溶胶-凝胶法制备BZT薄膜的介电性能研究

采用溶胶-凝胶法制备了Ba（Zr0.2Ti0.8）O3薄膜（简称BZT）。通过X射线衍射测试结果可知,该BZT薄膜为钙钛矿结构且无其他杂相存在。LCR仪测试结果表明,当频率为1kHz时,薄膜具有最低的介质损耗。     

底电极对BiFeO3薄膜电性质的影响

用溶胶-凝胶方法在LaNiO3,ITO和Pt底电极上制备了BiFeO3(BFO)薄膜.薄膜的退火温度为550℃.对不同底电极上的BFO薄膜的结构、形貌、铁电性、介电性和漏电流特性进行了研究.XRD研究表明不同底电极上的BFO薄膜呈不同的取向.所有的薄膜都没有观察到不纯相.剖面扫描电镜研究表明薄膜的厚度为350nm.铁电性测试表明在128kV/cm的测试电场下LaNiO3底电极上的薄膜的剩余极化强度最大,为3.31μC/cm2.而ITO和Pt底电极上的BFO薄膜的剩余极化强度分别为2.07μC/cm2与2.76μC/cm2.此外,漏电流的研究表明在ITO底电极上的BFO薄膜的漏电流最小.     

BiFeO_3薄膜的图案化制备及性能研究

采用短波紫外光照射仪（λ=184.9nm）作为光刻设备,在光掩膜的覆盖下,将沉积在（111）Si基板上的十八烷基三氯硅烷（OTS）自组装单分子层（SAMs）进行刻蚀形成图案,并结合溶胶-凝胶法在功能化的OTS-SAMs表面制备图案化BiFeO3薄膜,并对BiFeO3薄膜性能进行研究.结果表明,所得图案化BiFeO3薄膜为六方扭曲的钙钛矿结构,图案边缘轮廓清晰,宽度在200μm左右;在最大测试电场为385kV/cm下,所得电滞回线有较好的对称性和饱和性,剩余极化强度为0.17μC/cm2,饱和极化强度为3.8μC/cm2,矫顽场强为19kV/cm.在1kHz～1MHz的频率范围内,介电常数随频率增加逐渐减小,介电损耗较小.     

溶胶-凝胶制备氧化镉薄膜及其性质研究

用溶胶-凝胶法制备氧化镉薄膜,其先驱体溶液由醋酸镉溶解在无水乙醇中制得,涂膜方法是旋转涂覆.测试制得薄膜的光学、电学性质,结合测试结果,分析温度对薄膜的形成及其相关性质的影响.     

溶胶-凝胶法制备铁电薄膜的研究进展

综述了溶胶-凝胶法制备铁电薄膜的原理、特点和研究进展.评述了溶胶-凝胶过程对铁电性能的影响因素.并指出了溶胶-凝胶法制备铁电薄膜尚待解决的问题.     

溶胶-凝胶法制备WO3-TiO2电致变色薄膜的研究

通过溶胶 -凝胶方法制备出了掺杂 Ti O2 的 WO3电致变色薄膜 ,并利用电化学循环伏安装置、分光光度计、X- Ray衍射进行了相关的性能测试 ,指出掺杂一定量的 Ti O2 可有效地稳定氧化钨溶胶 ,提高薄膜的循环使用寿命 ,同时也使薄膜的变色性能降低     

溶胶—凝胶法制备WO_3电致变色薄膜

本文以六氯化钨和乙醇为主要原料, 采用溶胶—凝胶法制备了ＷＯ３ 非晶态电致变色薄膜, 研究了ＷＯ３ 薄膜的结构、化学组成、电致变色性能, 结果表明用该法制备的非晶态ＷＯ３ 薄膜具有良好的电致变色特性     

溶胶凝胶法制备介孔五氧化二钽薄膜

以五氯化钽为反应前驱体,三嵌段两性聚合物P123做天然模板,用溶胶凝胶法制备出了介孔五氧化二钽薄膜．经过SEM检测分析,薄膜厚度约为200nm．XRD研究结果表明,制得的薄膜具有明显的介孔结构,经TEM检测可以观察到孔洞结构;得到的五氧化二钽薄膜经过400℃煅烧1h,介孔结构仍然得到保留．     

溶胶凝胶法制备氧化亚铜薄膜及其工艺条件

以单质锂、无水甲醇和氯化铜为原料,葡萄糖为还原剂,醋酸为络合剂,采用溶胶 凝胶法在玻璃基片上制备Cu2O薄膜,并确定了制备的工艺条件:CH3OH及CuCl2·2H2O为原材料,C6H12O6·H2O为还原剂,CH3COOH为络合剂。通过X射线衍射仪、紫外 可见分光光度计和扫描电镜等分析和表征,确定了影响Cu2O薄膜性质的因素。结果表明:用溶胶 凝胶法可以制备具有良好性能的Cu2O薄膜。     

溶胶-凝胶法制备稳定WO3光致变色溶胶的研究

以钨酸钠和盐酸为主要原料,以溶胶-凝胶法制备了具有较高光致变色敏感性的稳定WO3溶胶,并应用SC-80C型全自动色差仪对溶胶进行了色度表征.使用漫反射紫外-可见吸收光谱分光光度计和TWM分析了WO3光致变色溶胶的吸收光谱和溶胶的颗粒形态;同时对WO3干溶胶粉体颗粒进行XRD表征.主要得出以下结论制备稳定WO3光致变色溶胶的最佳工艺条件为溶液体系的Ph值为1.6;丙醇的加入量为初始Na2WO4溶液的15 Vol%;乙酰丙酮的加入量为初始Na2WO4溶液的1.5 Vol%.     

PZT/Fe3O4复合薄膜的制备及磁性和铁电性研究

用溶胶-凝胶方法制备了Pb（Zr0.5Ti0.5）O3-Fe3O4复合薄膜。XRD研究表明，Pb（Zr0.5Ti0.5）O3呈完全（100）取向，而Fe3O4颗粒则呈完全随机取向。在室温下探测到了共存的磁性和铁电性。铁电性测试结果表明，在9V的测试电压下，薄膜的Pr值为1．5／μc／cm^2。而磁性测量的结果表明，在1．5 T的外磁场作用下，薄膜的剩余磁化强度和饱和磁化强度分别为0．67emu／cm^3和3．5emu／cm^3。通过铁电材料Pb（Zr0.5Ti0.5）O3与磁性纳米Fe3O4粒子的复合获得了室温共存的铁电性和磁性。     

纳米氧化镍粉体的溶胶凝胶法制备与光催化性能研究

采用改进的溶胶凝胶法制备了纳米氧化镍粉体,并利用热重分析法、X 射线衍射法对其进行分析表征,结果表明:以醋酸镍、氨水、PEG6000 为原料通过络合水解竞争平衡合成溶胶,随着烧结温度的升高,镍含量递减,直到 500℃形成纯度很高的立方晶相纳米氧化镍颗粒.以 8 W 紫外灯为光源,浓度为 0.4 g/L的氧化镍粉体光照4...     

Dielectric Behavior of BaTiO_3/ PVDF Nanocomposites In-situ Synthesized by the Sol-Gel Method

1　IntroductionFerroelectricceramic polymercompositesconsistingofferroelectricceramicpowderembeddedinapolymermatrixhaveattractedmuchattentionsincetheycombinetheexcellentferroelectricpropertiesoftheceramicsandtheflexiblemechanicalpropertiesofthepolymer[1] …     

Dielectric Behavior of Nano-PbTiO3/PVDF Nanocomposites In-situ Synthesized by the Sol-gel Method

PbTiO3 / PVDF nanocomposites were prepared via in-situ growth of nanosized PbTiO3 particles in PVDF matrix by sol-gel method. Nanosized PbTiO3 grown in the composites film was characterized by X-ray diffractometry （XRD） and transmission electron mieroscopy, and the dielectric properties of the composite films prepared were measured. The distribution of PbTiO3 nanoparticles in-situ grown in the PVDF matrix was examined using a scanning electron microscope. The relative dielectric eonstant increases with increasing the weight fracture of PbTiO3 in-situ grown. In particular, the dielectric loss monotonically decreases with the increase of PbTiO3 content at 1 MHz.     

Effect of Annealing on Ferroelectric Properties of Bi_ (3.25)La_(0.75)Ti_3O_ (12) Thin Films Prepared by the Sol-gel Method

1Introduction Therehavebeenextensiveresearcheffortstoen hancethereliabilityofperovskite basedferroelectricthinfilmsforapplicationinNVFRAM(nonvolatileferroelectric randomaccessmemory)devices[1,2].Manyferroelectricmaterials,suchasPbZrxTi1-xO3(PZT),SrBi2Ti2O…     

Ba（Zr0．06 Ti0．94）O3－BiFeO3复合陶瓷的介电、铁电及压电性能研究

采用高温固相法制备出Ba（Zr0．06Ti0．94）O3－x％BiFeO3（x＝0．2,0．4,0．6,0．8）系列复合陶瓷,并研究了其相结构、介电、铁电和压电性质．XRD结果表明,所有样品均呈现典型的钙钛矿四方相结构,而样品的晶格常数随着BiFeO3的含量改变发生了一定变化．介电－温度图谱表明,复合陶瓷的相变温度和介电常数都受到了BiFeO3成分影响,室温介电常数随着BiFeO3含量的增加不断增大,并且复合陶瓷中存在弥散相变．所有样品均显示出明显的铁电与压电特性,并且随着BiFeO3含量变化,两种特性呈现出相同的变化趋势．     

Effect of La Doping on Microstructure and Ferroelectric Properties of Bi4Ti3O12 Thin Films Prepared by Sol-gel Method

The Bi4Ti3O12 and Bi3.25La0.75Ti3O12 thin films were prepared on the Pt/Ti/SiO2/Si substrate using the sol-gel method. The effect of La doping on the microstructure and ferroelectric properties of Bi4Ti3O12 films were investigated. Both the Bi4Ti3O12 and Bi3.25La0.75Ti3O12 thin films exhibited typical bismuth layered perovskite structure. The 2Pr (remanent polarization) value of Bi3.25La0.75Ti3O12 thin films is 18.6 Μc/cm2, which is much larger than that of Bi4Ti3O12 thin films. And the Bi3.25La0.75Ti3O12 films show fatigue-free behavior, while the Bi4Ti3O12 thin films exhibit the fatigue problem. The mechanism of improvement of La doping was discussed.