SiC 半导体材料与器件（1）

本文介绍了半导体ＳｉＣ材料的结构和特性、材料制备及器件研制的进展，并与Ｓｉ、ＧａＡｓ、金刚石等材料作了比较，强调指出ＳｉＣ做为一种接近实用的高温、高频、高功率和抗辐射器件材料的优越性，同时亦指出ＳｉＣ器件进一步实用化所需解决的问题及应用前景。     

蓝光半导体碳化硅──材料、器件和工艺

碳化硅（ＳｉＣ）是目前主要的蓝光半导体材料之一，国际上已初步实现了ＳｉＣ蓝光发光二极管的产业化。目前商品器件工作电压３．０Ｖ，工作电流２０ｍＡ时，发射波长４７０ｎｍ，功率１８μＷ，工作电流５０ｍＡ时，辐射功率可达３６μＷ。最近的实验研究发现，采用ＳｉＣ和氮化镓的合金制成的ＬＥＤ可大幅度提高发光效率，其发射功率的实验室水平已达８５０ｍＷ。文中从ＳｉＣ材料特性、ＳｉＣ发光器件及ＳｉＣ材料、器件工艺等几方面入手，综述了ＳｉＣ作为蓝光半导体材料及其器件和工艺的研究进展。     

迅速发展的SiC半导体技术

ＳｉＣ半导体技术在近几年得到了迅速发展。与其它半导体材料相比，ＳｉＣ独特的热特性和电特性，在功率和频率性能方面具有最高的品质因数。ＳｉＣ还适应于高温和辐射环境。从结构上看，ＳｉＣ具有多种同质异型体。本文概括介绍了ＳｉＣ材料特性、晶体生长和器件研制的进展情况，以及ＳｉＣ的应用前景。     

迅速发展的SiC半导体技术

ＳｉＣ半导体技术在近几年得到了迅速发展，与其它半导体材料相比，ＳｉＣ独特的热特性和电特性，在功率和频率性能方面具有最高的品质因数，ＳｉＣ还适应于高温和辐射环境，从结构上看，ＳｉＣ具有多种不同质异型体。本文概括介绍了ＳｉＣ材料特性，晶体生长和器件研制的进展情况，以及ＳｉＣ的应用前景。     

SiC材料,器件及其应用前景

ＳｉＣ是一种具有宽禁带，高击穿场强，高饱和电子漂移速度和高热导率的半导体材料，ＳｉＣ微电子与光是电子器件的潜在军事用途尤为引人注目，ＳｉＣ器件最有希望成为替代Ｓｉ以及饱和ＧａＡｓ在内的Ⅲ－Ｖ族化合物器件在高温，高速，高功率以及强辐照环境下应用的新型半导体器件。     

今日SiC电子学

ＳｉＣ是近几年迅速发展的一种半导体材料,在微波功率器件、功率电子开关器件、高温工作器件等方面比Ｓｉ和ＧａＡｓ具更大的优势。本文介绍了ＳｉＣ材料特性、材料制备及目前器件研制水平。     

今日SiC电子学

ＳｉＣ是近几年迅速发展的一种半导体材料,在微波功率器件、功率电子开关器件、高温工作器件等方面比Ｓｉ和ＧａＡｓ具有更大的优势。本文介绍了ＳｉＣ材料特性、材料制备及目前器件研制水平。     

Si掺杂B_4C半导体的热电性能

本文探讨了掺Ｓｉ对Ｂ４Ｃ半导体的热电性能（包括电导率、热导率及Ｓｅｅｂｅｃｋ系数）及显微结构的影响，应用小极化子跃迁机制，讨论了Ｓｉ掺杂Ｂ４Ｃ半导体的传输行为     

新型微电子和光电子材料SiGe／Si异质结构材料的发展

新型微电子和光电子材料──ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构材料的发展夏传钺（国家自然科学基金委员会，信息科学部１０００８３）刘安生，郑有斗（北京有色金属研究总院１０００８８）（南京大学物理系２１０００８）近半个世纪半导体的发展表明，硅材料所制备的器件和以硅大规...     

玻璃掺杂固溶半导体（ZnxCd1—xS）荧光效应

采用溶胶－凝胶工艺，以硫脲作为Ｓ的来源，在多也ＳｉＯ２玻璃中原位生长固溶半导体（ＺｎｘＣｄ１－ｘＳ）。利用ＸＲＤ证实在多孔ＳｉＯ２玻璃中微晶的存在，并根据衍射图估计微晶尺寸小于１０ｎｍ。测量了材料的室温荧光光谱，分析表明在多孔ＳｉＯ２玻璃中微晶结构不是以ＺｎＳ·ＣｄＳ形式存在，而是以ＺｎｘＣｄ１－ｘＳ形式的因溶半导体存在。