电子材料

<正>美国开发出不依赖半导体的微电子器件美国加州大学圣地亚哥分校的1个研究团队开发出1款不依赖半导体传导的光控微电子器件,在低电压和低功率激光激发的条件下可将电导率比现有半导体器件提高近10倍。这一成果发表在11月4日的《自然·通讯》杂志上。传统的半导体器件受到材料本身的限制,在频率、功耗等方面存在极限,而利用自由电子替代半导体材料通常需要高电压、大功率激光或高温激发。该团队     

IR开发出使用氮化镓的功率器件 利用150mm的GaAs on硅晶圆

美国国际整流器公司（International Rectifier，IR）开发了使用氮化镓（GaN）半导体的功率器件技术平台（英文发布资料）。利用该平台制作的功率器件将考虑向AC-DC转换器、DO—DC转换器、马达驱动电路、照明器具、大功率音响设备及车载设备等扩展。     

基于半导体分立器件的封装结构优化研究

在半导体分立器件的封装结构方面,至今仍有很多需要探索的课题。为此,该文就器件封装结构的优化问题,首先在对半导体分立器件的内涵与特征、类型与方式进行探讨的基础上,进而对半导体分立器件的不同封装方式进行了类比分析,最后,重点对半导体分立器件封装结构的优化途径,从2个方面分别进行了探讨。1)在半导体分立器件塑封装结构的优化方面:进行超声检测;进行阻燃性能试验;进行高压蒸煮试验。2)在半导体分立器件金属陶瓷封装结构的优化方面要测算分立器件金属陶瓷封装结构的高度,还要进行工艺流程的改进。     

日本半导体事业近况

在这几年资本主义国家经济萧条的情况下,很多资本主义国家的半导体事业发展受到了很大的影响。唯独日本的半导体工业不受其经济萧条的影响而发展比较快。从1983年的情况来看这种经济停滞情况仍在继续,预计日本的国民经济总增长率只能达到3%左右。但是。在日本由于积极进行电子工业的改革,在所有企事业部门都采用半导体新技术,因此半导体工业的发展速度很快。预计今年的增长率能达到20%。从去年九月到今年五月,有机会两次去日本进行了短期的考查和学习。参观访问了:东京工业大学、东京大学、大阪大学、名古屋工业大学、东北大学以及电电公司,日立公司等研究所和工厂.与各大学的教授及研究所和工厂的技术人员就有关半导体器件和材料方面的问题进行了有益的讨论.同时也查阅了一些有关方面的资料和参考书。现在就我所了解到的日本半导体事业近况,简单介绍以下四个方面的情况:1.集成电路的发展情况2.砷化镓集成电路的研究3.光电器件的研究4.半导体敏感元件的研究     

氧化物稀磁半导体材料的理论与实验研究进展

以氧化物宽禁带半导体为基体,通过掺杂磁性元素,可将非磁性半导体转变成铁磁性半导体,利用这些铁磁性半导体,能将新型的自旋电子器件集成到传统的微电子器件上,构成功能丰富的新型器件.由于稀磁半导体材料在自旋电子学中的重要作用,近年来受到广泛的关注.简要总结了有关氧化物稀磁半导体研究的发展状况;分析了制备条件对其磁性的可能影响;重点介绍了该系统中有关磁性起源的理论模型,包括双交换机制、磁极化子模型、RKKY模型等;比较了2种磁极化子理论模型,并对这些模型的适用范围进行了分析讨论.另外,还介绍了该体系微结构和磁结构的一些检测方法以及与磁性相关的输运性质、反常霍尔效应等.     

纳米材料

挪威科研人员成功研制半导体新材料"砷化镓纳米线"据报道,挪威科技大学的研究人员近日成功开发出一种新型半导体工业复合材料"砷化镓纳米线",并申请了技术专利,该复合材料基于石墨烯,具有优异的光电性能,在未来半导体产品市场上将极具竞争性,这种新材料被认作有望改变半导体工业新型设备系统的基础。该项技术成果刊登在美国科学杂志纳米快报上。以Helge Weman教授为首的挪威科技大学电子与电讯系的研究团队和     

国外电子封装塑料

各种有源、无源电子器件,特别是半导体元器件,一般都要将其芯片封装以后再使用。随着电子工业,特别是半导体工业的迅速发展,产量和品种不断增加,性能不断提高。近年来,半导体元、器件的价格以每年降低25％的竞争速度在下降。半导体元、器件的全部成本费中,封装费用所占的比例越来越大,因此,减少封装费用,是降低元、器件成本的比较关键的一环。一般电子元、器件,原来采用金属和陶瓷封装,优点是可     

科学家研制半导体微型芯片 量子计算机或成现实

<正>为了研制"拓扑绝缘体",美国莱斯大学研究人员克尼兹在无尘室内度过了数百小时,不断实验半导体微型芯片。美国莱斯大学科学家近日研制出一种微型的"电子高速公路"——"量子自旋霍尔拓扑绝缘体"。研究人员表示,这     

功能器件及其应用(二)

2.半导体系统功能器件在以高速度进行大量信号的信息处理时,利用半导体除具有大的存储容量外,由于半导体内电子、空穴的作用产生的高速性可运用于高速信息处理,而且尚具有器件小     

Ⅱ族氧化物半导体光电子器件基础研究启动

近日,"973"计划项目"Ⅱ族氧化物半导体光电子器件的基础研究"启动会在长春召开。中科院长春光机所、物理所、上海光机所和南京大学、中山大学、东南大学、吉林大学等单位将瞄准目前半导体领域的前沿和热点,把II族氧化物半导体作为主要研究对象,以期在短波长激光器件和紫外光电探测器等方面实现突破,建立相关理论和技     

Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体量子结构材料和器件的研究与发展

简要介绍了量子结构材料与器件中的基本概念,重点介绍了量子结构的定义和量子尺寸效应的能带裁剪工程。以II-VI族化合物半导体为例,介绍了量子尺寸效应对于激子束缚能的影响。以此为基础,综述了II-VI族化合物半导体量子阱、量子点等量子结构材料以及量子结构器件在光电探测、发光器件与太阳能电池领域的研究现状,并总结了II-VI族化合物半导体量子结构材料与器件的发展趋势。     

新型紫外光源研制成功

以GaN为代表的第三代半导体材料,是制造短波长高功率发光器件和高温大功率电子器件的具有代表性的半导体材料。到目前为止,国际上高功率蓝色发光二极管(LED)、绿色LED、白光LED、蓝紫色LED及激光器等已实现了批量生产,走向了商业市场。 GaN半导体材料与器件的研究已历时30多年。前20年进展缓慢,未能研制出实用化的器件。近十年来,在日本获得了突     

可替代生物膜的半导体膜问世

据媒体报道，美国伊利诺斯大学的研究人员利用掺杂不同的硅层设计出一种硅半导体膜，同生物膜相比，半导体膜更富有弹性，并具有更佳的电性能，应用前景十分广泛，可用于单分子探测、蛋白质过滤和DNA测序等。[第一段]     

陕西投资50亿元建西安半导体产业园

日前,投资50亿元的“西安半导体产业园”在西安高新区签约。该项目以建设半导体照明、太阳能光伏和半导体功率器件3条产业链为主,建成后将实现年销售收入140亿元。     

铁磁半导体简介

本文介绍铬硫属化合物尖晶石类型的铁磁半导体的制造方法、和它们的晶体性能、磁性能、电迁移性能。在一类物质中既有铁磁性又有半导电性,这是人们长期以来寻求的的材料。在铬疏属化合物中还存在着强的电—光—磁的交叉作用。铁磁半导体的出现将激励器件设计工作者去进行新型器件的设计,既利用材料的铁磁性,又用材料的半导体特性,还利用材料的电——光——磁的交叉作用。     

Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶在光电器件方面的应用研究进展

Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶与聚合物的复合物在光电器件领域的应用近年来成为国内外研究的热点。综述了近几年来半导体纳米晶/共轭聚合物在有机/无机复合电致发光器件和太阳能电池方面的应用进展情况，着重强调了其发展历程，并对其存在的问题进行了分析，展望了其发展前景。     

扫描近场光学显微技术在半导体材料表征领域应用的研究进展

半导体材料及其光电器件如激光器、探测器以及高速微波器件有着广阔的应用前景。半导体材料的结构和缺陷特性对器件性能起着至关重要的影响,然而对材料进行纳米尺度下的检测、表征无论是理论上还是技术和设备上都需要深入研究和发展,因此扫描近场光学显微技术在半导体材料表征领域有着无可替代的地位。扫描近场光学显微技术突破了传统光学显微技术的衍射分辨率极限的限制,具有超高空间分辨率、超高探测灵敏度等特点,并且是一种非接触性探测,具有无损伤性。简要介绍了扫描近场光学显微镜的原理及在半导体材料研究中的应用,包括量子阱结构中的位错及缺陷的表征,半导体器件的表面复合速率及扩散长度的纳米表征,以及半导体薄膜中的缺陷分布的检测。探讨了目前相关研究领域存在的主要问题,并对其发展趋势和前景进行了展望。     

SQUID与半导体样品的无损检测

随着半导体集成度的不断提高，半导体检测技术也不断拓展和更新。SQUID是目前所知的最灵敏的磁场和磁通探测器。本文将介绍一种以SQUID为探头的、非接触式的、半导体材料和器件检测装置。     

半导体材料的发展及现状

1 引言 半导体材料的价值在于它的光学、电学特性可充分地应用于器件。自硅开始替代锗,直到现在,甚至以后很长一段时间里,硅仍将是大规模集成电路的主要材料。如在军事领域中应用的抗辐射硅单晶（NTD）、高效太阳能电池用硅单晶、红外CCD器件用硅单晶等。但在超高速集成电路和光电子领域,化合物半导体材料显示出了它不可替代的优势。 GaAs和InP基材料在10年前就应用到器件中了,成为化合物半导体基器件的主要支柱材料。随着微电子技术向高密度、高可靠性方向发展,对半导体材料的要求也越来越高。GaAs材料的异军突起,打破了Si材料一统天下的同     

SQUID与半导体样品的无损检测

随着半导体集成度的不断提高 ,半导体检测技术也不断拓展和更新。SQUID是目前所知的最灵敏的磁场和磁通探测器。本文将介绍一种以SQUID为探头的、非接触式的、半导体材料和器件检测装置。