Zn1/3Nb2/3含量对xPMnS-(1-x)PZN性能的影响

以xPMnS-（1-x）PZN 四元系压电陶瓷为研究对象,通过研究Zn1/3Nb2/3含量的变化对0.5PMnS-0.5aPZN材料结构与性能的影响,获得具有高压电活性的0.5PMnS-0.5aPZN陶瓷材料.结果表明,四方相结构的0.5PMnS-0.5aPZN材料压电活性优于三方相结构,性能最好的组成位于MPB（四方相边界）附近靠近四方相含量较高的区域,组成Zn1/3Nb2/3含量的变化影响了MPB的位置.     

Y3+取代Bi3+对Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7陶瓷烧结温度的影响

采用固相反应制备Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7微波陶瓷,并借助X射线、扫描电镜、LCR4284测试仪,研究Y3 取代Bi3 对Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7陶瓷烧结特性及介电性能的影响。研究结果表明:随着Y3 替代量的增加,晶粒尺寸减小,介电常数先减小后增大,烧结温度升高;适量的Y3 替代可以获得性能很好的BZN介质材料。     

Li-Ti共掺对Bi2(Zn1/3 Nb2/3)2O7陶瓷介电性能的影响

采用固相反应法制备(Bi1.975Li0.025)(Zn1/3Nh2/3-x/2Tix/2)2O7,陶瓷,研究了当Li 的替代量一定时,不同量的Ti4 替代Nb5 对BLXNT系介质材料介电性能的影响.研究结果表明:在取代的范围内仍然保持单斜焦绿石相;1MHz介电常数的温度系数由225.35×10-6/℃逐渐增加到416.48×10-6/℃;在-30℃≤T≤130℃,观察到BLZNT样品出现介电损耗弛豫现象,随着掺杂含量的增加,介电损耗弛豫峰向高温移动.     

Sn~(4+)掺杂对正极材料Li_(1/3)Ni_(1/3)Co_(1/3)Mn_(1/3)O_2性能的影响

采用共沉淀法合成掺杂的Li_(1/3)Ni_(1/3)Co_(1/3)Mn_(1/3-x)Sn_xO_2的正极材料,通过X射线光谱、扫描电镜、充放电测试等技术对Li_(1/3)Ni_(1/3)Co_(1/3)Mn_(1/3-x)SnxO_2材料的结构、形貌、电化学性能进行表征。结果表明,采用共沉淀法Sn4+能有效掺杂进正极材料Li_(1/3)Ni_(1/3)Co_(1/3)Mn_(1/3)O_2的体相结构。掺杂量x=0.04时,在2.8~4.2V、0.2C倍率下掺杂的正极材料首次充放电比容量为138.5mA·h/g,30次循环后的容量保持率为96.96%。掺杂Sn4+对Li_(1/3)Ni_(1/3)Co_(1/3) Mn_(1/3)O_2正极材料改性后,材料仍保持典型的α-NaFeO_2层状结构,且晶型良好,表明Sn4+掺杂能够有效改善材料的电化学性能。     

NaLa_(1-x)Tb_x(MoO_4)_2的燃烧法制备及发光性能研究

采用燃烧法合成了系列NaLa(1-x)Tbx(MoO4)2绿色荧光粉。分别采用XRD和荧光分光光度计表征了合成样品的结构和发光性能,系统研究了煅烧温度及Tb3+的掺杂量对所得荧光粉物相组成及发光性能的影响。结果表明:采用燃烧法制备的NaLa(1-x)-Tbx(MoO4)2绿色荧光粉结晶良好、晶相单一、在280nm波长激发下具有良好的发光性能。确定煅烧温度为1 000℃,Tb3+的掺杂量x=0.5时发光效果最强。作为对照,采用高温固相法合成了NaLa0.5Tb0.5(MoO4)2荧光粉,结果表明,采用燃烧法合成的NaLa0.5-Tb0.5(MO4)2荧光粉具有更高的发光强度,并且大大缩短了煅烧时间。     

(Ba_(1-x)Pb_x)TiO_3半导体陶瓷的振动光谱研究

本文报道了PTC(Ba_(1-x)Pb_x)TiO_3陶瓷的红外光谱和喇曼光谱。对室温时的红外吸收峰和喇曼散射峰的归属进行了分析,讨论了Pb~(2+)的加入量对振动光谱的影响,以及在25～340℃范围内五种样品处于四方铁电相和立方顺电相时喇曼光谱与温度的关系。     

空位掺杂La（1-x）2／3Ca1／3MnO3的结构及磁电阻效应

利用标准的固相反应法在1200℃烧结了La(1-x)2/3Ca1/3MnO3(x=0,0.02,0.04,0.08,0.10)样品,冷却后,取出部分在1350℃进行再烧结。利用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对其晶体结构及表面微观结构进行了研究。X射线衍射测量分析表明样品均为单相,单胞仍然具有正交对称性结构(空间群为Pnm a),随着掺杂浓度的增加,晶格常数和晶胞体积逐渐减小。通过扫描电镜研究表明,样品随着掺杂浓度增加,晶粒逐渐增大,均匀性变好;样品在1350℃再烧结条件下,平均粒度要大,空隙度变小。样品随着掺杂浓度的增加,电阻在逐渐增大,磁电阻在逐渐减小。     

La2O3掺杂对(Bi1/2Na1/2)0.94Ba0.06TiO3陶瓷性能与微结构的影响

采用传统陶瓷工艺方法制备了La2O3掺杂(Bi1/2Na1/2)0.94Ba0.06TiOa(BNBT6)无铅压电陶瓷,系统地研究了La2O3掺杂对该体系陶瓷介电、压电性能与微观结构的影响.结果表明:该体系具有很高的压电常数,是单一的钙钛矿结构,La2O3的添加对晶粒生长具有一定的抑制作用,线收缩率和相对密度增大.室温介电常数随着La2O3掺杂量的增加而增大.与不添加La2O3的陶瓷样品相比,添加少量La2O3可以使体系的弛豫特征更为明显.当掺杂量为0.1 wt%时,该体系陶瓷具有较好的综合性能:d3a=160 pC/N,kp=0.322.当掺杂量达到0.5 wt%以后,陶瓷的压电性能严重降低.     

烧结制度对Ba(Mg1/3Nb2/3)O3陶瓷品质因子的影响

研究了烧结温度、保温时间、退火时间等工艺参数对Ba(Mg1／3Nb2／3)O3微波介质陶瓷品质因子的影响。结果表明，随着烧结温度的提高，Qf值逐渐增加，这是由于陶瓷的相对密度和有序参数S也随烧结温度增加的结果。在1550℃时，Qf达到最大值49500GHz。Qf值随保温时间的增加而增加，这和B位1：2有序度提高和晶粒尺寸增大有关。保温时间为16h时，Qf值达到58000GHz。退火时间对Qf值有很大影响。随退火时间的增加，Qf值增加很快，这主要是因为退火大大促进了B位离子的1：2有序。当退火时间为48h时，Qf值达到71500GHz。     

(1-x)Pb(Sc1/2Ta1/2)O3-xPbTiO3陶瓷的结晶性能和介电特性

在钽钪酸铅中加入钛酸铅，形成具有复合钙钛矿结构的钽钪酸铅－钛酸铅固溶体，可以提高钽钪酸铅材料体系的居里点，降低其制备温度，从而扩大该体系的应用范围。用一步法合成了钽钪酸铅－钛酸铅陶瓷，测试了介电常数和温度的关系。实验结果表明，这种陶瓷的钙钛矿相含量均在90％以上，最高相含量达1005；该种陶瓷的工艺简单，合成温度低，钙钛矿含量高，有望在工业化生产中得到推广。     

SCNN无铅压电陶瓷的制备和特性研究

为制备高性能的无铅压电陶瓷,在传统工艺下,制备了Ca_xSr_2-xNaNb₅O₁₅陶瓷各组分的样品,研究了压电介电性能随组分的变化.结果表明:在x=0.14附近Ca_xSr_2-xNaNb₅O₁₅材料具有较好的压电和介电性能.该材料有2个相变点,一个接近280℃,另一个在-20℃附近,具有明显的介电弛豫现象.X射线衍射和Raman光谱实验表明该材料是四方钨青铜结构,Ca²⁺替代Sr²⁺引起了晶格畸变,从而导致物理性能的提高.电镜扫描照片显示瓷体致密.     

(Bi_(1/2)Na_(1/2))_(1-x)Ba_xTiO_3系无铅压电陶瓷的现状

综述了(Bi1/2Na1/2)1-xBaxTiO3系无铅压电陶瓷的最新研究进展。简述了A位非化学计量改性及几种较成功的掺杂改性方法。将A位掺杂(如La3+)、B位掺杂(如Co3+、Nb5+)以及综合掺杂(如Ce3+、Ce4+)的优缺点和掺杂机理进行了归类比较。解释了各系统中相应掺杂引起性能变化的原因,为进一步开展无铅压电陶瓷的研究提供参考。     

Molten Salt Synthesis of Ba(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3 Powder

1　IntroductionMicrowavedielectricceramicisoneofthemostim portantelectronicceramics ,whichpossesshighdielectricconstantεr,highqualityfactorQ ,andsmalltemperaturecoefficientτf,andareusedaskeymaterialsofmicrowavedevicesinmicrowavecommunicationsystems ,suc…     

Microstructural Probing of (1-x) GeS_(2-x)Ga_2S_3 System Glasses By Raman Scattering

1IntroductionFiber amplifiers are of technological interest for ap-plications in optical communications systems.Attentionshas been paidtothe chalcogenide glasses because of theirlower phonon energy and higher quantumefficiency[1-4].Galliumis an essential …     

锰掺杂对四元系压电陶瓷压电性能的影响

采用传统的电子陶瓷工艺制备了高性能四元系压电陶瓷（PZN－PMS－PZT－γMnO2)，考察了不同剂量锰掺杂对压电陶瓷的压电性能的影响，包括：居里温度（Tc）、机电耦合系数（kp)、压电常数（d33)和机械品质因素（Qm)，由于内偏置场的影响，居里温度Tc随锰含量的增加而增加，kp和d33随Mn含量的增加而减小，而Qm表现出较复杂的变化规律，随Mn含量的增加Qm先增加，当质量分散γ＝0．2％时，达到最大值1000，当γ＝0．2％时，Qm下降，实验结果表明：当质量分数γ＝0．2t%的锰掺杂压电陶瓷具有较好的压电性能：Tc=349℃、kp=0.60,d33=380(10s^-12C／N和Qm=1000。