功率GaAs FET

本文叙述了目前在研制功率GaAs FET过程中对器件的输出功率有比较重要影响的诸多因素,例如器件的几何结构、源引线寄生电感、热阻、击穿电压等等,以及对这些因素加以克服或限制的技术。折衷的结果将使所研制的器件具有良好的微波性能。     

GaAs FET薄膜组件

日本电气公司生产出用于K波段12GHz的砷化镓FET薄膜组件.该组件内含两个金属半导体FET和阻抗匹配电路等,输入输出阻抗为50Ω.有MC-5875A/B两种型号,在11.7～12.2GHz(带宽500MHz)时,MC-5875A(前级用放大电路)的最大噪声系数为2.2dB,最小增益为16dB;MC-5875B(末     

低压GaAs功率FET

低压ＧａＡｓ功率ＦＥＴ据《ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＷｏｒｌｄ》１９９３年第１５期报道，日本松下电器工业公司已制成３．５Ｖ低压（与以前电源电压４．７Ｖ相比）工作的ＧａＡｓ功率ＦＥＴ。新产品的特点：（１）开发了ＧａＡｓ衬底表面缺陷较少的新工艺，上升电压...     

Ku波段高功率GaAs FET

报导Ｋｕ波段高功率ＧａＡｓＦＥＴ的制造技术，包括全离子注入、０．５μｍ自对准栅、高可靠欧姆接触、干法生长和刻蚀、背面通孔、内匹配和合成技术。器件由两个９．６ｍｍ栅宽的芯片组成，在１１．２～１１．７ＧＨｚ频带内，一分口增益压缩输出功率８Ｗ，增益６ｄＢ，功率附加效率２４％。     

60GHz GaAs FET放大器

用1/4μm栅结构研制出新的毫米波场效应晶体管(FET)器件。这个器件在波导-微波集成电路(MIC)放大器电路中从55～62GHz有5.0±0.5dB的增益,在60GHz下最小噪声系数为7.1dB。     

10GHz低噪声GaAs FET

在5cm波段GaAs FET研究的基础上,采用氧离子注入代替化学腐蚀台面作隔离,用普通接触式光刻曝光一金属剥离技术制作0.8～1.μ的栅条,并采用深挖槽等方法,我们已试制出3cm的GaAs FET。这种用生陶瓷管壳封装的器件,在10GHz下,噪声系数N_F=4.7dB、增益G_(N_F)=4.7dB,或者N_F=5.8dB、G_(N_F)=7dB。其管芯照片示于下图。     

微波功率GaAs FET放大器

介绍了采用新型GaAs功率FET研制覆盖频率为6～12GHz的宽带微波放大器的方法。本文叙述了一种特殊电路布局,它不仅把边缘耦合传输线用于阻抗匹配,而且还用来作为输入和输出隔直耦合元件。文章还讨论了X波段1W22dB增益GaAsFET放大器的微带电路设计。给出了微波性能特征,例如交调、调幅与调相的变换以及噪声系数等。     

毫米波工作频率的GaAs FET

据日本《电子技术》1998年第3期报道，日本村田制作所采用GaAs半导体衬底，制作了毫米波工作频率的场效应管。器件采用了该公司独特的GaAs基绝缘栅掺杂沟道异质结构（如图）。其半导体叠层组成为Si掺杂CaAs层（源、漏极下），无掺杂GaAs层（栅极下的绝缘层），Si掺杂InGaAs层（沟道层）。在高频工作下可降低寄生电容和寄生电阻。采用光学曝光的0．2μmT型栅，获得110GHz的特征频率和200GHz以上的最大振荡频率。毫米波工作频率的GaAs FET@孙再吉     

12GHz GaAs FET放大器

<正> 1983年南京固体器件研究所研制定型的GaAs FET,在频率高达12GHz时,有优良的微波性能。该器件的噪声系数最佳水平F_(min)≤1.5dB,已与近年来国际上同类产品的先进水平相当。此器件的研制成功,为制作卫星通讯中12GHz FET放大器解决了关键性器件。 WC60型GaAs FET是凹槽结构,栅长为0.5μm,采用1.8×1.8mm方形金属陶瓷管壳气密封装。该器件的典型“S”参数列于表1。     

S波段GaAs功率FET

论述了S波段GaAs功率FET的设计、制造和性能。38.4mm栅宽的器件,在3～3.5GHz范围内,已产生出高达20W的脉冲功率,增益8dB。     

Ku波段功率GaAs FET

<正> 最近,电子部第十三研究所研制了Ku波段功率GaAsFET,对于K波段雷达通讯、卫星通讯以及电子对抗等方面的应用具有较重要的意义, 获得GaAs功率器件在Ku波段方面的进展,是由于采取了一系列的先进的工艺和结构设计,其中包括亚微米微细加工技术,源区正面通孔电镀热沉结构等等。器件的性能由两种装配形式测量获得。芯片载体装配器件:在18GHz下,输出功率大于30mW,相应增益7dB。其水平相当于美国微波半导体公司的MSC88199,载体装器件(18GHz,G(?):5dB,P_o:25mW,1984年)。管壳密封器件在18GHz下,输出功率大于30mW,相应增益5dB。其水平相当于美国Gould微波公司DXL-3501A-P70,管壳密     

4GHz低噪声GaAs FET和80K FET放大器

<正>为进一步满足国内卫星通信事业发展的需要,使FET低噪声放大器的性能赶上世界先进水平,南京固体器件研究所正抓紧FET及其放大器的研究,最近又取得了新的进展.用该所研制的FET组装的4GHz放大器样机主要性能如下:     

GaAs MES FET的实验模型

本文描述了适合于象SPICE那样的通用电路模拟程序的GaAs MESFET精确的非线性模型。为了提高通用性,SPICE之类的程序要求以尽可能少的参数描述的简单模型,但仍要满足一定的精度范围,基于这个原因,采取了完全实验的方法。漏电流的直流模型由七个参数确定,MES二极管方程和基本电容模型用另外六个参数来确定。模型已由SPICE程序完成,而且,得出的几个特性已表明了模型的精确性。     

GaAs FET高输出放大MMIC

ＧａＡｓＦＥＴ高输出放大ＭＭＩＣ据日本《电子技术））１９９４年第６期报道，日本三菱电机公司开发了高效率的ＭＭＩＣ，用于模拟便携电话的发射系统。由ＧａＡｓＦＥＴ两级放大器构成，在３．４Ｖ低压情况下，输出功率为３１ｄＢｍ（典型），效率达６０％（典型），其...     

异质结GaAs类MIS FET

本文报导了异质结类 MIS FET,该器件中用 n~+-GaAs 层作为栅,非掺杂的 GaAlAs 层作为绝缘层,非掺杂的 GaAs 作为半导体。这种器件的工作就像常开型 FET 一样,77K 时闽值电压为+0.035y、跨导为170mS/mm。阈值电压分散很小,所以这种器件对高速大规模集成电路应用很有吸引力。     

微波单片GaAs FET振荡器

文献[1]给出了第一个微波单片GaAs FET振荡器的实验结果。概述了振荡器的设计原理,指明了振荡器的设计程序和在半绝缘GaAs衬底上制造各种电路元件的技术,叙述了振荡器的性能并作了评论。     

GaAs FET振荡频率理论研究

本文从设计理上系统地推导和分析了共源、共栅和共漏组态下的GaAsFET振荡频率,并研究了温漂和时漂等问题,理论能较好地解释实验结果。     

高效率B类功率GaAs FET放大器

B类工作、谐波调谐和改进器件是提高功率GaAsFET放大器功率附加效率的三个重要因素。本文综述了国外B类功率GaAsFET放大器的现状。     

宽带GaAs FET功率放大器的计算机辅助设计

本文叙述了采用静态法模拟GaAs FET大信号模型和以该大信号模型设计宽带GaAsFRT功率放大器的方法.在分析电路时,提出了一种对非线性电路进行交流大信号稳态分析的有效方法:时一频转换循环迭代法.编写了一个优化设GaAs FET功率放大器的计算机程序GFPA.采用该程序设计制作了一个单级宽带GaAs FET功率放大器.在未作任何调整的情况下,该放大器的实测性能与其理论计算符合较好.     

C波段30W GaAs功率FET

<正>据日本《东芝评论》杂志1992年第3期报道,在最近的微波通信中,正采用大容量的数字通信系统,迫切需要小失真、大功率的GaAs FET。为此,日本东芝公司已研制成小失真、大功率C波段30W GaAs功率FET。 这种FET比现有20w FET的性能有进一步提高,在管壳内合成4个采用p型杂质离子注