PTC－BaTiO_3射频溅射用靶材的制备

研究了用于射频溅射ＰＴＣ－ＢａＴｉＯ_３薄膜的厚大靶材制备工艺，所制成的靶材的室温电阻率为８００Ω·ｃｍ，ＰＴＣ效应＞１０５，平均粒径为１～３μｍ，讨论了配方中ＴｉＯ_２品种的选择、施受主添加剂的搭配与掺量以及烧成中的升降温速率对于ＰＴＣ效应的影响     

AST液相添加剂对PTCR陶瓷电性能的影响

研究了液相添加剂ＡＳＴ（Ａｌ２Ｏ３＋ＳｉＯ２＋ＴｉＯ２）对ＢａＴｉＯ３陶瓷材料电性能的影响，随着Ａｌ２Ｏ３含量的增加，材料的电性能降低，ＳｉＯ２、ＴｉＯ２的物理特性对材料电性能影响较大，过量ＴｉＯ２对材料ＰＴＣ效应有重要影响。     

化学镀镍对BaTiO3基陶瓷PTC效应影响的机理研究

本文通过对比实验，研究了化学镀镍对于ＰＴＣ效应影响的机理。结果表明，对于某些致密的ＰＴＣ半导体陶瓷，化学镀镍后其室温电阻变小、升阻比下降不是由于镀液的渗透，而是与镀镍过程中发生的化学反应有关。首次提出了化学镀过程中产生的初生态氢原子影响ＰＴＣ效应的观点。     

化学镀镍溶液渗透对多孔PTC陶瓷影响的机理研究

通过对比实验研究了化学镀镍溶液渗透对多孔ＰＴＣ陶瓷影响的机理。结果表明，这种影响是由溶液中的还原剂引起的，镀液中的其它物质的渗透对ＰＴＣ陶瓷的性能没有影响或者影响很小。提出了化学镀镍溶液中的还原剂对ＰＴＣ陶瓷的晶界产生还原从而影响ＰＴＣ效应的观点。化学镀镍溶液渗透造成的这种影响可以通过一定温度下的氧化热处理而消除。     

BaTiO_3、SrTiO_3陶瓷半导化机理的研究

探讨了烧结温度、冷却条件及 Nb_2O_5添加量对 BaTiO_3、SrTiO_3陶瓷半导化的影响。实验结果表明:在添加0.1～0.7mol%的 Nb_2O_5时,SrTiO_3陶瓷的电导率随 Nb_2O_5添加量的增加而增大,而 BaTiO_3陶瓷在0.15mol%附近出现最大值。烧结温度和冷却条件对 SrTiO_3陶瓷和添加量>0.15mol%的 BaTiO_3陶瓷的半导化都有很大影响。采取适当的冷却条件,也能使 Nb_2O_5添加量>0.15mol%的 BaTiO_3陶瓷的电阻率显著降低到10Ω·cm 左右。本文讨论了 BaTiO_3和 SrTiO_3陶瓷的半导化机理,认为 SrTiO_3陶瓷的半导化是施主离子所诱发出的晶格中的氧挥发所致,而 BaTiO_3陶瓷则由两种机制所控制。在 Nb_2O_5添加量<0.15mol%时,电价补偿起主要作用;当 Nb_2O_5含量增加到>0.15mol%时,就变成取决于冷却条件的氧挥发所控制。喇曼光谱实验也证明了这一点。     

化学镀镍对BaTiO3基PTC陶瓷阻温曲线的两种不同影响

本文通过对比实验研究了化学镀镍对于ＢａＴｉＯ３基半导体陶瓷ＰＴＣ效应的两种不同影响，结果表明，这两种影响分别与镀镍过程中的化学反应以及镀液向瓷体中的渗透有关，首次提出了化学镀镍过程中产生的初生态氢原子影响ＰＴＣ效应的观点。     

用粉体颗粒表面改性技术制备高致密高硬度BaTiO_3基陶瓷的研究

选取用草酞酸钡共沉淀法生产的BaTiO_3粉料为基体原料,加入5(wt)％MgO进行粉体颗粒表面改性。对粉体的表征及X-射线结构分析结果表明,Mg与基体表面充分反应,生成MgTiO_3新相,无游离MgO存在,一次颗粒形貌为球状,粒度均在100～300nm范围内,但颗粒团聚情况仍存在。用获得的粉料进行成瓷试验,制得细晶(1.00～300nm),高致密,而显微硬度与耐电场击穿强度都较一般的BaTiO_3基陶瓷高的试样。结果表明,加镁改性有阻止晶粒生长、提高致密度、扩大烧成温度范围和提高硬度的作用。     

掺杂V_2O_3系PTC陶瓷中金属相的研究

报导在掺杂Ｖ＿２Ｏ＿３系ＰＴＣ陶瓷中引入Ｆｅ金属相，采用ＸＲＤ，ＳＥＭ分析技术确定Ｆｅ金属相在材料中的结构状态，并结合材料ＰＴＣ性能测试结果讨论了Ｆｅ金属相对材料烧结性能和ＰＴＣ性能的影响。     

施受主杂质La,Mn共掺BaTiO3陶瓷PTC特性的研究

采用溶胶－凝胶法制备施主杂质Ｌａ和受主杂质Ｍｎ均相共掺ＢａＴｉＯ３半导体陶瓷。掺杂过程中以Ｌａ、Ｍｎ的硝酸盐水溶液代替醇盐实现相掺杂,改善组分均匀性。讨论了受主杂质Ｍｎ的浓度与陶瓷ＰＴＣ性能的关系,并结合ＸＰＳ测量结果,对其影响ＰＴＣ效应的生观机制进行探讨。     

施主掺杂BaTiO_3陶瓷中电阻率、晶粒尺寸与氧分压的关系

施主含量不同的 BaTiO_3陶瓷在 H_2气氛中烧结后具有相近的平均晶粒直径。在大气中氧化后,它们仍然具有典型的 U 形电阻率～施主掺杂浓度曲线。这与传统理论不完全一致。本文就晶粒尺寸随氧分压的变化关系提出了新的见解。     

BaTiO3超微粉及其在陶瓷中的晶粒尺寸效应

用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备了ＢａＴｉＯ３超微粉并经烧结获得了不同粒径的陶瓷。用Ｘ射线衍射研究了室温晶体结构。在粉末压块和陶瓷上测得了介电常数的温度依赖性。介电常数－温度曲线表明，随着晶粒尺寸减小，居里温度降低，而四方－正交以及正交－三角相变温度升高。在晶粒尺寸减小过程中，三个介电峰逐步降低和宽化并按如下顺序最终消失：三角－正交，正交－四方和四方－立方。用介电测量确定了铁电性消失的临界尺寸，其值与文献中     

超细BaTiO_3和掺钇半导BaTiO_3陶瓷的溶胶－凝胶法制备及其表征

采用溶胶－凝胶法制备了平均粒径小于３０ｎｍ的超细ＢａＴｉＯ＿３和未见文献报道的掺钇超细ＢａＴｉＯ＿３．并用Ｘ－ｒａｙ粉末衍射分析和化学分析对它们进行了表征;用ＴＧ－ＤＴＧ－ＤＴＡ和ＩＲ对＂ＢａＴｉＯ＿３＂干凝胶的热分解历程进行了研究;用一般陶瓷工艺制得了掺钇半导铁酸钡陶瓷并对其室温电阻率与钇含量以及烧结温度的关系进行了讨论。     

粗晶粒BaTiO_3陶瓷的微观结构及电学性能

以钛酸丁酯和乙酸钡为原料用溶胶-凝胶法制备了BaTiO3纳米粉体,并烧结了不同晶粒尺寸的陶瓷,研究了不同烧结温度下BaTiO3陶瓷的微观结构及尺寸效应对电学性能的影响。结果表明:溶胶-凝胶法可以在较低的温度(700℃)下合成BaTiO3纳米粉体,平均粒径25nm;BaTiO3陶瓷的晶粒尺寸直接影响其电学性能,随晶粒尺寸的增大,剩余极化,压电常数,机电耦合系数,机械品质因数逐渐提高,居里温度向高温区偏移;当晶粒尺寸达到50μm时,陶瓷相对密度为95.6%,d33可达168pC.N-1,kp=24.8%,Qm=425,Tc=122℃。     

Si_3N_4对PTC瓷料性能的影响

研究了 Si_3N_4掺杂 BaTiO_3基 PTC 瓷料的显微结构和性能。掺 Si_3N_4的瓷料中出现了大量特征的棒状晶体。Si 富集在棒状晶体中。与掺 SiO_2的瓷料比较,Si_3N_4掺杂的 PTC 瓷料显示了更多的优越性。