大器达到了比较理想的结果,具有良好的线性度和二次谐波抑制能力。     

高线性度低功耗的4阶开关电容低通滤波器

介绍了一种应用于传感器的高线性度低功耗全差分4阶贝塞尔开关电容滤波器.该滤波器的运算放大器为输出AB类运算放大器,通过AB类运算放大器以及开关电容共模反馈的设计,降低了功耗.在运算放大器中设计了线性跨导环,并通过对电路的拓扑结构进行优化,提高了滤波器的线性度.测试结果表明,在采样频率为1 MHz下,该滤波器的截止频率为10.05 kHz.在输入信号频率为1 kHz,输出信号的总谐波失真(THD)为-89 dB(摆幅为2 V),功耗为5.54 mW,达到了高线性度、低功耗的设计要求.     

PNP与NPN管放大电路输出波形失真情况仿真比较

许多模拟电子技术教材在讨论放大电路输出波形失真情况时,均以NPN管放大电路作为对象来分析,对于PNP管放大电路并没有详细介绍。在此对PNP管放大电路与NPN管放大电路输出波形的失真情况从理论及实验结果两方面做了详细的说明和比较。对帮助初学者掌握和理解问题具有重要意义。     

一种0.8V 2.4μA CMOS全差分放大器

基于0.25μm标准CMOS工艺,采用0.8V开关电容共模反馈电路技术和PMOS衬底驱动技术提出了一种新型0.8V 2.4μA全差分放大器.在0.8V单电源电压下,全差分放大器的直流开环增益为63.8dB,相位裕度为60度,单位增益带宽为7.4MHz,输出电压范围为18～791mV,其中新型模拟开关的输入/输出电压范围为0～800mV,整个放大器的电源电流为2.4μA,版图面积为410×360μm2.     

应用于心电采集系统的低谐波失真全差分VGA测试验证

本文通过理论分析和流片测试验证了一个应用于心电采集系统的具有较低总谐波失真(THD)的全差分VGA。该VGA采用电容反馈技术来降低系统的非线性。本系统基于SMIC 0.18-μm CMOS工艺进行设计和流片,芯片面积仅为0.11 mm2。芯片测量结果同电路后仿真结果相吻合。测试结果表明VGA以3dB的增益步长由6.17dB到43.75dB变化,其高通角频率和低通角频率分别为0.22Hz和7.9kHz;各个增益级下获得最大的THD为-59.4dB。表明了该全差分VGA具有低的THD,其主要性能指标均满足心电采集系统在UWB健康监护与遥测系统中的应用要求。     

前馈技术在改善功率放大器线性中的应用

推导并分析了存在增益和相位跟踪等误差情况下,功率放大器前馈技术对三阶线性失真的改善情况,并从原理上论述了前馈技术的工作原理.前馈技术一般可将三阶互调降低10～30 dB,在新一代的抗干扰跳/扩频电台中有广泛应用.     

SiGe HBT功率放大器基极偏置电阻的优化

模拟了基极偏置电阻对功率放大器参数的影响.在兼顾效率、S参数、电压驻波比、功率增益及稳定性等特性的同时,得到了三阶交调信号幅度为最小值时的优化基极偏置电阻.模拟结果表明,一个优化的基极偏置电阻,不仅能使功率放大器的直流偏置点不受影响,三阶交调信号幅度最小,功率增益平坦度得到改善,而且S参数也能满足功放的要求.