八路高速光电耦合器的研制

研制了一种独特的八路高速光电耦合器.器件采用混合集成电路方式,将24个芯片运用二次集成技术封装在20引线双列直插陶瓷管座中.设计中采用独立腔体分隔技术,将8个光路完全从物理上分离,彻底杜绝多路光信号间的相互干扰.文章重点描述了器件的结构特性、工作原理、参数设计以及特性曲线分析,并简要概括了在研制过程中采用的一些技术方法和制作工艺.     

多路高速光电耦合器

研制了一种多路高速光电耦合器。采用混合集成技术,在16 DIP陶瓷管座内成功制作出四路高速光电耦合器。叙述了该器件的工作原理、制作工艺、器件特性以及设计考虑。     

贴片式光电耦合器系列

<正> 光电耦合器是一种由发光器件和光敏器件组合构成的通用光电器件。它以光为媒介,完成电—光—电信号的变换及传输,把输入信号耦合到输出端。该器件具有体积小、无机械触头、抗干扰能力强、工作寿命长、输入及输出之间绝缘、能传输模拟信号及数字信号的特点,广泛地用于隔离电路、开关电路、电源电路、逻辑电路、电平转换电路、过流保护电路等。     

双路高速高增益光电耦合器

本文叙述了双路高速高增益光电耦合器的元件选择、结构、工作原理、基本特性和应用。     

六路小型集成光电耦合器

介绍了一种新型六路小型集成光电耦合器.它采用独立腔体分隔技术,在24DIP陶瓷双列直插管座内制作而成,设计先进、性能可靠,具有广阔的应用前景.重点叙述了该器件的结构特性、工作原理、参数设计以及特性曲线分析,并简要概括了在研制过程中采用的一些技术方法和制作工艺.     

光电耦合器一席谈

在众多的光电子器件中,销售量最大和应用面积最广的光电子器件应数光电耦合器(它称光隔离器)。这种器件最大特点是它通过发光器件(如LED)和光敏器件(如光敏二极管和光敏三极管)之间的电—光—电转换实现了电子线路间的光学隔离,这种光学隔离完成两个重要任务:一是输入信号可以无阻通过,二是输出信号不能反馈到输入端。只要在电路中加上一个简     

22kV高压隔离光电耦合器的研制

针对高压隔离光电耦合器的隔离电压提高到22kV后信号传输特性恶化的问题,提出了在光源和探测器间引入导光管结构的方法,利用导光管的聚光特性弥补间距增大导致的探测器对光源发散角的降低,使探测器接收到足够的光功率,以保证器件的信号传输特性满足要求。对探测器接收光功率占光源光功率的比例进行了对比计算,结果表明,使用导光管的22kV高压隔离光电耦合器可获得与10kV产品相当的信号传输特性,通过样品的制作与测试验证了该计算结果,表明上述方法可行。     

基于对称型光电检测阵列的高速光电耦合器的设计

研制了一种具有高响应速度的光电耦合器芯片,采用Nbody-Nwell-Psub模型构建了具有对称结构的光电探测阵列(PD),在完成光电转换的前端处理的过程中,缩短了光电转换的响应时间,提高了光电耦合器整片的响应速度.详细设计了PD的结构,并对使用该结构的光电耦合器整片进行了仿真和实测.实测结果表明,整片器件的上升时间为16 ns,下降时间为14 ns,上升传输时延为205 ns,下降时延为155 ns,芯片整体运行正常,可用于高速响应的控制系统中.     

光电池输出型光电耦合器的研制

介绍了一种新型光电耦合器--光电池输出型光电耦合器,器件采用金属化陶瓷DIP6双列直插结构.文章重点描述了该器件的结构特性、工作原理、参数设计以及特性曲线分析,并简述了其制作工艺.     

高压隔离光电耦合器的设计和制作

分析了影响绝缘材料击穿特性的几个主要因素,在此基础上设计并制作了高压隔离光电耦合器,实验结果表明该器件具有良好的隔离特性和高的可靠性能,隔离电压最大值达10000V.     

高压下陶瓷空封光电耦合器内部气体放电电流特性研究

陶瓷空封光电耦合器存在高压下的内部气体放电,分析其放电电流特性有助于器件可靠性研究。提出了基于体电流和气体放电电流的陶瓷空封光电耦合器漏电流模型,并针对高压下漏电流测试能力不足的现状,设计了基于悬浮供电的漏电流检测系统,通过对高压下器件漏电流的测试及对比分析,实现了对内部气体放电电流特性的定量评估。     

用于调Q的高压、超快脉冲发生器

为得到用于调Q的高速高压脉冲,介绍一种基于Max Bank原理的纳秒脉冲发生器设计及实现.电路分两级组成,第一级是经74LS123整形过的脉冲触发单管产生顸雪崩级脉冲,第二级采用级联雪崩晶体管串.电路板采用微带线结构,通过同轴脉冲形成线,对脉冲形状进行优化.最终获得输出阻抗50 Ω,脉冲峰峰值1.48 kV,脉冲前沿为200 ps的高压,高速大电流脉冲.同时对晶体管的选择、触发脉冲的产生也做了介绍,对PCB板的设计中应注意的问题做了相应的说明.     

GaAs超高速电压比较器

本文简要介绍了GaAs超高速电压比较器的国际发展水平,GaAsBFL电压比较器的工作原理,CAD及工艺制造;并给出了研制的BFL比较器的测试结果。其电压分辨率可达30mV,上升与下降时间小于600ps,过驱动延迟小于300ps,为我国目前速率最高的电压比较器。     

高速高精度SAR ADC电容电压系数校正

基于XFAB工艺参数,设计了一种不受电容电压系数影响的高速高精度SAR ADC。在理论上定性分析了电容电压系数对高速高精度SAR ADC的影响,并使用Matlab进行定量分析。分析结果表明,1阶与2阶电容电压系数对ADC性能的影响具有不同的特点。针对1阶电容电压系数,使用改进的分裂电容结构进行消除;针对2阶电容电压系数,使用分段数字补偿来进行校正。校正完成以后,电容电压系数引起的非线性误差可以从±11.7 LSB降到±0.5 LSB以下,无杂散动态范围可以提高10 dB以上。     

Low Power and High Speed Multi Threshold Voltage Interface Circuits

Employing multiple supply voltages (multi- V_DD) is an effective technique for reducing the power consumption without sacrificing speed in an integrated circuit (IC). In order to transfer signals among the circuits operating at different voltage levels specialized voltage interface circuits are required. Two novel multi-threshold voltage (multi-V_th) level converters are proposed in this paper. The new multi-V_th level converters are compared with the previously published circuits for operation at different supply voltages. When the circuits are individually optimized for minimum power consumption, the proposed level converters offer significant power savings of up to 70% as compared to the previously published circuits. Alternatively, when the circuits are individually optimized for minimum propagation delay, the speed is enhanced by up to 78% with the proposed voltage interface circuits in a 0.18- mum TSMC CMOS technology.     

用于光纤通信系统的高速LED发展状况

本文主要叙述了国内外高速 LED 的发展现状,并分析了各种器件结构,结出了一些高速 LED 的性能参数。最后展望了 LED 在光纤通信中的进一步应用。     

A High Speed, Low Voltage CMOS Offset Comparator

A high speed, low voltage offset comparator is presented. No common mode tracking circuit is used and the offset is added without compromising the high input impedance nature of the circuit. The circuit operates at 480 Mbps with 3.0–3.6 V and 1.6–2.0 V supplies and –40 to 125°C temperature range on a typical 0.5 m technology.