锁相介质振荡器

锁相介质振荡器采用锁相稳频技术将介质振荡器的频率稳定在参考频率上。研制的一种X波段锁相介质振荡器,得到的性能指标如下：频率8.44GHz;相位噪声≤-80dBc/Hz@10kHz、≤-110dB/Hz@100kHz;输出功率≥10dBm;杂波≤-75dBc、谐波≤-30dBc。     

S 波段取样锁相源的设计

本文详细介绍了一种S 波段小体积、低相噪、低杂散的锁相源。该锁相源采用取样锁相技术和高Q 值同轴介质压控振荡器实现了低相噪、低杂散的特性。通过集成倍频和滤波器,还可输出C 波段信号。     

用MB1504和MAX2620设计的微型高稳定锁相时钟频率源

介绍了一种以串行输入集成锁相频率合成芯片MB1504为核心,用MAX2620做窄带压控振荡器(VCO)并外接参考晶振源和环路滤波器设计锁相时钟频率源的具体方法.该时钟频率源的输出频率范围为80～88 MHz,并具有低噪声、高稳定性、低成本等特点.     

锁相介质振荡器

锁相介质振荡器采用锁柏稳频技术将介质振荡器的频率稳定在参考频率上。研制的一种Ｘ波段锁相介质振荡器,得到的性能指标如下：频率８．４４８ＧＨｚ;相位噪声≤ －８０ｄＢＣ／Ｈｚ＠１００ｋＨｚ、≤－１１０ｄＢ／Ｈｚ＠１００ｋＨｚ;输出功率≥１０ｄＢｍ;杂波≤－７５ｄＢｃ、谐波≤－３０ｄＢｃ。     

一种高性能体效应管电调振荡器

本文介绍了一种高性能W波段高频端Gunn振荡器.其基波和二次谐波共用一个波导振荡腔,基波频率低于W波段波导截止频率,机械调节频宽100～115GHz,输出功率大于5mW,最大可达18.5mW,线性电调范围大于250MHz.该振荡器用于三毫米锁相系统和大型毫米波望远境2.6mm波段的锁相本振系统.     

2cm波段耿管电调振荡器

报道了采用部分集成方案研制的Ｋｕ波段变容管调谐耿管振荡器（ＶＣＯ）及两管功率合成器。研制的两只中心频率为１６和１７ＧＨＺ的电调振荡器，其中１６ＧＨＺ的电调带宽大于６４０ＭＨｚ，输出功率大于１１０ｍＷ，功率起伏小于０．６ｄＢ；而１７ＧＨｚ的电调带宽大于２３０ＭＨｚ，输出功率大于１１０ｍＷ，功率起伏小于０．９ｄＢ。两管功率合成器的振荡频率为１７．３ＧＨｚ，输出功率达２５０ｍＷ．     

低相噪锁相介质振荡器研究

针对高的相位噪声指标要求,对取样锁相介质振荡器进行了研究.通过相位噪声分析,明晰了采用介质振荡器与取样锁相技术降低相位噪声的机理,并分别对介质振荡器与锁相环路进行了设计.设计中,应用HFSS与ADS对介质振荡器进行了联合仿真,体现了计算机辅助设计的优势.最终研制出17 GHz锁相介质振荡器,测试结果为:输出功率13.1 dBm;杂波抑制>70 dB;谐波抑制>25 dB; 相位噪声为-105 dBc/Hz@1 kHz,-106 dBc/Hz@10 kHz,-111 dBc/Hz@100 kHz,-129 dBc/Hz@1 MHz.     

长脉冲高效率HPM源的新技术研究

本文综述作者在长脉冲高效率ＨＰＭ源新技术方面的研究成果。对强流相对论电子学的若干前沿领域进行了分析与评述，研究腔振荡器的主从锁相、互耦振荡器的等同锁相以及环形串接互耦振荡器、中心联结网状互耦振荡器的等同锁相的原理与方法，分析毫米波虚阴极器件的主从锁相与等同锁相，所进行的数值计算与分析相当吻合；研究一种新型的长脉冲空心阴极等离子体电子枪及其特性，该电子枪可产生长脉冲（》１μｓ）高电流密度（≥５０Ａ／ｃｍ２）电子注；分析一类新型的长脉冲、高效率ＨＰＭ源──等离子体辅助慢波振荡器的作用机理，关键技术及其实现途径，它不需外加磁场，具有长脉冲（》１μｓ）高效率（１５％～２５％）和高平均功率（＞１ｋＷ）的能力。     

Ka波段直接数字调频锁相源

本文结合调制和锁相理论,论证了数字信号直接调制锁相源的可行性。研制的Ｋａ波段锁相耿氏振荡器能实现２＾１５级８４４８ｋｂｉｔ／ｓ的数字信号直接调频。该技术能大大降低通信系统的成本。     

模拟锁相陶瓷介质振荡器技术

通过对模拟锁相频率源及传统方法实现的锁相频率源进行简要的分析比较,在分析取样鉴相器工作原理的基础上给出了模拟锁相CRO的具体实现方案。重点介绍了环路滤波电路及自动捕获电路的工作原理及参数设置,同时也给出了改进输出信号杂波抑制的方法。设计所得到的模拟锁相CRO,其相位噪声指标是采用一般的锁相方式难以获得的。实测表明模拟锁相CRO的相位噪声较低,输出频率3 GHz,相位噪声可以达到≤–115 dBc/Hz@10 kHz,杂波抑制指标也有一定的优势,可以达到优于–70 dBc。     

一种用于RFID标签带温度补偿的振荡器设计

提出了基于TSMC 0.18μm RF CMOS工艺带温度补偿高精度振荡器的设计方案。针对射频电子标签应用的设计要求,选用改进型的双电容张弛振荡器结构。通过温度补偿作用,参考电压与输出电流受电源影响较小,保证了振荡器输出频率的稳定性。使用SPECTRE工具对电路进行仿真,在1.8 V电源电压下,-25¹00℃范围内,中心频率为1.92 MHz时最大偏差小于±0.75%,达到使用的要求,并在此基础上完成电路的版图。     

使用新注入锁定技术的低相位噪声正交振荡器

提出了一种利用新注入锁定技术的低相位噪声正交振荡器,激励信号直接注入子谐波振荡器的共源连接点.原理上,正交振荡器的相位噪声性能会比子谐波振荡器的相位噪声性能好.该正交振荡器已经采用0.25μmCMOS工艺实现,测试结果表明该正交振荡器的振荡频率约为1.13GHz,在偏离振荡频率1MHz处的相位噪声约为-130dBc/Hz.该振荡器采用2.5V电源电压,消耗的电流约为8.0mA.     

K波段高稳光电振荡器

介绍了一种具有高稳定性、高谱纯度、低相位噪声的双环路光电振荡器(OEO)。理论上分析了光电振荡器的基本原理,采用光域双环路的方案有效地实现了边模抑制,通过检测输出信号频率的变化来控制光纤环路的长度,从而得到了高质量的20GHz微波信号,其频谱纯度高,线宽小于1Hz,相位噪声在10kHz时为-112dBc/Hz,而且在4h观测时间内,频率的稳定性小于10-10。     

Ku波段低相位噪声体效应管

体效应振荡器相位噪声主要决定于体效应管的噪声.文中介绍了Ku波段低相位噪声体效应管的设计与工艺实现,并制作出了与设计结果基本一致的器件.该器件在Ku波段高端输出功率大于150 mW,转换效率大于5%.将其安装于低相噪介质振荡器中,在保证一定的输出功率的情况下,相位噪声小于-98dBc/Hz(偏离载频为5 kHz时),-10dB谱线宽度小于200Hz.     

GaAs MESFET微波固态振荡器的设计与实现

通过理论计算与CAD的优化仿真实现了一种基于GaAs MESFET微波固态振荡器.电路结构简单、工程实用性强,且易于集成化.由实际测试表明,振荡器的中心频率为4.54 GHz,输出功率为14.95dBm,在200kHz下的相位噪声为-124.26 dBc/Hz.     

基于高次谐波体声波谐振器的微波振荡器设计

基于高次谐波体声波谐振器(HBAR)的高品质因数(Q)值和多模谐振特性,设计了Colpitts和Pierce两种形式的微波振荡器。采用HBAR与LC元件组成谐振回路的方法,与放大电路构成反馈环路直接基频输出微波频段信号。Colpitts振荡器输出信号频率为980 MHz,信号输出功率为-4.92dBm,信号相位噪声达-119.64dBc/Hz@10kHz;Pierce振荡电路输出信号频率达到2.962GHz,信号输出功率为-9.77dBm,信号相位噪声达-112.30dBc/Hz@10kHz。     

具有自动稳幅功能的软激励C类大功率射频振荡器

介绍了一种具有自动稳幅功能的软激励C类大功率射频振荡器。大功率射频振荡器已经广泛应用于电力电子、射频电源、低温等离子体、高频感应加热等领域。该大功率射频振荡器能够输出较高的输出电压和输出功率,并且通过对输出电压采样控制MOS管的静态工作点,稳定输出电压;另外,该设计电路起振时工作在AB类状态,稳定工作时在自动稳幅电路的作用下进入C类工作状态,实现了C类射频振荡器的软激励。最后通过仿真和实物电路测试了电路性能,并给出了振荡器输出电压、输出功率与MOS管工作状态关系的经验公式。     

一种钽酸锂压控振荡器的设计与实现

该文使用具有低电容比、宽调谐范围的钽酸锂晶体设计了一巴特勒共基低相位噪声压控振荡器,此设计在寻求高有载品质因数QL的同时保持了振荡器的输出功率。使用的钽酸锂晶体的无载品质因数Q0约为1.24×103,其频率为10.727MHz。设计出的巴特勒振荡器QL≈33%Q0,输出功率约为11dBm。不加压控的情况下,实际测得该振荡器的相位噪声结果为-85dBc/Hz@10 Hz和-145dBc/Hz@1kHz。在此基础上,增加一变容二极管作为压控元件设计了钽酸锂压控振荡器,在2~10 V范围内,测得控制电压压控斜率约为86.6×10-6/V,相位噪声测试结果优于-82dBc/Hz@10Hz和-142dBc/Hz@1kHz,实现了具有宽调谐范围的低相位噪声钽酸锂振荡器的设计。     

铜蒸气激光器种子注入光腔的参数计算

用矩阵光学理论计算了由主振荡器和功率放大器组成的种子注入光腔。主振荡器光腔是由曲率半径R1=-250mm,R2=5000mm,相距L=2375mm的球面镜组成的正支非稳腔;功率非稳腔是由曲率半径R3=400mm,R4=5600mm,相距S=3000mm的球面镜构成的负支非稳腔。理论计算表明,该种子注入光腔可输出光束发散角约几十微弧的激光,可满足铜蒸气激光器主振荡器功率放大器(MOPA)的技术要求。     

周期极化掺镁铌酸锂光参量振荡器的输出光谱特性

实验研究了基于多周期的掺镁铌酸锂晶体光参量振荡器(OPO),分析了光学参量振荡器的输出光谱特性.实验中,采用激光二极管(LD)端面抽运的声光调Q Nd:YVO4激光器作为光参量振荡器的抽运源,谐振腔采用双凹腔结构.在调Q开关重复频率为10 kHz,周期极化掺镁铌酸锂(PPMgLN)晶体的温度为25.4℃的条件下,实验测得光学参量振荡器的振荡阈值为110 mW.当输入的抽运光的平均功率为325 mW时,获得了平均功率为84 mW的信号光输出,其光-光转换效率为25.8%.通过改变周期极化掺镁铌酸锂晶体的温度(25.4～120℃)和极化周期(28.5～30.5 μm),实现了信号光在1449.6～1635 nm范围内的可调谐输出.在室温25.4℃时,观测到了抽运光与信号光的和频光的光谱.实验结果表明.光参量振荡器输出光谱的半峰全宽(FWHM)小于0.5 nm.