复合非晶丝的巨磁阻抗效应分析

研究了外层为NiFe层，里层为Ag丝的复合结构材料的巨磁阻抗效应，发现复合丝在较低频率下就有较大的阻抗变化值。同时推导了外场小于各向异性场时具有网周各向异性的复合丝的阻抗表达式，并讨论了各结构参量对巨磁阻抗效应的影响。发现材料的巨磁阻抗效应强烈依赖于复合丝铁磁层的厚度；而导体层和铁磁层的电导率相差越多则材料的巨磁阻抗效应也越大。     

Co-Fe-Ni-Nb-Si-B非晶软磁合金薄带巨磁阻抗效应

研究了Ｃｏ－Ｆｅ－Ｎｉ－Ｎｂ－Ｓｉ－Ｂ非晶软磁合金薄带的磁性和巨磁阻抗（ＧＭＩ）效应。样品在３５０℃下退火６０ｍｉｎ后获得了最佳的软磁特性,并表现出优良的ＧＭＩ效应。在１．４ＭＨｚ的交变电流频率下,获得了最大的ＧＭＩ效应,磁阻抗比ΔＺ／ＺＳ＝（Ｚ０－ＺＳ）／ＺＳ最高可达１９２％。在低频下得到了显著的巨磁电感效应,在１００ｋＨｚ下,磁电感比达到７６９％。在高频下,材料表现出优良的巨磁电阻效应,在１３     

FeNiCrSiB/Cu/FeNiCrSiB膜的磁畴结构和巨磁阻抗效应

用高频溅射法制备了ＦｅＮｉＣｒＳｉＢ／Ｃｕ／ＦｅＮｉＣｒＳｉＢ膜,经３５０℃退火２０ｍｉｎ后得到性能优良的巨大磁阻抗材料,磁畴结构观察表明,样品中心为均匀的细条畴靠近边缘,磁畴方向转向横向,这种畴结构有利于磁力线的闭合,是获得显著的巨阻抗效应的重要原因之一,磁阻抗测量表明,样品在１３ＭＨＺ的频率下,分别获得了６３％和７％的纵向和横向磁阻抗比     

软磁薄带（丝）的巨磁阻抗效应及其应用

介绍了居磁阻抗效应的来源，综述了它和样品的磁各向异性，驱动电流的频率，样品的电导率及厚度的关系，并简要介绍了它的应用。     

Co-Fe-Si-B非晶丝的巨磁阻抗效应研究

通过傅立叶分析模型研究了CoFeSiB非晶丝的GMI效应，将得出的阻抗计算结果与实验比较，发现该模型较符合实验规律。同时计算了非晶丝半径、饱和磁化强度以及电阻率对GMI效应的影响，结果表明增大非晶丝半径，增大饱和磁化强度以及降低电阻率都能使非晶丝的巨磁阻抗效应增大。     

Fe-Cu-Nb-Si-B快淬薄带中的巨磁阻抗效应

在Fe-Cu-Nb-Si-B材料中适当增加Cu的含量，可以使淬态薄带纳米化。随薄带中Cu含量的增加，在淬态薄带Fe74.5-xCuxNb3Si13.5B9中可观察到巨磁阻抗效应的增强现象。高Cu含量（x≥2）试样的磁导率的变化率要远大于低Cu含量（x≤1．5）试样的相应数值。磁导率变化的大小与磁阻抗效应相关。高Cu含量有效增加了软磁α-Fe（Si）立方相的成核，提高了淬态薄带材料的软磁性。     

磁场沉积态FeCuCrVSiB薄膜的软磁特性和巨磁阻抗效应

采用射频溅射法,在无磁场和施加72 kA/m的纵向磁场下制备了FeCuCrVSiB软磁合金薄膜样品,对沉积态样品的软磁特性和巨磁阻抗(GMI)效应进行了测量和分析.结果表明,在制备过程中加磁场可明显改善材料的软磁性能,与无磁场沉积态相比,样品的矫顽力从1.080 kA/m降低到0.064 kA/m,在13 MHz频率下有效磁导率比从10%增加到106%.GMI效应与磁导率比的大小密切相关.无磁场沉积态样品没有检测到GMI效应,而磁场沉积态样品则具有显著的GMI效应.在13 MHz的频率下,最大纵向和横向巨磁阻抗比分别高达22%和20%.这些结果都优于厚度几乎相同的退火态FeCuNbSiB薄膜的GMI特性.     

制备态FeZrBNi/Ag/FeZrBNi三层膜的巨磁阻抗效应

用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了FeZrBNi／Ag／FeZrBNi三层膜,对制备态样品进行了磁阻抗测量．结果表明,样品纵向和横向的最大磁阻抗比分别为18％和31％,取得最大阻抗比的频率分别为7和8MHz;在此频率下,样品的纵向和横向相对磁导率比分别达到153％和5117％．这表明掺Ni的FeZrB三层膜在制备态已具备优异的巨磁阻抗效应和软磁性能．同时还分析了薄膜样品的电阻、电抗分量和有效磁导率随频率的变化关系．     

FeNiCrSiB淬态薄带的几何尺寸对巨磁阻抗效应的影响

研究了FeNiCrSiB淬态薄带的几何尺寸对其巨磁阻抗(GMI)效应的影响.研究结果表明:淬态FeNiCrSiB软磁合金薄带便具有良好的软磁性能和巨磁阻抗效应.薄带的几何尺寸为2.0mm×20mm(宽2.0mm,长20mm)时存在最佳巨磁阻抗效应,在4.0 MHz频率下,纵向最大GMI比为25%,横向最大GMI比为20%.研究结果还表明具有最佳几何尺寸样品的磁电抗比和磁容抗比的绝对值随外加直流磁场的变化规律相类似,样品的电抗部分呈电容性特征.     

处理电流密度对钴基非晶薄带巨磁阻抗效应的影响

本文研究了焦耳处理工艺的处理电流密度对Co68.15Fe4.35Si12.5B15和Co71．8Fe4．9Nb0.8Si7．5B15非晶薄带巨磁阻抗效应的影响。样品在不同电流密度下进行了处理。实验结果表明：焦耳处理存在最佳电流密度,对Co68.15Fe4.35Si12.5B15窄带来说,最佳处理电流密度为30A／mm^2,处理后样品的阻抗变化率峰值和灵敏度分别为119％和73％／Oe;对Co71．8Fe4．9Nb0.8Si7．5B15窄带来说,最佳处理电流密度为35A／mm^2,处理后的阻抗变化率峰值为232％,灵敏度在30A／mm^2时达到42％／Oe。处理后样品的内应力得到有效释放,软磁性能提高,使薄带的巨磁阻抗效应较淬态时有了明显提高。处理电流密度是焦耳处理方法中影响钴基非晶薄带巨磁阻抗效应的一个重要参数。     

NiFeSiMnMo/Cu/NiFeSiMnMo多层膜结构中磁性层厚度对巨磁阻抗效应的影响

在康宁玻璃上用真空蒸镀法沉积NiFeSiMnMo/Cu/NiFeSiMnMo多层膜,对所沉积单层膜的软磁性能随膜厚的变化和多层膜的巨磁阻抗效应随磁性层(NiFeSiMnMo)厚度的变化进行分析.实验结果表明:NiFeSiMnMo单层膜随厚度的增加,矫顽力增大,软磁性能变差;退火后的多层膜的纵向巨磁阻抗比(GMI ratio)的最大值随磁性层NiFeSiMnMo的厚度增加而增加.     

Fe88Zr7B4Co1软磁纳米晶薄带的巨磁阻抗效应

利用熔旋快淬技术在铜辊速度为40 m/s的条件下制备了Fe88Zr7B4Co1薄带,分别经550、600、650、700、725、750℃退火处理30 min,形成纳米晶薄带.研究了退火温度、外磁场和驱动电流频率对巨磁阻抗效应的影响.发现存在一个最佳退火温度650℃.其bcc α-Fe相的晶粒尺寸为11.3 nm,在此温度下制备的Fe88 Zr7 B4 Co1纳米晶薄带具有最强的巨磁阻抗效应:在H=90 Oe下,频率约为1 MHz时Fe88Zr7B4Co1纳米晶薄带的磁阻抗△Z/Z0达到-52%.Fe88Zr7B4Co1纳米晶薄带具有比未掺杂的Fe88Zr7B4更强的巨磁阻抗效应.     

Fe73Cu1.5Nb3Si13.5B9淬态薄带中的巨磁阻抗效应研究

通过调高Cu在合金薄带的含量，并采用合适的甩带速度V，在FeCuNbSiB淬态薄带材料中观察到了较大的巨磁阻抗效应。甩速V=30m／s的Fe73CU1．5Nb3Si13．5B9淬态薄带在外加直流磁场H=7162A／m下，在f=300kHz时磁阻抗△Z／Zo为-22．6％。另外发现Fe3Cu1．5Nb3Si13．5B9淬态薄带中横向磁各向异性很微弱。Fe73Cu1．5Nb3Si13．589淬态薄带中AZ／Zo随磁场变化的峰值基本来源于△X／X0项的变化。在f≤16MHz的频率范围内，其峰值磁场随着频率的增加而增加。     

Fe89Zr7B4退火薄带的纳米晶结构、巨磁阻抗和磁导率变化

Fe89Zr7B4薄带在550℃～720℃的温度范围内分别退火20min，析出晶粒为13nm～17nm的α-Fe。720℃退火时有微量的第二相析出。Fe89Zr7B4纳米晶薄带的巨磁阻抗效应与退火温度紧密相关，存在一个最佳退火温度，约为650℃。进一步的实验结果显示：Fe89Zr7B4纳米晶薄带在直流磁场引导下横向磁导率的变化率在650℃存在最大值。经典电磁理论与磁谱结合的模型能较好地描述Fe89Zr7B4纳米晶薄带磁阻抗与频率的依赖关系。实验数据和理论计算结果均表明，巨磁阻抗效应与磁场引导的横向磁导率的变化紧密相关。     

NiFeSiMnMo/CU/NiFeSiMnMo多层膜的非线性巨磁阻抗效应

观察用蒸镀法制备的NiFeSiMnMo／Cu／NiFeSiMnMo多层膜的巨磁阻抗效应,经过退火后,得到性能优良的坡莫合金材料,研究了GMI效应与交变电流频率,和外加直流磁场H的关系,样品在3MHz的频率下能够获得一个14．9％的非线性巨磁阻抗效应。     

复合焦耳处理对Co68.15Fe4.35Si12.5B15非晶薄带巨磁阻抗效应的影响

本文研究了复合焦耳处理对Co68.15Fe4.35Si12.5B15非晶薄带巨磁阻抗效应的影响。实验结果表明：经前段电流密度10A／mm^2,后段电流密度30A／mm^2的复合焦耳处理后样品获得了最大的GMI效应。在8MHz的交变电流频率下,最大磁阻抗比为217％,灵敏度为114％／Oe,比淬态下的最大磁阻抗比和灵敏度均有明显提高。复合焦耳处理是提高材料GMI效应的一种新型的而且十分有效的方法。     

Fe84Zr2．08Nb1．92Cu1B11纳米晶薄带中的巨磁阻抗效应

摘要：利用真空甩带机制备了Fe84Zr2．08Nb1．92Cu1B11金属快淬薄带。X射线衍射结果表明：薄带经570℃退火后析出纳米化结构bccα-Fe相，晶粒大小约为20nm～40nm，利用HP4294A阻抗分析仪测量了此纳米晶薄带中的巨磁阻抗效应。结果显示在低频下阻抗随外磁场单调减小，这主要是由于磁导率随外磁场的变化导致的，高频下阻抗随外磁场变化出现1个峰值，这主要是由于横向各向异性的原因。运用计算机模拟了这一结果，发现磁导率随外磁场的变化在外场与各向异性场的比值约为0．9处出现了峰值，巨磁阻抗效应也在此位置出现峰值。并且随着驱动电流频率的增大峰值变大。