TI推出ADS1271工业用模数转换器

飞利浦日前推出了一系列单线双向静电保护(ESD)二极管，以防止静电和30kV以下的瞬时脉冲电压对MP3播放器和移动电话的损坏。．飞利浦新的PESD5VOSlBx系列包拮业内极小的保护二极管PESD5VOS1BL，具有超微型封装和出色的静电箝位功能。该设备占用极小的主板空间，为设计工程师提供了设计灵活性。     

元器件与组件

静电放电保护二极管静电放电保护二极管PESD3V3L2UM和PESD5V0L2UM采用无引线超小SOT883表面封装,尺寸为1.0mm×0.6mm×0.5mm,具有16pF的低电容、超低的漏电电流,以及3.3V和5.0V的反向承受电压。可承受20kV的静电放电脉冲,符合IEC61000-4-2(第四级)标准,如将多个二极管保护器件集成在一个设备上,可保护7条传输或数据线免受由ESD脉冲造成的损害。Philipshttp://www.semiconductor.philips.com双路数控电位计双路非挥发线性数控电位计(XDCP)X93425在单一封装内提供两路低功耗的XDCP,两路数控电位计有单独的32个滑片,并有独立的…     

无源与分立器件

泰科电子E S D保护器件泰科电子旗下的Raychem电路保护部推出PESD0402和0603静电放电(ESD)保护器件产品。PESD保护器件专为高速数据传输应用中的输入/输出接口保护而设计,能使电子设备中的敏感电路免受静电放电影响。Raychem的PESD器件优于传统的保护器件,比如齐纳二极管和多层压敏电阻器(MLV)。传统保护器件,不能在不引起信号质量下降或失真的情况下持续应用于高速数据传输中。另一方面,瞬态电压抑制(TVS)二极管和微型气体放电管对目前体积日趋减小的紧凑信息设备而言,显得过大或过于昂贵。Raychem的PESD保护器件提供极低的电…     

英飞凌发布面向低电压应用的最新防静电二极管

2012年7月16日,英飞凌科技发布了一系列可用于改善静电防护性能的瞬态电压抑制(TVS)二极管。静电放电(ESD)可能对敏感的消费电子系统造成损害。全新±3.3 V双向二极管系列拥有行业领先的箝位电压和静电吸收率,可以防止电尖峰脉冲对系统的音频输入端口或触屏接口电路等部位造成冲     

飞利浦新型功率MOSFET

皇家飞利浦电子公司(Philips Electronics)推出新型功率MOSFET：150V系列和200V系列，用于LCDTV和LCD监视器的背光逆变器以及投影仪和背投电视的超高压(UHP)气体放电灯逆变器。这些新型功率MOSFET采用飞利浦的TrenchMOS技术，     

专为RS-485端口保护优化的瞬态抑制二极管阵列

正SM712系列瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管)旨在保护具有不对称工作电压(-7~12V)的RS-485应用免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和雷击感应浪涌造成的损坏。SM712系列可以在IEC61000-4-2国际标准规定的最高级别安全地吸收反复性ESD放电,且性能不会下降。并可在极     

CO2激光器

由Hamamatsu公司研制的S7998型硅光电二极管的低偏置电流预放大器集成在外形尺寸为1 3 2mm× 7.37mm的陶瓷组件内 ,该公司可根据特殊设计要求亦可提供金属封装组件。硅光电二极管的工作电压为 5V ,在 880nm处峰值灵敏度为 0 43A/W ,典型暗电流为 5 0 pA。在 1 90～1 1 0 0nm光谱响应范围具有低噪声、高反馈电阻和低电流消耗等性能。该光电二极管适用于从紫外到近红外光谱范围的高精度光度测量。 (No .2 5 )硅光电二极管     

飞思卡尔6GHz的新设备

泰科电子Raychem电路保护部推出静电放电(ESD)保护器件,进一步扩展了其电路保护产品阵营。设计用于U SB2.0、IEEE1394、数字视频接口(D V I)和天线开关的输入/输出端口保护,PESD0402和0603保护器件提供电子行业流行的尺寸大小。这款兼容RoH S的产品能够旁路静电放电,使其避开H D TV、打印机、笔记本电脑、手机和其他便携式设备的敏感电路。本产品在传输线路脉冲(TLP)这项典型的静电放电性能测试中,表现出了优于其他同类部件的性能。其触发和钳位电压低于典型聚合物静电放电器件,从而大幅提高了对敏感电子部件的保护能力。ESD系…     

一种多电源域专用数字电路的静电失效分析及提升研究

在静电放电(ESD)能力考核时,一种多电源域专用数字电路在人体模型(HBM)1 700 V时失效。通过HBM测试、激光束电阻异常侦测(OBIRCH)失效分析方法,定位出静电试验后失效位置。根据失效分析结果并结合理论分析,失效是静电二极管的反向静电能力弱所致。利用晶体管替换静电二极管,并对OUT2端口的内部进行静电版图优化设计。改版后,该电路的ESD防护能力达2 500 V以上。该项研究结果对于多电源域专用数字电路的ESD失效分析及能力提升具有参考价值。     

飞利浦新推功率MOSFET

飞利浦日前推出150V系列和200V系列新型功率MOSFET，用于LCD TV和LCD监视器的背光逆变器以及投影仪和背投电视的超高压(UHP)气体放电灯逆变器。新型功率MOSFET、采用飞利浦TrenchMOS技术，提供超高转换速度和超低逆变器导通电阻值，将转换损耗和直流电损耗降至极低，达到逆变器高效运行所需。     

飞利浦为LCD背光和投影仪推出新型功率MOSFET

皇家飞利浦电子公司日前宣布，推出新型功率MOSFET——150V系列和200V系列，用于LCD TV和LCD监视器的背光逆变器以及投影仪和背投电视的超高压(UHP)气体放电灯逆变器。这些新型功率MOSFET采用飞利浦深受赞誉的TrenchMOS技术，同时提供超高转换速度和超低RDS(on)值，将转换损耗和直流电损耗降至极低，达到逆变器高效运行所需。     

ESD保护器件PESD0402-060/0603-140

随着集成电路的制程尺寸减小、更低的工作电压,静电成为其故障的第一大原因,如何消除静电的干扰,保护电路不受侵害,ESD器件就承担了这方面的任务,近日泰科电子旗下的Raychem电路保护部推出了PESD0402-060和PESD0603-140两款ESD保护器件,PESD器件是专为高速数据传输应用中的输入     

安森美推出静电放电保护二极管ESD5Z

安森美半导体（ON Semiconductor）日前推出全新高性能、微型封装的静电放电(ESD)保护二极管系列ESD5Z器件，专为便携式产品和电池供电应用中电压敏感元件提供单线保护而设计。     

新品发布

电路元器件二极管和TVS品种繁多 几个系列的瞬态电压抑制器(TVS)、齐纳二极管和肖特基势垒整流器已经上市。SMBJ、SMCJ、SA、P6KE和1.5KE各个系列的单向和双向TVS提供额定峰值电压5V至440V;额定峰     

TI借助新架构推进新兴线缆语音技术

品佳日前积极推广飞利浦HVQFN无铅封装16C通用型异步收发器(Universal Asynchronous Receiver／Transmitters，UARTs)产品系列。飞利浦SC16CxxB单／双通道UARTs，拥有高达5Mbps的高品质传输速率，特别适合应用在要求高速、低电压、低功耗及高传输速率的便携式电子产品。该系列产品较传统封装节省高达70％的PCB空间，并能在2．5V、3．3V、5V等低电压运作情况下，充分满足工程师的设计需求。     

ESD3V3S1．B：TVS二极管

英飞凌科技推出一系列可用于改善静电防护性能的TVS（瞬态电压抑制）二极管。静电放电（ESD）可能对敏感的消费电子系统造成损害。新±3．3V双向二极管系列拥有行业领先的箝位电压和静电吸收率,可以防止电尖峰脉冲对系统的音频输入端口或触屏接口电路等部位造成冲击。     

飞利浦推出最新PMEG系列实现肖特基二极管性能突破

皇家飞利浦电子集团最新推出肖特基二极管PMEG系列 ,实现肖特基二极管半导体技术新突破。该PMEG系列使功耗降低至二极管能装在不到现有器件一半大小的表面贴装封装中。其内在的低正向电压降和高速开关能力使这些新的肖特基二极管非常适用于高效率DC/DC转换器等 ,在提高整体电效率的同时 ,使手机、数码相机等设备更加小型化。通过将正向电阻降至目前市场上同类二极管的一半以下 ,飞利浦的最新PMEG超低正向电压降VF肖特基整流器二极管系列能达到的功耗水平仅为BAT5 4等业界标准型号的一半。此外 ,该新型PMEG系列二极管的连续正向额…     

新型画中画处理器SDA9288X

SDA9288X 是一款新型画中画处理器,广泛用于康佳艺术视尊系列彩电(如A2981、A2991)、飞利浦MD1.0A 机心彩电(如34PT5693、29PT549A)及熊猫C2926 彩电等。SDA9288X 常与彩色解码集成块 T D A 8 3 1 0 配合使用,它能对TDA8310 输出的子画面模拟Y、U、V 信号进行数字压缩处理。 S     

英飞凌电路保护二极管为千兆以太网数据接口提供浪涌和静电保护功能

英飞凌科技股份公司近日发布了一款全新瞬态电压抑制(TVS)二极管,用于保护千兆以太网接口,以防电压浪涌或静电放电(ESD)带来的损害。这款型号为TVS3V3L4U的二极管具备极低的电容,可满足目标应用对于信号完整性的高要求,同时还具备英飞凌应用广泛的保护器件产品系列所共有的强抗打击能力和电压钳位特性。     

USB 3．0需要更强大的电路保护

与多数传统MLV(多层变阻器)或TVS(瞬态电压抑制)二极管技术相比,PESD器件具有更低的电容,而其低触发电压和低箝位电压也有助于保护敏感电子元件。