太阳电池非等宽主栅前电极栅线的优化设计

为提高太阳电池转换效率,降低生产成本,分析太阳电池功率损失机制,建立非等宽主栅太阳电池总体相对功率损失模型。通过求解该模型得到太阳电池最佳前电极栅线形状尺寸参数。采用PC1D软件进行仿真分析得到太阳电池的光电转换效率,该结果与理论值匹配度较高;当主栅线数为2～6时,非等宽主栅结构太阳电池相比于典型的等宽栅线结构太阳电池,光电转换效率分别提高了0.10%、0.09%、0.10%、0.09%和0.09%;主栅线总体积分别减少了0.72、0.68、0.64、0.58和0.47 mm³;细栅线总体积的增加量不超过0.07 mm³。表明非等主栅前电极栅线结构不仅提高了光电转换效率,也降低了银浆的使用量。     

MIS／IL硅太阳电池耐紫外辐射性能的研究

通过比较蒸发铯和浸渍铯在ＭＩＳ／ＩＬ硅太阳电池中所引入的铯量、固定正电荷量、界面态密度和对太阳电池表面面电阻的影响，以及测量上述诸量和太阳电池的主要参数经紫外辐照后的变化，并从表面能带的角度分析了引入铯对太阳电池的紫外辐射稳定性的影响，解释了在ＭＩＳ／ＩＬ硅太阳电池中引入铯使该器件耐紫外辐射性能提高的原因。     

非晶硅太阳电池切割后铝电极边缘的电化学处理

本文论述了用电化学腐蚀方法消除小面积非晶硅太阳能电池边缘漏电的原理，介绍了边缘电蚀的工艺，试验数据和分析结果。     

激光开槽埋槽电极硅太阳电池的性能及分析

报道了面积为４５ｃｍ＾２的激光开槽、埋槽电极硅太阳电池的研制情况。在ＡＭ１．５、２５℃、１００ｍＷｃｍ＾－２的条件下，测试３６片该类太阳电池，其输出参数的平均值为：Ｊｓｃ＝３６．１ｍＡｃｍ＾－２，Ｖｏｃ＝６３３ｍＶ，Ｆ．Ｆ＝０．７９８，η＝１８．２３％，最后，分析了该类电池特有的工艺及结构设计的作用机理。     

有机太阳电池ITO电极质量衡量方法

通过测量不同光刻条件下制作的ITO极的方块电阻,提供了一种利用方块电阻测量值来衡量有机太阳电池ITO电极质量的方法.对于笔者所使用的ITO电极图案和ITO玻璃的规格,在指定点上测得方块电阻为7.0Ω/□时,电极质量较好.相比利用显微镜观察ITO电极质量的方法,该方法既简便又准确,可以提供一个对ITO电极质量的量化衡最标准.     

晶体硅太阳电池丝网印刷电极接触电阻及其测量

金属电极与硅的接触电阻是影响太阳电池填充因子和短路电流进而影响光电转换效率的重要因素之一，本文研究了晶体硅太阳电池丝网印刷烧结银电极与硅接触电阻及其测量。判断印刷烧结工艺的好坏。应在保证p／n结特性良好的前提下使接触电阻最小为最佳。     

CdS/CdTe异质结太阳电池串联电阻的理论研究

串联电阻是太阳电池中一个附加的功率损耗．对太阳电池的转换效率、填充因子输出性能等均有较大影响，尽可能的减小串联电阻是提高太阳电池效率和性能所要求的。该文从理论上分析了太阳电池中串联电阻形成的各种因素，特别是对电池TCO层的薄层横向电阻做了较为详尽的理论分析，导出了TCO层薄层横向电阻的理论计算公式，并讨论了减小串联电阻的途径。并将计算值与实验结果进行了比较，两者符合较好。     

染料敏化纳米薄膜太阳电池的新型对电极研究

研究了用金属基板和塑料薄膜制作的4种新型对电极和由这些对电极构成的染料敏化纳米薄膜太阳电池的性能。由不锈钢、镍片和导电聚合物膜为基材的对电极构成的太阳电池的光电转换效率近5％；不锈钢对电极可以通过降低内阻来改善大面积染料敏化纳米薄膜太阳电池的光电转换效率。此外,测试了这些金属基板和塑料薄膜在电解质溶液中的耐腐蚀性和稳定性；考察了由不锈钢和导电聚合物膜对电极构成的染料敏化纳米薄膜太阳电池的长期性能稳定性,并提出了改善这些新型对电极的长期性能稳定性的途径。     

基于图象处理的太阳电池串滴胶质量检测

针对太阳基板的自动布贴工艺中太阳电池串的滴胶质量控制问题,提出了采用图象处理技术评估电池串滴胶质量的检测方法,通过对电池片的滴胶面积比、滴胶质心、滴胶形状复杂度的计算,给出了判断滴胶合格与否的量化指标。该方法对提高空间太阳电池串的滴胶质量,降低空间太阳基板表面贴装过程的电池串损耗具有重要的实际价值,实验进一步证明了该方法的有效性。     

MIS／IL p—Si太阳电池的几种低温表面钝化

对P－硅基体的MOS,MNS,MNOS3种钝化系统通过C－V特性测试和电性能分析,系统比较了不同结构及在不同的工艺条件下的介面态,介面固定正电荷和漏电流等参数。结果表明对于MIS／IL p－Si太阳电池,通过工艺优化,MNOS可以发挥良好的表面钝化和存储固定正电荷的功能。     

不规则太阳电池临近空间发电模型构建与分析

临近空间长航时飞行器（平流层飞艇、太阳能飞机、高空科学气球等）是目前高空平台（HAPS）的一种发展趋势。目前临近空间长航时飞行器的能量来源主要是太阳电池,由于飞行器形状和体积不同,太阳电池安装位置和面积也不同。飞行器有效铺装面积有限,为了实现能量平衡,因需要铺装更大面积,会遇到不规则形状铺装的情形,但此时的发电预测计算过程比较复杂且速度较慢。该文提出一种基于太阳电池之间关系的发电模型,实现任意单块太阳电池快速预测光伏阵列发电功率。针对现有飞行器不规则铺设太阳电池的进行仿真分析,结果表明,该模型能够准确预测其发电能力,并解决了不规则太阳电池发电能力的准确预测计算过程复杂和速度较慢的问题,修正后的模型在计算用时效率上最多可减少50%。     

NiS基对电极染料敏化太阳电池性能的研究

分别以纳米氧化镍和镍盐为原料,合成硫化镍(NiS)纳米材料,将其掺入聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT-PSS)溶液中,作为对电极材料制备DSCs.研究不同对电极材料的染料敏化太阳电池的光电性能.结果表明,2种合成方法制备的电极材料,都可有效提升器件性能,其中水热法合成NiS制作的NiS/PEDOT...     

非晶孵化层对高速生长微晶硅电池性能的影响

采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,以不同的反应气体总流量制备出沉积速率大于1nm/s、次带吸收系数(α0.8eV)小于2.5cm-1且具有相同晶化率的本征微晶硅薄膜,然而将其应用在微晶硅电池中时,电池性能却有明显差异.通过对微晶硅电池的光、暗态J-V,量子效率(QE)和微区拉曼(Raman)测试发现,微晶硅薄膜中非晶孵化层厚度的不同是引起电池性能差异的主要原因.反应气体总流量较低时沉积的微晶硅薄膜具有较厚的非晶孵化层,阻碍了载流子的输运,使电池的长波光谱响应下降,从而降低了电池的短路电流密度与填充因子;而增加总气体流量,有效减小了微晶硅薄膜中的非晶孵化层的厚度,从而使电池性能得到改善.最后在总气体流量为500sccm时,制备得到沉积速率为1nm/s,效率为7.3%的单结微晶硅太阳电池.     

单晶硅太阳电池背场欧姆接触的改善研究

采用磁控溅射在扩散工艺后的单晶硅片背面沉积了铝膜,对样品在600～900℃之间进行了快速热处理,利用四探针电阻测试仪、扫描电镜对热处理前后样品的电阻率、形貌等进行了表征,用半导体参数测试仪测量了样品的I-V曲线,计算了铝膜与硅片的接触电阻,并同步与印刷铝浆料样品进行了对比,研究表明,与丝网印刷工艺相比,溅射铝膜具有均匀细腻、电阻率低、接触电阻小等优点.