扫描电子显微镜叔丁醇冷冻干燥快速制样方法的探索

该实验旨在利用扫描电子显微镜(SEM)进行植物叶片微观形态观察,探究一种叔丁醇快速制样新方法.实验以野生型拟南芥叶片为研究对象,通过预设实验步骤对其进行制样处理,结合实验过程及观察结果总结最佳实验处理条件作为新的SEM叔丁醇快速制样方法.实验结果显示,在不同的叔丁醇处理温度、时长,冰冻时间及喷金导电处理条件下,叶片表皮...     

中国番荔枝科8属植物叶的扫描电镜观察

利用扫描电子显微镜（SEM）对中国番茄枝科8属28种植物叶表皮的微形态进行了观察比较研究。结果表明8属植物叶片的表皮微形态在属级水平上较为稳定且具有较明显的属间差异。紫玉盘属具有星状毛；哥纳香属具有质状毛和单列丝状毛两种类型表皮毛；蒙蒿子属具有棍棒状毛；而其它属只具单列丝状毛；瓜馥木属叶远轴面表皮细胞外平周壁中央均向外突起形成一个乳突；鹰爪花属的气孔器具有双拱盖；银钩花属和蕉木属的气孔器突起，但前者的表皮细胞垂周壁直，而后者表皮细胞垂周壁深波状；金钩花属气孔器周围的角度层呈瘤状突起。因此，可以利用这些叶表皮的微形态特征将8属植物相互区别开来。     

扫描电子显微镜测试技术在岩土工程中的应用与进展

综述了扫描电子显微镜（SEM）测试技术在岩土工程中的若干进展，包括样品的制备及测试方法，微观结构变化的动态监测方法，扫描电子显微镜的定量分析技术，微观力学本构模型的研究等方面。就SEM应用现状及发展趋势作了评述。     

蒙药鹅绒藤扫描电镜的观察研究

目的：为蒙药鹅绒藤药材鉴定研究提供地上部分表面的微形态依据。方法：采用扫描电子显微镜技术进行观察研究。结果：鹅绒藤叶片上下表皮、内外果皮、种子背腹面和花粉块的微形态各异。结论：为鹅绒藤药材微形态鉴定和生物学研究提供参考依据。     

塑料填充体系界面粘结微观形态结构的SEM研究

加入不同表面处理剂的聚丙烯/硫酸钙（PP/CaSO4）晶须复合体系其拉伸性能有一定差异。应用扫描电子显微镜（SEM）分别对不同复合材料进行了界面形态和微观结构的研究。结果显示：实验数据与结果分析一致，证明了SEM技术在高分子复合材料微观形态研究中的重要作用。     

SmCo磁性薄膜的电子显微术研究

本文用透射电子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜(SEM)研究了用双源共同蒸发法制备的SmCo磁性薄膜的显微结构特征及其与成份、温度的关系。讨论了非晶态SmCo薄膜的形成过程以及显微结构对薄膜磁光特性的影响。     

肉豆蔻科（Myristicaceae）3属国产种类的叶表皮形态观察

利用光学显微镜和扫描电子显微镜观察了肉豆蔻科（Myristicaceae）国产3属9种植物的叶表皮,研究各种的叶表皮细胞形状及垂周壁式样、表皮蜡质纹饰及表皮毛的具体特征,测量并统计了气孔器类型、气孔密度等指标。结果显示：所观察的种类表皮细胞排列都很整齐,表皮细胞多边形或不规则形,垂周壁垂直或呈波状。表皮细胞覆盖角质层且仅远轴面具气孔,气孔器类型多为平列型,2～5个副卫细胞,在红光树属发现4气孔或5气孔集生的现象;有些种具星状毛。肉豆蔻科植物气孔器、角质层纹饰和表皮毛特征在属之间差异比较明显,可以作为划分属的重要依据,具有重要的分类学意义。     

华北二叠-三叠纪植物化石的扫描电镜研究

本实验是利用扫描电子显微镜，通过对植物角质层细胞结构的观察，来对华北二叠—三叠系红层中各类植物的形态进行研究。实验内容及结果为了保证本实验的样品具有代表性和特殊性。首先对植物化石进行一系列的筛选和处理，然后放入扫描电子显微镜中进行分析观察。华北植物化...     

应用SEM研究碘化铯光阴极的微观结构

本文应用 SEM(扫描电子显微镜)研究了制备碘化铯光阴极时基底的温度,真空烘烤和露置大气对光阴极的微观结构的影响。     

环境扫描电子显微镜工作原理及实现

系统介绍了环境扫描电子显微镜(ESEM)的研制历程和采用的关键技术。从常规扫描电子显微镜(SEM)的基本工作原理出发，列出了SEM成像信号产生的方式及特点。针对SEM在实际应用中暴露出的缺陷，ESEM提出了解决问题的措施。多重狭缝的采用，使样品室内压强可以大幅提高，而气体二次电子探头(GSED)的发明，使作为成像信号的二次电子信号得到加强。     

扫描电镜下9种卷柏叶表皮特征的系统学意义

应用扫描电镜观察卷柏属(Selaginella)9种植物的叶表皮。结果显示:表皮细胞长条形或不规则多边形;垂周壁平直或波状;叶缘具或不具明显的刺结构;表皮细胞附属有鳞片状、颗粒状及瘤状突起等;气孔器多为不规则型,其大小、数量、分布及孔口是否光滑,气孔带是否有瘤状突起分布等特征在不同种间存在差异,尤其对卷柏属植物的表皮附属物瘤状突起进行了细致的观察,统计并测量其类型、分布、数量及大小,首次将其应用于卷柏属植物的分类鉴定中。为探讨种间亲缘关系提供更具针对性的微形态学资料。     

激光透射焊接聚碳酸酯接头性能研究

为研究聚碳酸酯激光透射焊接接头性能,采用10W半导体端抽运全固态(DPSS)激光器进行了聚碳酸酯材料的激光透射焊接。采用光学金相显微镜(OM)、场发射扫描电子显微镜(SEM)和电子万能实验拉力机分析了接头的显微形貌、断口形貌和拉伸剪切强度。结果表明,在激光功率8 W、激光频率50kHz、焊接速度350mm/s、激光扫描间距0.1mm时,试样的拉伸剪切强度达到44MPa,为母材强度的68%,焊缝内部的分层和气孔是影响接头力学性能和断裂机制的主要原因,通过激光塑料透射焊接技术,可以获得接头力学性能良好的焊接试样。     

Synthesis and Properties of Mg-doped ZnO Nanobelts

The chemical vapor deposition(CVD)growth method is applicable to produce high-yield single-crystalline ZnO nanobelts.The Mg-doped ZnO nanobelts with a smooth surface have been successfully synthesized.The morphology,microstructure and optical properties of the ZnO nanobelts were analyzed by X-ray diffraction(XRD),scanning electron microscope(SEM),transmission electron microscope(TEM),selective area electron diffraction(SAED),energy dispersive X-ray spectroscopy(EDS)and photoluminescence(PL)spectroscopy.Resu...     

La掺杂BiFeO_3多铁纳米管的制备与性能

采用溶胶-凝胶结合模板的方法制备得到La掺杂BiFeO3(Bi0.94La0.06FeO3(BLF))多铁纳米管,运用X射线衍射仪、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM和HRTEM)以及多功能铁电测试仪对样品进行了形貌表征和铁电性能测试。结果显示:纳米管的外壁光滑,排列有序,外径约为200nm;高分辨透射电子显微镜的测试结果证明BLF纳米管是多晶钙钛矿结构;在测试电压为2 000V时,BLF纳米管剩余极化值Pr达到36.6μC/cm2,矫顽电场Ec为129kV/cm;测试电场为±100kV/cm时,漏电流密度为分别为1.44×10-3和1.63×10-3A/cm2。     

电子显微镜的现状与展望

本文扼要介绍了电子显微镜的现状与展望，透射电子显微镜方面主要有：高分辨电子显微学及原子像的观察，像差校正电子显微镜，原子尺度电子全息学，表面的高分辨电子显微正面成像，超高压电子显微镜，中等电压电镜，１２０ｋＶ，１００ｋＶ分析电镜，场发射枪扫描透射电镜及能量选择电镜等，透射电镜将又一次面临新的重大突破，扫描电子显微镜方面主要有：分析扫描电镜和Ｘ射线能谱仪，Ｘ射线波谱仪和电子探针仪，场发射枪扫描电镜和     

Structural and Morphological Investigation of Pendeo-Epitaxy 3C-SiC on Si Substrates

Successful pendeo-epitaxy growth of cubic silicon carbide (3C-SiC) on off-axis Si(001) substrates was achieved. The structural and morphological characteristics of pendeo-epitaxy 3C-SiC were strongly affected by underlying stripes and seed layer thickness. Stripes perpendicular to the Si substrate off-axis provide about three times faster lateral growth rate compared with parallel oriented stripes. Root-mean-square (RMS) measurements using atomic force microscope (AFM) indicate that the surface morphology of Pendeo-epitaxy 3C-SiC films remarkably improves with increasing seed layer thickness: from 9.8 nm for 3 μm thickness to 0.5 nm for 10 μm thickness. These effects on pendeo-epitaxy 3C-SiC are discussed with scanning electron microscopy (SEM) and AFM investigation.     

碲镉汞p型接触孔湿法腐蚀工艺研究

针对碲镉汞芯片p型接触孔湿法腐蚀工艺进行研究,采用不同条件的湿法腐蚀工艺完成碲镉汞p型接触孔制备,通过扫描电子显微镜和激光扫描显微镜分析腐蚀后的接触孔表面形貌,电学接触性能通过伏安特性曲线表征。实验结果表明,传统湿法腐蚀工艺在碲镉汞芯片接触孔制备过程中存在钻蚀严重和均匀性不好等问题,针对以上问题提出了一种超声辅助湿法腐蚀工艺,制备出形貌及均匀性较好的p型接触孔。     

纳米结构可重入扫描隧道显微镜系统的研制

本文简介我们最近研制成功的超高真空（ＵＨＶ）扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）系统。该系统由于同时安装有扫描电子显微镜（ＳＥＭ），可以使ＳＴＭ的针尖在ＳＥＭ的引导下移到样品表面上任一感兴趣的地方去研究那时的纳米细节，从而使它的ＳＴＭ具有纳米结构可重入性。该系统还有一些特有的样品制备功能，可用于许多有价值的研究 。