液晶盒的电容特性

液晶盒外加一定的电压,会改变液晶分子的取向排列,这样液晶层的有效介电常数也会随之发生改变。如果把液晶盒看作一个电容器,其电容也会有所改变。本论文理论研究强锚泊混合排列向列相液晶盒的电容特性,基于液晶弹性理论和变分原理,理论推导液晶盒系统的平衡态方程及电容的解析表达式,通过Matlab软件数值模拟了此液晶盒的电容-电压曲线和指向矢分布曲线,并对其电容特性进行了分析。     

利用二端口时变耦合网络实现储能和能流通量控制

本文论述了在线性储能器和任意负载之间接入无耗、时变、二端口网络,通过改变其参数来实现能通量控制的一种新方法,使负载能工作在任何所要求的工作点上。这种无耗能量转换也适用于已充电电容与没充电电容耦合情况。而用普通方法,两充有不同电压的电容器直接耦合时,将会有能量损耗。     

关于电容电压和电感电流跃变的讨论

本文针对电路教科书指出的有两种情况可能会出现冲激电流和冲激电压的情况,通过举例说明,电容电压和电感电流的跃变可以在多种情况下发生。笔者还讨论了电容电压和电感电流跃变与换路定律之间的关系,即电容电压和电感电流跃变是对实际电路理想化建模的结果。本文通过实例指出正确理解电容电压和电感电流的跃变,有助于简化电路的分析。     

实用电工技术知识问答选刊

问:为了使电风扇增设微风档在电感调速电路中串联接入4μF的无极性电容,但结果原快档变慢档,慢档变快档是何原因? 答:普通风扇调速的原理是改变串联电感的抽头,电感量越大加到风扇电机上的电压越低,其转速变慢。利用电容的容抗也可达到此目的。电容量越小其容抗越大风扇转速也应降低,但是电感的感抗和电容的容抗(常以X_L和X_C表示)是截然不同的阻抗。在交流电路中两者串联其电流的相位相差180°,电感电路中电流滞后电压90°,加在电感两端电压并不能立即产生额定电流。而电容电路中电流超前     

振荡式微小电容测量电路

微小电容的测量成了电容传感器能否广泛应用的关键技术.针对目前微小电容测量系统刷新率低,体积大的现状,本文提出了一种电容-频率转化电路,该电路将电容传感器接入方波振荡回路中,振荡波形频率随电容的改变而改变,通过对振荡波形的处理,积分电路可以将微小的电容信号转换成电压的变化.该测量系统具有功耗低、体积小、分辨率高、刷新率高...     

一种基于新型电容阵列的低功耗低相位噪声数字控制振荡器

摘要： 利用0.18CMOS六层金属工艺实现了一个全集成的低功耗低相位噪声的数字控制振荡器,该数字控制振荡器谐振回路由中央抽头对称螺旋电感和电容阵列构成。文中介绍并实现了一种新型的改变电容的方法。该方法在不需要改变接入谐振回路电容的数量而通过改变其互联拓扑关系来实现。测试结果表明,在1.8V电源电压下,核心模块消耗4.8mA的电流,相位噪声在1MHz频偏处为-122.5dBc/Hz。在1.6V的低电源电压,消耗约4mA的电流情况下,1MHz频偏处相位噪声仍可达到-121.5dBc/Hz. 同时,电源推挽度小于10MHz/V。     

电容电流(或电感电压)中的冲激分量计算方法

众所周知,当电容电压(或电感电流)在换路时刻发生跃变时,其电容电流(或电感电压)中包含有冲激分量.那么如何正确地求出这些冲激分量呢?例如一般求电容电流时,可对电容电压的表达式求导而得,但利用这种方法有时并不能正确地求出电容电流中的冲激分量.例如利用三要素法可求出电容电压的表达式为     

高电容比射频/微波MEMS膜开关的理论分析和数值模拟

建立了一个MEMS膜开关电容比理论模型，由于这个模型比较全面地考虑了开关阈值电压、维持电压、偏置电压和介质膜内的电场强度等因素对电容比的影响，因而能较为正确地反映开关的电容特性。用数值方法计算了影响开关电容比的因素，并对计算结果进行了分析和讨论。提出了使用脉冲电压作为偏置电压可以使介质膜gj的厚度减少到50nm，从而使开关的电容比增加到3800。最后，讨论了实现高电容比MEMS膜开关的可行性。     

高稳定度和宽电源电压范围晶体振荡器芯片设计

基于0.6μm CMOS混合信号工艺设计了一款高稳定度、宽电源电压范围的晶体振荡器芯片。该芯片片内集成具有优异频率响应的振荡器电容和反馈电阻,只需外接石英晶体即可提供高稳定时钟源。测试结果表明:芯片最高工作频率可达40MHz;在振荡频率12MHz、负载电容15pF、电源电压从2.7V到5.5V变化时其频率随电源电压变化率小于1×10-6;电源电压为5V时芯片消耗总电流小于4mA。     

关于线性电容之静态电容和动态电容作用的研究

在对由两个初始电压不为零的电容及一个电阻串联构成的一阶电路分析时,发现研究动态电路的过渡过程时要区分静态电容和动态电容,否则有可能会导致分析计算的错误。计算线性电容储存能量公式中的电容是电容元件的静态电容,初始电荷不等的两个电容元件串联时,其等效静态电容无法确定。一阶RC电路的时间常数中的电容是电容元件的动态电容或电容元件串联、并联的等效动态电容。在分析一阶电路的动态过程时要特别注意这些问题,希望引起从事电路教学工作的同行注意。     

基于电压积分翻转电容法的微位移测量

微小位移测量在工业控制、机械制造等领域应用广泛。本文提出了一种基于电压积分翻转电容法的微位移测量方法,该方法利用平行板电容器充放电的特性,使输出电压根据电容的不同容值而发生周期性的反转,产生相应频率的输出波形。该系统由位移测量电极板、电压积分翻转电路、低通滤波电路和MCU模块组成。位移测量电极板位移变化时其电容发生相应改变,电压积分翻转电路将电容变化值转化为输出信号的频率变化值。低通滤波电路将输出信号滤波,降低高频噪声的影响。MCU模块计算出频率变化值对应的微小位移变化值。实验结果表明：由线性回归分析,基于电压积分翻转电容法的微位移测量,其线性度误差为2.16%,相对误差为0.06%,与其他基于电容的位移测量方法相比,线性度误差比基于电容式传感器的微位移测量法小0.09%,比ZNXD型电容式传感器位移测量法小0.64%;相对误差比基于电容式传感器的微位移测量法小0.26%,比ZNXD型电容式传感器位移测量法小0.14%,比平板式电容器位移测量法小0.36%。相比之下,本文的具有较好的线性度误差和相对误差。     

电容电荷守恒和电感磁链守恒的条件

动态电路换路时，若存在由纯电容和理想电压源构成的回路，则电容电压就有可能跃变，在含电压可能跃变的电容支路的割集中，若除电容支路外的支路中无冲激电流存在，则电容电荷守恒，否则电容电荷有可能不守恒；若存在由纯电感和理想电流源构成的割集，则电感电流就有可能跃变，在含电流可能跃变的电感支路的回路中，若除电感支路外的支路中无冲激电压存在，则电感磁链守恒，否则电感磁链有可能不守恒。文中同时给出了电容电荷不守恒和电感磁链不守恒时电路初始条件的求解方法。     

整流滤波电容的设计与选用方法研究

整流滤波电路是直流稳压电源设备中常用电路,其中滤波电容的设计选取,直接影响到纹波电压的大小,关系到输出直流电压的质量。本文通过在设定条件下,依据整流滤波电路原理,阐述了纹波电压产生的过程,给出了一种滤波电容设计与选取计算方法,建立了电容选取的计算模型,描绘出了纹波电压、负载电阻与滤波电容之间关系曲线,并通过实验验证其科学性,有利于滤波电容的设计与选用。     

一种n+/p+环接MOS电容的研制

电容是集成电路的一个组成部分,由于MOS电容与CMOS工艺流程匹配,所以应用广泛.为了改善传统MOS电容值随电压特性的改变而变化的现象,并提高MOS电容值的稳定性,提出了一种新型MOS电容的制作方法和连接结构.新结构是将传统MOS电容的一个n+电极更改为p+电极,这样可以使器件的输入电势极性更改前后都为栅氧电容,但在极性更替间,由于有耗尽层存在,电容仍会变小.将两个新结构MOS电容环接,即将其中一个电容的多晶硅层与另一个电容的阱相连接,并用金属连线引出电极,测试结果表明,与传统MOS电容相比,新型MOS电容提升了零电压附近突变区域电容最低值,减小了器件电流波动幅度,有利于提高器件的可靠性.     

大城市电网链式STATCOM关键技术研究

文章介绍了链式STATCOM的拓扑结构,在此基础上建立了数学模型。直流侧电容电压平衡控制是链式STATCOM的一个关键技术问题,针对此问题,采用了一种分级协调控制策略,通过改变H桥单元的输出电压和电流的夹角从而调整吸收／释放的有功功率,最终控制直流侧电容电压平衡。最后,搭建了仿真模型,仿真结果验证了控制策略的正确性和可...     

模块化多电平换流器电容电压的滑模观测器研究

模块化多电平换流器（modular multilevel converter,MMC）子模块电容电压的稳压控制是MMC的一个关键难题,在实际应用中,需要大量的电压传感器以获取各子模块电容电压。对此提出了一种电容电压滑模观测器（sliding mode observer,SMO）,根据MMC电路中的桥臂电流和开关信号观测出子模块电容电压,并结合电压闭环控制,实现电容电压的稳定,采用双曲正切函数tanh作该滑模观测器的切换函数,可削弱系统抖振。仿真和实验结果表明该滑模观测器可准确观测出电容电压。     

集成微电容式传感器检测电路设计与研究

集成电容式传感器的研究中,微电容信号的检测电路是其研究的难点之一。设计一种微电容转换为电压的检测电路,由差分式开关电容电路、反相放大电路、低通滤波电路等组成。基于0.18um CMOS工艺和Cadence Spectre仿真器对电路进行仿真,结果表明所设计的检测电路能够消除失调电压和偏置电压误差,减少电荷注入和时钟馈通对其影响,有效的实现微电容检测。     

射频MEMS压控电容器

研究了射频 MEMS压控电容器的设计和制造工艺。压控电容器的制作采用了 MEMS制造技术 ,其主要结构为硅衬底上制作金属传输线电极和介质层 ,然后制作金属膜桥作为电容器的另一个电极。通过改变加在金属膜桥与传输线间的电压达到改变电容值的目的。这种压控电容器可以工作于射频和微波波段 ,具有很高的Q值。测试结果如下 :在 1 GHz、0 V时 Q值达到 3 0 0 ,0偏压电容值为 0 .2 1 p F,当加上驱动电压后 Cmax/ Cmin的变比约为 4∶ 1     

电压控制晶体振荡器(VCXO)

<正> 序言电压控制晶体振荡器是六十年代出现的一种晶体振荡器。其特点是它的工作频率可以按照所加的电压或信号而改变。故称之为电压控制晶体振荡器。众所周知,LC 谐振电路具有良好的调频特性,但其 Q 值低,因而频率稳定度较差,石英谐振器具有很高的 Q 值,因之有着优良的频率稳定度,但其却难以调频,而电压控制晶体振荡器既有电感—电容振荡电路容易调频的性能,又具有石英晶体振荡器那种优良的频     

两种电容快速放电方法研究

电容使用完成后必须对其进行放电,以保证使用者的安全和延长电容的使用寿命。传统电容放电方式是采用自然放电或连接恒定电阻放电,对于大电容、高电压的电容需较长的放电时间。为提升电容放电速率,提出了两种快速放电法。增大放电电流,改变放电过程中放电电阻的阻值,保证放电电流保持在较高水平,从而大幅减少放电时间。结果表明,采用电机控制放电电阻随时间均匀变化可达到最快的放电速率,比连接恒定电阻的放电速率提升5倍左右;采用继电器控制放电电阻阻值阶跃变化可提升电容放电速率,比连接恒定电阻放电速率提升1倍左右。