高分辨电子显微像的定量分析与应用：Ⅱ.InGaAs／GaAs应变层超？…

使用高分辨像定量分析方法和像模拟技术，对外延生长ＧａＡｓ／ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ应变层超晶格的微观组态进行了详细的分析，用像模拟验证了成像位置与结构投影的对应关系，使用像点定位及畸变测量的分析方法，获得了晶格对畸变位移分布图及畸中生长方向的分布曲线，扣除由四方畸变导致的点阵膨胀与收缩，得到了仅由Ｉｎ元素分布导致的点阵参数变化曲线，由晶格参数与Ｉｎ元素含量的线性对应关系，获得超晶格中Ｉｎ元素沿生长方向     

高分辨电子显微像的定量分析与应用Ⅱ.InGaAs/GaAs应变层超晶格的高分辨像定量分析

使用高分辨像定量分析方法和像模拟技术,对外延生长的GaAs/InxGa1-xAs应变层超晶格的微观组态进行了详细的分析.用像模拟验证了成像位置与结构投影的对应关系.使用像点定位及畸变测量的分析方法,获得了晶格畸变位移分布图及畸变沿生长方向的分布曲线,扣除由四方畸变导致的点阵膨胀与收缩,得到了仅由In元素分布导致的点阵参数变化曲线.由晶格参数与In元素含量的线性对应关系,获得了超晶格中In元素沿生长方向的分布曲线.     

InSb/GaAs半导体界面结构研究

本文通过对ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ半导体界面实验高分辨原子像的计算机定量分析得到了界面位错区附近的晶格点畸变位移分布，基于该实验结果中文提出了ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ半导体界面的结构互平衡界面结构模型，该界面模型合理地解释了界面位错的起因及ＩｎＳｂ薄膜在ＧａＡｓ基体上升延生长过程中的物理现象，计算机模拟的界面电子衍射谱和高分辨原子像与实验结果的一致性符合验证的所建立的界面模型的正确性。     

InGaAs／GaAs垂直对准量子点超晶格的正入射红外吸收

利用分子束外延技术，生长了３０周期的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子点超晶格，透射电镜表明各层量子点沿生长方向呈现很好的垂直对准，红外吸收测试观察以明显的垂直入射红外吸收，吸收范围为８．５～１０．４μｍ之间，峰值波长为９．９μｍ第一次实现了响应８～１２μｍ大气窗口的量子点的垂直入射红外吸收，这一结果预示了量子点超晶格结构在红外探测领域的潜在应用。     

InGaAs（P）／InP应变量子阱和超晶格的光电性质

利用低压金属有机化合物化学汽相沉积（ＭＯＣＶＤ）生长技术在ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ应变量子阱，超晶格和ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ量子阱结构材料，利用７７Ｋ光荧光（ＰＬ）测量这一应变量了阱和量子阱的光学性质，利用双晶Ｘ光测量应变超晶格的性质。     

InGaAs光电阴极像增强器研究

ＩｎＧａＡｓ 光电阴极像增强器的光谱为１－０ ～１－３μｍ 和１－０ ～１－１μｍ 。对用于像增强器中的ＩｎＧａＡｓ 光电阴极进行了研究。研究的方法有：光致发光法、微型瑞曼法、扫描俄歇俄法。将ＩｎＧａＡｓ 像增强器的光谱和标准的第二代和第三代像增强器进行比较。文中还报导了负电子亲和势ＩｎＧａＡｓ 光电阴极摄像管的性能参数：光谱灵敏度、白光光响应、等效背景照度、信噪比、调制传递函数以及像增强器的性能。对ＩｎＧａＡｓ 负电子亲和势光电阴极和标准第二代像增强器阴级直接进行比较。最后评价了近红外ＩｎＧａＡｓ 光电阴极像增强器的先进性。     

高分辨电子显微像的定量分析与应用

本文通过研究高分辨电子显微像的图像处理技术，系统地建立了两种高分辨原子像亮点中心精确定位的处理方法，灰度主检测法和峰谷提取－灰度平均法。基于原子像亮点中心定位技术，使用最小二法，建立 测量高分辨像中局部点阵参数和 各畸变的实际处理过程。结论像模拟、图像匹配等手段，详细研究了从高分辨像中提取元素分布、原子结构等信息的定量分析方法；并建立了一套ＵＮＩＸ平台上的高分辨像定量分析程序包，具有较高的精度和广     

高分辨电子显微像的定量分析与应用I.基于图像处理的高分辨像定量分析方法

本文通过研究高分辨电子显微像的图像处理技术,系统地建立了两种高分辨原子像亮点中心精确定位的处理方法:灰度梯度检测法和峰谷提取-灰度平均法.基于原子像亮点中心定位技术,使用最小二乘法,建立了测量高分辨像中局部点阵参数和晶格畸变的实际处理过程.结合像模拟、图像匹配等手段,详细研究了从高分辨像中提取元素分布、原子结构等信息的定量分析方法;并建立了一套UNIX平台上的高分辨像定量分析程序包,具有较高的精度和广泛的用途.     

InAs自组织生长量子点的电子俘获势垒

成功地用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了ＩｎＡｓ自组织生长的量子点电学性质，获得２．５原子层ＩｎＡｓ量子点电子基态能级在ＧａＡｓ导带底下约０．１３ｅＶ，该量子点在荷电状态发生变化时伴随有晶格弛豫，对应俘获势垒为０．３２ｅＶ．本工作也证明可以把量子点类比深中心进行研究．     

应变单量子阱InGaAs／GaAs的光谱研究

应变单量子阱ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ的光谱研究沈文忠，唐文国，沈学础（中国科学院上海技术物理研究所，红外物理国家重点实验室，上海２０００８３）近来，人们对ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ应变超晶格和量子阱结构产生了浓厚的兴趣是基于高速器件设计的需要。随着...     

图像小波系数的分布规律及其对图像质量的影响

文中研究了小波系数的统计特性,小波系数的均值、方差和能量,不同分辨率级相同方向上小小的关系,以及同一分辨率级不同方向的小波系数对图像主观质量的影响。从而为基于小波变换的图像数据压缩中的量化方法提供了依据,得到以下结论：１．能量主要集中在低频系数,它对图像质量的影响最大,应对其进行量化;２．高频系数代表图像的细节信息,分辨率级越高的高频系数,对图像质量的影响越小,量化可以越粗;３．对同一方向不同分辨     

表面贴装工艺（SMT）,其趋势和未来

表面贴装工艺（ＳＭＴ）是一种当今制造生产先进水平微小型电子产品的工艺技术，本文首先介绍ＳＭＴ，然后着重阐述表面贴装的种类及工艺流程，所需设备，ＳＭＴ中的技术问题，最后就ＳＭＴ的趋势和它的未来进行探讨。     

多元多色HgCdTe红外探测器

简要介绍利用不同波段的微型滤光片和不同响应波段的多元ＨｇＣｄＴｅ红外探测器,叙述了通过精密镶嵌技术组合而成的四波段２１５～２２５μｍ、８４～８９μｍ、１０３～１１３μｍ和１１５～１２５μｍ８８元多元多色探测器的设计原理和特性,以及多元多色探测器的组合工艺,并给出了各个通道的响应光谱特性和探测器的工作性能。研制成功的８８元多色红外探测器每个通道的平均探测率和响应率分别为：Ｄ２．１５～２．２５＝１．２×１０１２ｃｍＨｚ１／２／Ｗ和Ｒ２．１５～２．２５＝５．０×１０６Ｖ／Ｗ,Ｄ８．４～８．９＝７．０×１０１０ｃｍＨｚ１／２／Ｗ和Ｒ８．４～８．９＝１．６×１０４Ｖ／Ｗ,Ｄ１０．３～１１．３＝４．０×１０１０ｃｍＨｚ１／２／Ｗ和Ｒ１０．３～１１．３＝４．３×１０３Ｖ／Ｗ,Ｄ１１．５～１２．５＝３．０×１０１０ｃｍＨｚ１／２／Ｗ和Ｒ１１．５～１２．５＝３．３×１０３Ｖ／Ｗ,文中对这些结果进行了分析和讨论。     

掺铒光纤放大器特性分析及长度优化设计

掺饵光纤放大器（ＥＤＦＡ）是光纤通信系统中的关键器件之一。文中从ＥＤＦＡ的基本理论出发，对ＥＤＦＡ的各种特性进行了计算机模拟分析，并研究了ＥＤＦＡ的长度优化设计，实验结果与理论计算相吻合。     

飞行器尾焰红外辐射的一种工程算法

文中就尾焰在４．３μｍ谱带对红外辐射有贡献的二氧化碳气体进行研究，将分子辐射理论中的宽带模型与辐射输运方程和流场模型三者结合起来，是研究飞行器尾焰红外辐射特性的有效办法，它在红外寻的、红外防护中有实用价值。     

海洋作战环境动态红外图像的计算机仿真

文中介绍了海洋作战环境动态红外图像仿真的实现。从分析舰船热环境出发，建立了舰船的温度模型，利用ＯＷＴＲＡＮ模型计算场景中点的红外辐射，将计算结果量化，形灰值。最后，利用计算机图形学的方法生成动态红外图像。     

亚成像系统中的实时图像分割与识别

研究了亚成像系统中 的目标识别方式，利用图像分割识别方式对玫瑰扫描图形进行处理，分析了利用自适应阈值进行实时图像分割的方法，并对外场实讨论。     

机载红外搜索跟踪系统的单站单波段测距测速模型

文中提出一种能使机载红外搜索跟踪系统（ＥＲＳＴＳ）在单站单波段条件下实现被动动态测距测速的技术方案。该方案融合了红外探测器对目标２辐射的呼应信息,利用机哉惯性导航系统（ＩＮＳ）提供了本机状态参数,建立了动态获取目标辐射的响应信息,利用机载惯性导航系统（ＩＮＳ）提供的本机状态参数,建立了动态获取目标距离和速度信息的解算模型－ＳＳＩＲ－ＶＲＭ模型。大量的仿真研究证明了该模型的可行性,其测量精度基本能满     

用SACP技术研究ELID磨削后的单晶硅片表面变质层

利用扫描电镜的选区电子通道花样技术研究了用ＥＬＩＤ磨削技术制作的两种单晶硅片磨削样品的表面变质层的厚度及其结构。结果表明，表面粗糙度依次为９．５ｎｍ和２２．５ｎｍ两种〈１１１〉单晶硅片样品的变质层厚度分别为２．８μｍ和４．８μｍ。     

图像方向性的条纹分析方法

在图像分析方法研究中,提出了用条纹概念来分析图像,并成功地把这一理论应用于图像的方向性检测。文章首先从直观的条纹图像三维对比中,归纳出图像条纹概念的两个基本属性,然后构造了区别于传统的方向滤波方法的三角分形基迭代函数系统的图像方向提取模型,最后定义了图像的方向统计表征量。实验证明了条纹分析方法的高效性和实时性要求的独特性能。