Quaternary static latch circuit

A new voltage-mode quaternary CMOS static latch circuit is presented. Only devices available in a standard digital CMOS fabrication technology—enhancement-mode NMOS and PMOS transistors with single threshold voltage values—are used. No depletion-mode devices or special transistor threshold voltages are required. Three reference voltages and ground are used to define the logic levels. The operation of the quaternary latch is experimentally verified. Using data for a standard 2-micron digital CMOS fabrication technology, best- and worst-case on-chip setup and hold times are estimated, using simulation, to be approximately 2.8 ns and 6.8 ns, respectively.     

毫米波经络效应机制建模分析——受激细胞谐振-扩散链(ECRDC)假设

本文结合针刺经络学说、电磁场理论和生理学的理沦,分析了毫米波辐射微弱能量作用于人体穴位产生的医疗效果.建立了受激细胞谐振-扩散链模型的假设,作为毫米波针刺效应的机理模型.用于分析毫米波无伤针剌的疗效和其应用.     

3毫米波段HEMT

描述了３毫米波段ＨＥＭＴ的发展及现状，介绍了低噪声和功率器件的关键技术，即最佳结构的ＭＢＥ材料、０．１μｍ栅长制造和测量技术。     

砷化镓毫米波器件

叙述了GaAs MESFET、GaAs HEMT和GaAs耿氏器件等新一代GaAs毫米波器件的发展现状。     

A low power-delay-product and robust Isolated-DICE based SEU-tolerant latch circuit design

Soft-error interference is a crucial design challenge in the advanced CMOS VLSI circuit designs. In this paper, we proposed a SEU Isolating DICE latch (Iso-DICE) design by combing the new proposed soft-error isolating technique and the inter-latching technique used in the DICE (Calin et al., 1996 [1]) design. To further enhance SEU-tolerance of DICE design, we keep the storage node pairs having the ability to recover the SEU fault occurring in each other pair but also avoid the storage node to be affected by each other. To mitigate the interference effect between dual storage node pairs, we use the isolation mechanism to resist high energy particle strikes instead of the original interlocking design method. Through isolating the output nodes and the internal circuit nodes, the Iso-DICE latch can possess more superior SEU-tolerance as compared with the DICE design (Calin et al., 1996 [1]). As compared with the FERST design (Fazeli, 2009 [2]) which performs with the same superior SEU-tolerance, the proposed Iso-DICE latch consumes 50% less power with only 45% of power delay product in TSMC 90 nm CMOS technology. Under 22 nm PTM model, the proposed Iso-DICE latch can also perform with 11% power delay product saving as compared with the FERST design (Fazeli, 2009 [2]) that performs with the same superior SEU-tolerance.     

提高宽带毫米波行波管效率研究

针对影响宽带毫米波行波管效率的主要因素,对提高行波管效率的相关实用化技术进行了研究。通过螺旋线线路渐变技术、降低高频损耗、多级降压收集极三个方面的研究,使现有某一宽带毫米波行波管总效率由原来的10%提高到20%以上。     

具有高稳定性的超高增益回旋行波管放大器

该文结合线性理论和自洽非线性理论对Ka波段TE11模超高增益回旋行波管放大器的稳定性进行了研究。 研究揭示了回旋行波管中前向波绝对不稳定性和返向波振荡之间的区别,以及分布损耗技术对这两种自激振荡的抑制作用,并首次提出通过渐变磁场技术来提高系统的稳定性。基于该分析方法设计的Ka波段超高增益回旋行波管,采用电压100 kV,电流7 A,速度零散5％的电子注,获得了-1 dB的饱和功率带宽约5 GHz,最高增益约80 dB。     

超宽带毫米波行波管

简要介绍最新的超宽带毫米波连续波行波管研制工作进展情况。连续波行波管样管在18～40GHz频带内,输出功率达到40W。     

毫米波功率行波管工作电压的限制因素

本文分析了毫米波功率行波管工作电压与主要限制因素 ,结合具体的高频慢波结构估算了典型管子所能达到的水平 ,并给出了有关评价系数和计算公式 ,可以为设计毫米波功率行波管的高频慢波结构提供参考。     

毫米波空间功率合成技术及其发展

本文综述了当前国际上开展的毫米波准光功率合成和自由空间波功率合成两项新技术，简单地介绍了作者在以上两类功率合成技术研究方面所得的成果，提出了几个有待解决的研究课题。     

利用MAFIA程序设计8mm大功率输出窗

利用MAFIA程序对8 mm大功率输出窗进行了研究,分析了几种不同介电常数材料的特性.计算结果表明,利顿窗是解决功率与带宽这一矛盾的可行方案,而氮化硼瓷是这一结构唯一可以选用的材料.     

毫米波技术性能分析及其无源干扰方法研究

新型高效、大功率毫米波功率源、介质天线、集成天线、低噪声接收机芯片等相继问世,使毫米波技术发生了巨大的变革,并且大大地拓宽了它的应用领域.毫米波具有波束窄、带宽大、抗干扰能力强,可穿透雨、雾、战场浓烟、尘埃进行探测等一系列优点.因此,本文介绍了毫米波技术的优点及其可行的一些无源干扰方法.     

The influence of an LIGBT on CMOS latch up in power integrated circuit

The latch up characteristics of a CMOS adjacent to a high voltage lateral insulated gate bipolar transistor (LIGBT) have been experimentally investigated. While it has been found that the holding voltage and holding current of the CMOS do not strongly depend on the power device operation, the triggering voltage has been found to be critical to the power device operation.<>     

毫米波辐射计制导

本文描述了毫米波辐射计制导的工作过程，给出了各部分的主要参数，设计原则和计算公式；对作用距离进行了详细分析和计算；给出了目标面积与最大作用距离间的关系曲线。这些计算公式和数据对工程设计有实用价值。     

Ka波段分布作用速调管技术

本文主要介绍了一种Ka波段分布作用多注速调管的设计思路及其相关技术的研究成果;内容主要包括分布作用技术和多电子注技术在Ka波段速调管的应用;采用CAD技术对毫米波速调管设计的模拟研究,以及毫米波速调管制造技术的研究。文中将模拟计算和实验测试结果进行了对比验证,并提出了改进的方向。     

毫米波耦合腔行波管高频系统的基本特点与工艺结构综述

根据国外有关文献资料并结合工作实践,对毫米波耦合腔行波管高频系统的基本特点以及有关的工艺结构问题进行邀请赛,可供从事这方面研究工作的人员参考。     

多频非线性分析与毫米波平衡上变频器

本文介绍用梁式引线二极管制作毫米波平衡上变频器,其输出功率大于5dBm,变换效率大于10％,三阶交调失真小于-40dB。用多频非线性方法对其作理论分析,实验结果表明理论分析与实测结果具有较好的一致性。     

Ka波段毫米波耦合腔慢波结构高频特性的实验研究

通过对Ka波段毫米波耦合腔慢波结构进行的实验研究,对比了在两种较典型的色散情况下所对应的高频特性的差异,并进一步探讨了耦合腔慢波结构在不同色散情况下所对应的高频特性的基本规律,最后还列举了进一步改进耦合腔慢波结构高频特性的有效途径,可以为今后的设计工作提供必要的参考。     

K分布雨滴谱的应用

本文第一次用一种非高斯分布的概率模型Ｋ分布描述了雨滴尺寸分布的数密度。将此模型用于计算电波的降雨衰减率，相移率和去极化分辨率，发展它具有相当宽频带的应用性。