确定离子型晶体极性正负方向的新技术

系统地介绍一项用正电子湮没寿命谱学法确定离子型晶体极性正负方向的新技术，该技术可用于极性离子型晶体的生产。     

用正电子湮没实验研究PbWO4新型闪烁晶体绿光发光机理

通过正电子湮没寿命谱研究ＰｂＷＯ４晶体退火处理前后缺陷的变化,发现氧退火后,晶体正电子寿命值τ２变小,正电子捕获率ｋ增大,真空退火反之。并且ＰｂＷＯ４晶体氧退火后发光主峰位从４４０ｎｍ称到４８５ｎｍ的绿光处,而真空退火晶体发射谱谱形并未变化。从不同退火处理对晶体的影响,提出了ＰｂＷＯ４晶体中铅空位形成ＷＯ３＋Ｏ＾－发绿光的发光模型。     

用正电子湮没实验研究PbWO_4新型闪烁晶体绿光发光机理

通过正电子湮没寿命谱研究了PbWO_4晶体退火处理前后缺陷的变化;发现氧退火后,晶体正电子寿命值τ_2变小,正电子捕获率κ增大,真空退火反之。并且PbWO_4晶体氧退火后发光主峰位从440nm移到485nm的绿光处,而真空退火晶体发射谱谱形并未变化。从不同退火处理对晶体的影响,提出了PbWO_4晶体中铅空位形成WO_3＋O~-发绿光的发光模型。     

金属中空位及空位团的正电子寿命谱

本文从理论上讨论了金属中正电子湮没寿命和金属的空位、空位团的体积的关系,利用密度泛函和交换关联能的局域密度近似,系统地计算了一系列金属中不同空位团的正电子寿命值。可以看出,正电子湮没技术是研究金属微观缺陷结构的有力手段。     

γ辐照LiF晶体的正电子湮没

实验所用的晶体沿〈100〉解理。~(60)Coγ辐照剂量分别为5×10~4rad、5×10~5rad、1×10~6rad、5×10~6rad、1×10~7rad。吸收光谱测量使用岛津UV-360型光谱仪。为计算色心密度,全部测量均设置于同一吸收档。正电子寿命谱测量使用快-慢符合正电子寿命谱仪。谱仪的双高斯分辨函数的参数为:半高宽度W_1=(0.35±0.02)ns,W_2=(0.46±0.04)ns,相对强度I_1=(68.7±1.0)％,I_2=(31.3±1.0)％,中心相对位移为(0.061±0.002)ns。正电子源为10μCi的~(22)Na,每个谱总计数不少于9×10~5,环境温度T=23.5±0.5℃。数据处理采用positronfit程序在B—1955计算机上进行。     

Cu-Al-Zn-Mn-Ni形状记忆合金的正电子湮没研究

Cu-Al-Zn-Mn-Ni为形状记忆合金。本文采用正电子湮没寿命和多普勒展宽参数的测 量对该合金在不同工艺处理后的内部结构作进一步研究。熔炼两种成份合金,其化学成份和相变点如下表所示,试样均在865℃加热20min,然后分别淬入200—-196℃不同温度的冷却     

Fe-Si-Al合金的正电子湮没研究

Fe-Si-Al合金具有优异的磁性能,已知它是一种在冷却过程中含有有序-无序转变的材料,当Fe_3Si_(1-x)Al_x的原子化学配比变化时出现两种有序结构:B_2型和DO_3型,如x<0.5,则转变顺序为α-DO_3型,它的临界转变温度为1050℃,有序度与热处理温度关系甚大。为了观察该合金空位对有序过程的影响,材料经高温固溶处理后在临界转变温度下于不同温度淬火,然后测湮没辐射多普勒展宽谱。     

金属铜缺陷的正电子湮没寿命谱的理论研究

金属缺陷的研究工作一直是凝聚态物理中比较活跃的领域之一,这不但在学术上有重要价值,而且在实际应用领域有着深远意义。正电子技术使我们有可能在低浓度和A尺度上研究缺陷的电子结构。通过金属缺陷的研究可以使我们加深缺陷对金属材料性能的影响的理解,以便找出提高材料性能的方法。本文我们研究了Cu中1、2、3、4、6、 9、10、13、15空位团,Cu中H-、He-空位团复合体(1、2、3空位)的电子结构和正电子湮没寿命谱。我们采用胶体模型,利用密度泛函理论和交换能关联能的局域密度近似。在本模型中我们对缺陷作了球对称近似,这时正电荷分布n_(ext)(r)为:     

用正电子湮没方法测定铌酸钾晶体的色心浓度

铌酸钾(简称KN)晶体是一种优良的非线性光学材料。它不仅在激光技术应用上有广阔的前景,而且对晶体缺陷、结构相变等基础理论研究亦可提供丰富的信息。 制得的KN晶体常会呈现不同的颜色,认为这种颜色是色心引起的,建议用退火方法消除之。现在缺少一种简便的测量KN晶体色心浓度的方法。我们用正电子湮没方法测量了:①无色、淡蓝、蓝色(化学成份相同)三种KN晶体的寿命谱;②同一块KN晶体退火(1000℃,10小时)前、后的正电子湮没谱。③同一块KN晶体辐照前、后的正电子湮没谱(辐照处理条件是,X光管电流200mA,功率12kW,辐照时间80min),测量结果如下。     

用正电子湮没寿命技术研究塑性变形纯Ni的回复过程

本文用正电子湮没寿命方法研究了塑性变形镍(含0.01％杂质)的回复过程的特点及杂质在缺陷回复过程的作用和影响,计算了形变为10％的试样中的位错密度及形成空位团的有效空位浓度。