共查询到20条相似文献,搜索用时 140 毫秒
1.
PZT薄膜厚度对BMT/PZT复合薄膜结构及介电性能的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
采用液相旋涂法制备了Ba(Mg1/3Ta2/3)O3(BMT)/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)复合薄膜,研究了PZT薄膜厚度对BMT/PZT复合薄膜结构及介电性能的影响。随着PZT薄膜厚度的增加,BMT/PZT复合薄膜的介电常数呈线性增加。当PZT薄膜的厚度较小时,会明显地增加BMT/PZT复合薄膜的介电损耗;当继续增加PZT薄膜的厚度,介电损耗反而下降直到与BMT薄膜的介电损耗值接近。这是由于PZT的介电常数与介电损耗均明显高于BMT薄膜所致,而异质界面的存在抑制了PZT薄膜中畴壁的运动,使其对复合薄膜介电损耗的影响减弱。研究结果表明,PZT薄膜的引入可以提升BMT薄膜的介电常数而对介电损耗的影响不大。 相似文献
2.
3.
Mn-Mg共掺杂对钛酸锶钡薄膜介电性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO 2/Si衬底上制备了系列Mn-Mg共掺杂的钛酸锶钡(Ba 0.25 Sr 0.75 TiO 3)薄膜. X射线衍射以及场发射扫描电镜分析表明: 薄膜为钙钛矿结构且无杂相生成, 薄膜表面晶粒均匀、无裂纹. 测试了不同浓度掺杂薄膜的介电性能, 掺杂浓度为1mol% 时, 薄膜的介电常数、损耗、可调性和漏电流密度分别为200、0.010、38%、1×10-5 A/cm 2. 性能改善后的薄膜材料可以用来制作微波可调器件. 相似文献
4.
研究了锰掺杂对富锆PMN-PZT(铌镁酸铅一锆钛酸铅)陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能等方面的影响,并对实验结果作出物理机理的解释。实验结果表明:适量的锰掺杂有助于陶瓷晶粒的生长,并能有效地降低PMN-PZT陶瓷材料的介电常数和介电损耗,在锰掺杂量为3.0%(原子分数)时,εr:197、tanδ=0.15%,作为用于红外热释电探测器的陶瓷材料具有良好的介电性能。 相似文献
5.
富Pb的PZT铁电薄膜电性能异常 总被引:3,自引:0,他引:3
采用金属有机物热分解法制备了不同Pb过量的锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜。观测到Pb过量PZT薄膜电滞回线束腰与C-V曲线四峰的异常现象,其异常程度随时间回剧。这是薄膜样品有界晶和界面上的PbO2相所诱导的陷阱电荷对电畴产生钉扎的结果。陷阱电荷对电畴的钉轧程度与陷阱电荷的密度以及陷阱电荷与电畴的作用状况有关,通过改变晶界处的陷阱电荷的密度与分布可改变薄膜电性能的异常程度。 相似文献
6.
CVD金刚石薄膜的介电性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
对直流电弧等离子体CVD制备的金刚石薄膜的介电性能进行了研究,结果表明,金刚石薄膜的介电性能主要取决于样品的多昌性质以及表面和晶界处的非金刚石相和杂质成分。 相似文献
7.
PZT/PVDF复合材料的制备及介电性能 总被引:1,自引:0,他引:1
PZT材料具有高的介电常数,而PVDF有良好的柔韧性,采用化学溶解、旋涂成膜,并通过多层薄膜热压方法制备一定厚度的柔性PZT/PVDF复合材料.对其介电常数和介电损耗进行测量,并进行分析比较.由于复合材料具备高介电常数、低损耗和柔性的特点,可实现微带天线的小型化设计. 相似文献
8.
电极对PZT铁电薄膜的微观结构和电性能的影响 总被引:7,自引:0,他引:7
采用溶胶—凝胶(sol—gel)工艺分别在Pt/Ti/SiO2/Si和LNO/Si电极上制备Pb(Zr0.53,Ti0.47)O3(PZT)铁电薄膜。研究了不同电极材料对PZT铁电薄膜的微结构及电性能的影响。(100)择优取向的PZT/LNO薄膜的介电性能和铁电性能较(111)/(100)取向的PZT/Pt薄膜略有下降,但在抗疲劳特性和漏电流特性方面都有了很大提高。PZT/LNO薄膜10m次极化反转后剩余极化几乎保持未变,直至10^12次反转后,剩余极化仅下降了17%。 相似文献
9.
使用模具并采用磁控溅射法在铁电陶瓷PZT基体上沉积具有条形分布结构的Ni Ti SMA薄膜。显微组织结构观察发现,以条形分布结构方式沉积的Ni Ti SMA薄膜晶化处理后具有等轴晶结构。比较所制备PZT/Ni-Ti SMA薄膜复合材料与纯PZT的介电常数及介电损耗发现,两者的介电损耗水平接近;复合材料的介电常数比纯PZT的提高约18%。Ni Ti SMA的沉积使基体中靠近薄膜区域的Zr/Ti物质的量比恰好落在准同型相界区内,致使所制备复合材料的介电性能优于纯PZT。 相似文献
10.
研究了掺杂Co2O3对ZnTiO3陶瓷的微观结构与介电性能的影响。结果表明,掺杂的Co2O3在高温下分解生成Co2+进入ZnTiO3晶格形成(CoxZn1-x)TiO3固溶体,有效阻止了其分解为立方尖晶石相和金红石相。当Co2O3掺杂量为x=0.1,烧结温度1050℃时,陶瓷具有优良的微波介电性能和体积密度:ε=29.8,Q=4660(f=10GHz),τf=-60×10-6/℃,ρ=5.11g/mm3,并形成稳定、完全致密化的介电陶瓷组织结构。 相似文献
11.
钛酸铅和锆钛酸铅铁电薄膜的热释电效应的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文测量了钛酸铅和锆钛酸铅铁电薄膜的热释电效应,在这些以钛薄片为衬底,用Sol-Gel方法制备的铁电薄膜上可测到明显的热释电响应,同时,对这些薄膜的牡民I-V特性也进行了测试,对敏感元工之间的热传导以及材料中发现的光效应对热释电响应的影响进行了分析和讨论。 相似文献
12.
锰掺杂对硬性PZT材料压电性能的影响 总被引:25,自引:0,他引:25
研究了锰掺杂对PZT材料微结构及压电性能的影响,并用ESR确定了锰在PZT材料中的价态.结果表明,锰在PZT材料中主要以 Mn2+和 Mn3+的方式共存.锰在PZT陶瓷材料中的“溶解度”约为1.5mol%.锰含量<0.5mol%时,Mn将以Mn2+和Mn3+的方式优先进入晶格 Pb位,使材料的压电性能提高,表现出施主杂质特性;锰浓度处于 0.5~1.5 mol%时,部分Mn将以Mn3+或Mn2+的方式进入晶格中(Zr;Ti)位,而此浓度范围内锰掺杂的PZT材料同时表现出“软性”和“硬性”材料的压电特性.锰含量>1.5mol%时,过量的Mn将在晶界积聚,使压电活性降低.少量Fe的存在,可使Mn离子的溶解度降低,并起到抑制Mn2+和 Mn3+氧化的作用. 相似文献
13.
新型Sol-Gel技术PZT铁电厚膜的制备及电学性能研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用新型sol-gel技术在 Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了厚度为 2~60μm的PZT铁 电厚膜材料;研究了PZT厚膜的结构及其介电、铁电性能.XRD谱分析显示,PZT厚膜 呈现出纯钙钛矿相结构,无焦绿石相存在.SEM电镜照片显示,PZT膜厚均匀一致,无裂 纹、高致密.厚度为50μm的PZT厚膜的介电常数为860,介电损耗为0.03,剩余极化强度 是25μC/cm2.矫顽场是40kV/cm. 相似文献
14.
15.
Effect of Tb Doping on Structural and Electrical Properties of BiFeO3 Thin Films Prepared by Sol-Gel Technique 总被引:2,自引:0,他引:2
Bi_(1-x)Tb_xFeO_3 thin films were prepared on SnO_2(fluorine doped tin oxide) substrates by a sol—gel method.The structural and electrical properties of the BiFeO_3 thin films were characterized and tested.The results indicated that the diffraction peak of the Tb-doped BiFeO_3 films was shifted towards right as the doping amounts were increased.The structure was transformed from the rhombohedral to tetragonal/orthorhombic phase.The Bi_(0.89)Tb_(0.11)FeO_3 thin film showed the well-developed P—E loops,which enhanced remnant polarization(Pr = 88.05 μC/cm~2) at room temperature.The dielectric constant and dielectric loss of Bi_(0.89)Tb_(0.11)FeO_3 thin film at 100 kHz were 185 and 0.018,respectively.Furthermore,the Bi_(0.89)Tb_(0.11)FeO_3 thin film showed a relatively low leakage current density of 2.07 × 10~(-5) A/cm~2 at an applied electric field of 150 kV/cm.The Xray photoelectron spectroscopy(XPS) spectra indicated that the presence of Fe~(2+) ions in the Bi_(0.89)Tb_(0.11)FeO_3thin film was less than that in the pure BiFeO_3. 相似文献
16.
PZT铁电薄膜Sol-Gel技术制备和电性能研究 总被引:5,自引:0,他引:5
以乙酸铅(Pb(CH3COO)2·3H2O)、钛酸四丁酯(Ti(OC4H9)4)、硝酸锆(Zr(NO3)4·5H2O)替代锆醇盐为原料,通过在Pt/Ti/SiO2/si基片与PZT薄膜之间引入PT种子层,采用改进的sol-gel工艺制备出无裂纹,致密性好,晶粒尺寸小且分布均匀的单一钙钛矿结构的Pb(Zr0.53Ti0.47)O3铁电薄膜.实验结果表明,具有PT种子层的PZT铁电薄膜电性能较好.经600℃热处理的具有PT种子层的PZT薄膜,在1kHz测试频率下,其剩余极化强度和矫顽场分别为20μC/cm2和59kV/cm,介电常数和介电损耗分别为385和0.030. 相似文献
17.
18.
19.
氮掺杂氟化非晶碳薄膜光学性质的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备氮掺杂氟化非晶碳(a-C:F:N)薄膜.用紫外-可见分光光谱仪、椭偏仪、傅立叶变换红外光谱仪对薄膜进行了检测.结果表明:随源气体中氮气含量的增加,光学带隙先减小后升高,折射率变化情况与之相反.在其它条件相同的情况下,升高沉积温度使得薄膜的光学带隙和折射率降低.光学带隙的大小与sp2键含量密切相关,sp2键浓度越大,薄膜的光学带隙越小. 相似文献
20.
锆钛酸铅镧陶瓷微结构和介电性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了Zr/Ti比为65/35,掺La分别为8、9、12、16.7%(mol%)的锆钛酸铅镧(PLZT8/65/35/9/65/35,12/65/35、16.7/65/35)陶瓷的微结构和介电性能,XRD研究表明,PLZT中存在着(h+1/2,k+1/2,1)型超结构,随着La含量的增加,有序度增加,当La含量为12%时达到最大,继之下降,提出了A位离子有序的体心立方超结构模型。介电常数与温度关系 相似文献